电工学(电子技术)习题答案第一部分_第六版_秦曾煌主编[1].doc

第14章晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。2晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：3晶体管的特性曲线和三个工作区域（1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，和之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现，且随线性变化。（2）晶体管的输出特性曲线： 晶体管的输出特性曲线反映当为某个值时，随变化的关系曲线。在不同的下，输出特性曲线是一组曲线。=0以下区域为截止区，当比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。（3）晶体管的三个区域： 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，=，与成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。此时，=0，=。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即很小时，晶体管工作在饱和区。此时，虽然很大，但。即晶体管处于失控状态，集电极电流不受输入基极电流的控制。143 典型例题例141 二极管电路如例141图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压=0.7V。256例14.1图解：图（a）电路中的二极管所加正偏压为2V，大于=0.7V，二极管处于导通状态，则输出电压=2V0.7V=1.3V。图（b）电路中的二极管所加反偏压为-5V,小于，二极管处于截止状态，电路中电流为零，电阻R上的压降为零,则输出电压=-5V。图（c）电路中的二极管所加反偏压为（-3V），二极管截止。二极管所加正偏压为9V，大于，二极管处于导通状态。二极管接在B点和“地”之间，则导通后将B点电位箝位在（-0.7V），则=-0.7V。如果分别断开图（d）电路中的二极管和，处于正偏压为15V，处于正偏压为25V，都大于。但是，二极管所加正偏压远大于所加正偏压，优先导通并将A点电位箝位在=-10V+0.7V=-9.3V, 实际上，二极管处于反偏压，处于截止状态。则输出电压=-9.3V。例142 电路如例142图所示，已知=（V），二极管导通电压=07V，试画出与的波形，并标出幅值。解：在正半周，当大于37V时，二极管处于正偏压而导通，输出电压箝位在=37V，此时的二极管D2截止。 当小于37V时，二极管和均处于反偏压而截止，输出电压=。 在的负半周，当小于（-37V），二极管处于正偏压而导通，输出电压=-37V，二极管截止。257当大于(-37V)时,二极管和均处于反偏压而截止,输出电压=。例14.2图例14 3 电路如例143（a）图所示，设稳压管的稳定电压=10V，试画出0V30V范围内的传输特性曲线=f()。解：当<10V时，反向截止，所以=-；当10V时，反向击穿，所以=1010=20V。所以传输特性曲线=f()如图（b）所示。 例14.3例144 晶体管工作在放大区时，要求发射结上加正向电压，集电结上加反向电压。试就NPN型和PNP型两种情况计论。和的电位哪个高？是正还是负？和的电位哪个高？是正还是负？和的电位哪个高？是正还是负？解：先就NPN管来分析。>, 为正。>，为正。>，为正。258PNP管的各项结论同NPN管的各项结论相反。例145 用直流电压表测量某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别如例145图所示。试指出每只晶体管的C、B、E极。例14.5图解：管：为C级，为B极，为E极。管：为B极，为E极，为C极。管：为E极，为B极，为C极。例146 在例146图中，晶体管、的三个电极上的电流分别为：例14.6图 =0.01mA =2mA = 2.01mA =2mA = 0.02mA = 1.98mA = 3mA =3.03mA = 0.03mA试指出每只晶体管的B、C、E极。解：管：为B级，为C极，为E极。管：为E极，为B极，为C极。管：为C极，为E极，为B极。14.4 练习与思考练习与思考14.1.1 电子导电和空穴导电有什么区别，空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？259答：电子导电是指在外电场的作用下，自由电子定向运动形成的电子电流。空穴导电是指在外电场作用下，被原子核束缚的价电子递补空穴形成空穴电流。由此可见，空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的。练习与思考14.1.2 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流的子的浓度比本征载流子的浓度小？答：杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由本征激发产生的。本征激发产生电子空穴对，其中有一种载流子和多数载流子相同，归于多数载流子，所以少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。练习与思考14.1.3 N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？答：整个晶体呈电中性不带电，所以不能说N型半导体带负电和P型半导体带正电。练习与思考14.3.1 二极管的伏安特性曲线上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压典型值约为多少？答：当二极管正向偏压很小时，正向电流几乎为零，当正向偏压超过一定数值后，电流随电压增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。硅管死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。练习与思考14.3.2 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？答：当二极管加反向电压时，通过PN结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。在常温下，由于少数载流子数目极少，在不太大的反向电压下已全部通过PN结，因而，即使反向电压再升高，反向饱和电流仍保持很小的数值不变。当环境温度升高时，少数载流子迅速增多，电流也明显增大。练习与思考14.3.3 用万用表测量二极管的正向电阻时，用R*100挡测出的电阻值小，而用R*1 挡测出的大，这是为什么？答：万用表测电阻是通过测量电阻中的电流而获得其电阻值。指针式万用表测电阻，指针偏转角度越大，读出电阻值越小。在使用R*100挡时，万用表内阻小，加到二极管两端的正偏压大，流过二极管的正向电流大，指针向右偏转角度大，测得的电阻小。在使用R*1 挡时，万用表内阻大，加到二极管两端的正向偏压小，流过二极管的正向电流小，指针向右偏转角度小，测得的电阻大。练习与思考14.3.4 怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏？答：将万用表旋到电阻挡，表笔接在二极管两端，以阻值较小的一次测量为260准，黑表笔所接的为正极，红表笔接的一端为负极。当正接时电阻较小，反接时电阻很大表明二极管是好的。练习与思考14.3.5 把一个1.5V的干电池直接接到（正向接法）二极管的两端，会不会发生什么问题？答：产生大的电流，烧坏电源。练习与思考14.3.6 在某电路中，要求通过二极管的正向平均电流为80mA，加在上面的最高反向电压为110V，试从附录C中选用一合适的二极管。答：选择2CZ52D练习与思考14.4.1 为什么稳压二极管的动态电阻愈小，则稳压愈好？答：动态电阻是指稳压二极管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值，动态电阻越小，反向击穿特性曲线越陡，稳压效果越好。练习与思考14.4.2 利用稳压二极管或者普通的二极管的正向压降，是否也可以稳压？答：也具有一定的稳压作用，硅管两端保持0.60.8V，锗管两端保持0.20.3V，其实际意义不大。练习与思考14.5.1 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用，为什么？答：晶体管结构主要特点是：E区的掺杂浓度高，B区的掺杂浓度低且薄，C区结面积较大，因此E极和C极不可调换使用。练习与思考14.5.2 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大？答：不一样大，在饱和区，的变化对影响较小，两者不成正比，放大区的放大系数不适用于饱和区。练习与思考14.5.3 晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各为什么？答：外部条件：晶体管的偏置电压必须满足发射结正向偏置，集电结反向偏置。内部条件：发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度低，集电结面积大，且集电压掺杂浓度低。练习与思考14.5.4 为什么晶体管基区掺杂浓度小且做得很薄？答：只有这样才可以大大减少电子与基区空穴复合的机会，使绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘，形成集电极电流= ，使晶体管成为电流控制器件。261练习与思考14.5.5 将一PNP型晶体管接成共发射极电路，要使它具有电流放大作用， 和的正、负极应如何连接，为什么？画出电路图。答：电路如图所示，这样连接才能保持发射结正向偏置，集电结么向偏置，三极管具有电流放大作用。练习与思考14.5.5图练习与思考14.5.6 有两个晶体管，一个管子=50，=0.5 ;另一个管子=150，=2的晶体管由于比较大，受温度影响大，影响静态工作点的稳定性。练习与思考14.5.7 使用晶体管时，只要1）集电极电流超过值；2）耗损功率值；3）集一射极电压超过值，晶体管就必然损坏。上述几种说法是否都是对的？答：1）会损坏；2）会损坏；3）会损坏，以上几种说法都正确。练习与思考14.5.8 在附录C中查出晶体管3DG100B的直流参数和极限参数。答：直流参数：=0.1 ，=0.1 ，=0.1 ，=1.1V，=30极限参数：=40V，=30V，=4V，=20mA，=100mV，=150练习与思考14.5.9 测得某一晶体管的=10 ，=1mA，能否确定它的电流放大系数？什么情况下可以，什么情况下不可以？答：=，两者的含义是不同的，但在输出特性曲线近于平行等距，并且较小的情况下，两者数值较为接近，在这种情况下，可以利用和的值确定，否则不行。练习与思考14.5.10 晶体管在工作时，基极引线万一断开，为什么有时会导致管子损坏？答：当基极断开，加在C极，E极之间的电压>时，管子会被损坏。145 习题讲解习题14.3.1 题14.3.1图是二极管组成的电路和输入电压的波形，试画出262输出电压和电阻R上电压的波形。二极管的正向压降可忽略不计。分析：在二极管正向压降可忽略不计的条件下，5V时，二极管导通，=5V+。当<5V时，二极管截止，=5V。解：与波形如下图所示：习题14.3.2 在题14.3.2图所示的各电路中，E=5V，=（v），二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压的波形。263习题14.3.2图分析：图（a）和图(c)电路中，二极管接在输出回路中，当二极管导通时，=E；当二极管截止时，=。图（b）和图(d)电路中，二极管串接在输入回路中，二极管截止时，=E；二极管导通时，=E+=。解：（a）：为正半周时，当>E，D导通，当<E，D截止。负半周时，D截止。两种情况的等效电路如下图（e）、(f)所示，由图可见，D导通时，=E；D截止时，=。（b）：为正半周时，当>E,D截止，<E，D导通；为负半周时，<E，D导通。两种情况的等效电路如下图（g）、(h)所示，由图可见，D导通时，=，D截止时，=E。 (c)：图(c)与 图（a）电路比较，二极管反接，导通和截止时间刚好相反。(d)：图(d)与 图（b）电路比较，二极管反接，导通和截止时间刚好相反。264习题14.3.3 在题14.3.3图所示的两个电路中，已知=（v），二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压的波形。习题14.3.3图解：此题分析同题14.3.2图，其输出波形如下图所示。265习题14.3.4 在题14.3.4图中，试求下列几种情况下输出端Y的电VY及各元件（R,DA,DB）中通过的电流：（1）VA=VB=0V；（2）VA=+3V,VB=0V;(3)VA=VB=3V。二极管的正向压降忽略不计。解： （1）VA=VB=0V时，DA、DB同时导通，正向压降忽略，VA=VB=VY所以 VY=0V （2）VA=+3V，VB=0V时，DB因正偏压而优先导通，使VY=VB=0V,DA截止，故有： (3)VA=VB=+3V,DA、DB同时导通，VY=VA=VB=3V习题14.3.5 在题14.3.5图中，试求下列几种情况下输出端电位VY及各元件中通过的电流：VA=+10V,VB=0V;VA=+6V,VB=+5.8;VA=VB=+5V。设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大。解：二极管DA优先导通，则假设DA、DB都能导通，由结点电压法得：由此可知，DB管可以导通。266-270DA、DB都可以导通：习题14.3.6 在习题14.3.6图中，E=10V,V。试用波形图表示二极管上的电压uD。 解： 假定可忽略二极管的正向压降。 当时，D导通，D两端电压为0； 当时，D截止，D两端压降为。 信号e和电源E的波形如图（a）所示，二极管D上的电压如图（b）所示：习题14.4.1 在题14.4.1图中，E=20V，R1=900，R2=1100 。稳压二极管DZ的稳定电压uZ=10V，最大稳定电流IZM=8mA。试求稳压二极管中通过的电流IZ是否超过IZM？如果超过，怎么办？ 解 求IZ：设流过R1的电流为I1,流过R2的电流为I2，则I1=I2+IZ。由于 ，即没超过IZM。 如果超过了IZM，说明R1取值太小，可根据确定：即时，就不会超过IZM了。习题14.4.2 有两个稳压二极管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。如果要得到0.5V，3V，6V，9V，和14V几种稳定电压，这两个稳压二极管（还有限流电阻）应该如何连接？画出各个电路图。 解： 要得到0.5V，取任何一个使其正向导通即可。 要得到3V，引出DZ1和DZ2的两端子，即8.5-5.5=3V。要得到6V，使DZ1和DZ2串联，DZ2正向导通，DZ1稳压状态。要得到9V，使DZ1和DZ2串联，DZ2稳压，DZ1正向导通。要得到14V，DZ1和DZ2均处于稳压状态，即5.5+8.5=14V，电路图分别为下图（a）、图（b）、图（c）、图（d）、图（e）。 (a) (b) (c) (d) (e) 习题14.5.1 有两个晶体管分别接在电路中，今测得它们管脚的电位（对“地”）分别如下表所列，试判别管子的三个管脚，并说明是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？ 晶体管管脚123电位/V 4 3.4 9 晶体管管脚 1 2 3电位/V -6 -2.3 -2解： 对于NPN型：集电极电位最高，发射极电位低，Ube>0； 对于PNP型：发射极电位最高，集电极电位最低，Ube<0。 对于锗管：其基极电位与发射极电位相差为0.2V或0.3V； 对于硅管：基极电位与发射极电位大约相差0.6V或0.7V。 由分析可知：晶体管为NPN型硅管，1，2，3管脚分别对应b、e、c极。晶体管为PNP型锗管，1，2，3管脚分别对应b、e、c极。习题14.5.2 某一晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，u(BR)CEO=15V，试问：在下列几种情况下，那种是正常工作？ uCE=3V，IC=10mA；uCE=2V，IC=40mA。uCE=6V，IC=20mA。 解： 只有第种情况下是正常工作的。 第种情况中，IC=40mA，超过了集电极最大允许电流20mA。 低种情况中，实际，超过了集电极最大允许耗散功率100mW，所以、种情况不正常。习题14.5.3 如何用万用表判断一个晶体管是NPN型还是PNP型？如何判断出管子的三个管脚？又如何通过实验来区分是锗管还是硅管？解： 判断基极及类型：将插入万用表“-”插孔的测试笔轮流接任一管脚，而将另一测试笔分别接另外两个管脚，如果两次测得的管脚间的电阻均为低电阻，BE间和BC间的PN结为正向压降，为NPN管，且接万用表“-”插孔的是基极。如果两次测得的管脚间的电阻为高电阻，BE和BC的PN结上为反向电压，为PNP型管，且接万用表“-”插孔的是基极。 判断集电极：对已知的NPN型管和PNP型管分别按如下两种方式连接。 (a)NPN型 (b)PNP型将未知管脚1和2分别接万用表的“+”，“-”插孔（“-”插孔接内电源的正极）。对于NPN型管，若1，2脚间的电阻较低时接“-”孔的为集电极。对于PNP型管，若1，2脚间的电阻较低时接“+”孔的集电极。判断是锗管还是硅管。B、E极间正向压降为0.6-0.7V时为硅管，在0.2-0.3V时为锗管。习题14.5.4 在题14.5.4图所示的各个电路中，试问晶体管处于何种状态？ （a） (b) (c) 习题14.5.4图解： 假设uBE=0.6V，对于图（a）：。故 晶体管处于放大状态。对于图（b）：，。故 处于饱和状态。对于图（c）：由图可知，所以是截止状态。习题14.5.5 题14.5.5图是一自动关灯电路（例如用于走廊或楼道照明）。在晶体管集电极电路接入JZC型直流电磁继电器的线圈KA，线圈的功率和电压分别为0.36W和6V。晶体管9013的电流放大系数为200。当将按钮SB按一下后，继电器的动合触点闭合，40W、220V的照明灯EL点亮，经过一定时间自动熄灭。试说明其工作原理。解： 按下按钮SB后，对C充电，晶体管导通，KA合，灯亮，松开SB后，电容C放电，晶体管继续导通。当放电到C端电压于开启电压时，晶体管截止，KA断开，灯灭。习题14.5.6 题14.5.6图中所示的是一声光报警电路。在正常情况下，B端电位为0V；若前接装置发生故障时，B端电位上升到+5V。试分析，并说明电阻R1和R2起何作用？解： 当前接装置发生故障时，B端电位为5V。则发光二极管导通，同时晶体管T导通，蜂鸣器发出响声，二极管亮，实现报警。 R1和R2分别起限流作用，保护发光二极管和晶体管。278-283（2）性能指标：表15.1 四种差分放大器的性能指标输入方式双端单端输出方式双端单端双端单端差模放大倍数Ad差模输入电阻ri差模输出电阻ro2RCRC2RCRC4互补对称功率放大电路互补对称功率放大电路如图15.7所示。互补对称功率放大电路工作在乙类或甲乙类工作状态。，。其主要性能指标计算如15.2.1节。 图15.715.3典型例题例15.1 西安电子科技大学2004年硕士研究入学考试试题：某放大器如例15.1图（a）所示，输入和输出电阻均为2K，电压放大倍数。若输入接上电源内阻的电压源，输出接上负载电阻，如图（b）所示。试求： (a) (b)解： 由可知该放大器为共基极的放大器，则输出接上负载RL后：故 因在输入端接上的是带内阻的电压源，则： 例15.2 西安电子科技大学2004年硕士研究入学考试试题：某放大电路原理图如例15.2图所示，已知晶体管的,，试回答一下问题：（1）电路正常工作时，若，（2）若电路出现下列三种情况：直流（静态电压），； 时，； 时，比正常输出值大了一倍。试分别说明是什么原因？解： （1）正常工作时则： （2），则断路，没有提供合适的基极电流；此时，由可知，此时电容CE为开路了；此时，可知，则，此时负载RL为开路。15.4练习与思考练习与思考15.2.1 改变RC和UCC对放大电路的直流负载线有什么影响？答： 当UCC不变时，RC增大，直流负载线斜率（绝对值）减小，RC减小，直流负载线斜率（绝对值）增大；当RC不变时，UCC增大，直流负载线向右平行移动，UCC减小，直流负载线向左平行移动。练习与思考15.2.2 分析练习与思考15.2.2图，设UCC和RC为定值，当IB增加时，IC是否成正比的增加？最后接近何值？这时UCE的大小如何？当IB减小时，IC作何变化？最后达到何值？这时UCE约等于多少？答： 当晶体管工作在放大区时，IB增加，IC成比例增加，当IB不断增加，晶体管工作在饱和区，IC最后接近，UCE的值很小，接近于0。IB减小时，IC也减小，最后晶体管进入到截止区，IC接近于0，UCE接近于UCC。练习与思考15.2.3 在教材例15.2.3中，如果（1）RC不是,而是40或0.4，（2）RB不是300,而是3或者30，试分别说明对静态工作点的影响，放大电路能否正常工作？答： RC的改变会导致直流负载线斜率的改变，当RC增大到40时，直流负载斜率（绝对值）减小，而IB未变，故静态工作点将向左移，进入饱和区，放大电路不能正常工作，当RC减小到0.4时，同理静态工作点将右移。RB改变会导致IB的变化，当RB增大到3时，IB减小到4，静态工作点沿静态负载线下移，接近截止区，放大电路不能正常工作，当RB减小到30时，IB增大到400，静态工作点上移，接近饱和区，放大电路不能正常工作。练习与思考15.2.4 在练习与思考15.2.4图所示电路中，如果调节RB使基极电位升高，试问此时IC，UCE以及集电极电位VC将如何变化？答： 调节RB使VB升高，IB也随之升高，导致IC被放大增加，因为,所以IC增大，VCE减小，VC也随之减小。练习与思考15.3.1 区别交流放大电路的静态工作与动态工作；直流通路与交流通路；直流负载线与交流负载线；电压和电流的直流分量与交流分量。答： 静态工作是当放大电路没有输入信号时的工作状态；动态工作是指有输入信号时的工作状态。直流通路是进行静态分析的电路，它是将放大电路中的电容看作开路，电感看作短路后得出的电路。交流通路是进行动态分析的电路，是交流电流流通的路径，它是将放大电路中的直流电源和电容作短路处理后所得电路。由直流通路得出的IC和UCE的关系曲线称直流负载线；由交流通路得出的ic和uce的变化关系曲线称交流负载线。在直流通路中电路的电压和电流的值为直流分量，在交流通路中电压和电流的值为交流分量。练习与思考15.3.2 在练习与思考5.3.2图中，电容C1和C2两端的直流电压和交流电压各等于多少？并说明其上直流电压的极性。答 C1两端的直流电压为UBE，C2两端直流电压为UCE。C1和C2两端的交流电压为ui。直流电压极性如图。练习与思考15.3.3 在上题图中，用直流电压表测得的集电极对“地”电压和负载电阻RL上的电压是否一样？用示波器观察集电极对“地”的交流电压波形和集电极电阻RC及负载RL上的交流电压波形是否一样？分析原因。答： 用直流电压表测得的UCE 和负载电阻RL上的电压不一样，RL上电流为零，电压降也为零。用示波器观察的集电极对地的交流电压波形ube与RL和RC上的交流电压一样，因为RL通过C2并接在晶体管的集电极与“地”之间，而电容C2对交流信号短路。RC对交流信号而言，也是并接在晶体管的集电极与“地”之间。练习与思考15.3.4 晶体管用微变等效电路来代替，条件是什么？答： 条件是：输入信号幅度很小，动态工作点只在一个小范围内摆动。练习与思考15.3.5 电压放大倍数Au是不是与成正比？答： 不是的，随的增大，Au增大的愈来愈少，当足够大时，Au几乎与无关。练习与思考15.3.6 为什么说当一定时通过增大IE来提高电压放大倍数是有限制的？试从IC和rbe两个方面来说明。答： 当IE增大，IC随之增大，致使静态工作点接近饱和区，易导致饱和失真，IE增大，rbe减小，输入电阻，ri随之减小，增加了信号源负担。练习与思考15.3.7 能否增大RC来提高放大电路的电压放大倍数？当RC过大时对放大电路的工作有何影响？设IB不变。答： 适当增大RC使交流负载增大，有利于放大倍数的提高，但当RC过大时静态工作点向饱和区移动，易出现饱和失真。练习与思考15.3.8 rbe，rce，ro是交流电阻还是直流电阻？它们各是什么电阻？在ro中包括不包括负载电阻RL？答： 都是交流电阻。rbe为晶体管输入电阻，rce为晶体管输出电阻，ri是放大电路的输入电阻，ro是放大电路输出电阻。Ro不包括负载电阻RL。练习与思考15.3.9 通常希望放大电路和输入电阻高一些好，还是低一些好？对输出电阻呢？放大电路的带负载能力是指什么？答： 通常希望放大电路的输入电阻高一些，输出电阻低一些。当负载变化时，输出电压变化小，则带负载能力好，输出电压变化和输出电阻ro有关，ro小，放大电路负载能力好。练习与思考15.3.10 在练习与思考15.3.2图所示放大电路在工作时用示波器观察，发现输出波形严重失真，当用直流电压表测量时： 若测得，试分析管子工作在什么状态？怎样调节RB才能使电路正常工作？ 若测得,这时管子又是工作在什么状态？怎样调节RB才能使电路正常工作？答： 晶体管工作在截止区，减小RB的值，电路正常工作。 晶体管工作在饱和区，增大RB的值，电路正常工作。练习与思考15.3.11 发现输出波形失真，是否说明静态工作点一定不合适？答： 不一定，有时是因为输入信号幅值过大而引起的失真，称为大信号失真。练习与思考15.4.1 在放大电路中，静态工作点不稳定对放大电路的工作有何影响？答： 静态工作点不稳定会使放大电路的增益发生改变，严重时会使输出信号超出电路的输出动态范围，造成输出信号的严重失真。练习与思考15.4.2 对分压式偏置电路而言，为什么只要满足和两个条件，静态工作点能得以基本稳定？答： 当，时，基极电位VB与晶体管参数无关，不受温度影响，而仅为RB1和 RB2的分压电路所决定。练习与思考15.4.3 对分压式偏置电路而言，当更换晶体管时，对放大电路的静态值有无影响？试说明之。答： 更换晶体管，对放大电路的静态值无影响。当满足，这两个条件后，从上可知静态工作点与晶体管参数无关。练习与思考15.4.4 在实际中调整分压式偏置电路的静态工作点时，应调节哪个元件的参数比较方便？接上发射极电阻的旁路电容CE后是否影响静态工作点？答： 调节RB1比较方便，因为RB2数值一般比较小，改变RB2对静态工作点影响较大。接上发射极电阻的旁路电容CE对静态工作点无影响，因为在直流通路里CE视作断路，对电路无影响。练习与思考15.5.1 从放大电路的幅频特性上看，高频段和低频段放大倍数的下降主要因为受到了什么影响？答： 低频段放大倍数下降主要受旁路电容的影响，高频段的放大倍数下降主要受极间电容的影响。练习与思考15.5.2 为什么通常要求低频放大电路的通频带要宽些，而在上册讲到串联谐振时又希望通频带要窄一些？答： 低频放大电路通频带宽，这样非正弦型号中各次谐波的频率失真就小，不同频率信号放大倍数也一致，误差就小。而串联谐振电路中通频带越窄，频率选择性愈好，而串联谐振电路主要用于选频电路。练习与思考15.6.1 何谓共集电极电路？如何看出射极输出器是共集电极电路。答： 集电极是输入、输出回路的公共端，这种放大电路称为共集电极电路。射极输出器的交流通路中，VCC 相当于短路，其集电极成为输入、输出电路的公共端，所以射极输出器是共集电极电路。练习与思考15.6.2 射极输出器有何特点？有何用途？答： 射极输出器的特点有：输入电阻高，输出电阻很低，电压放大倍数接近1且为同相放大器。用途有：可用来作多级放大电路的输入级、输出级、缓冲级和隔离级。练习与思考15.6.3 为什么射极输出器又称为射极跟随器，跟随什么？答： 因为输入电压与输出电压大小基本相等，输出信号相位跟输入信号相位相同，所以称为射极跟随器。练习与思考15.7.1 差分放大电路在结构上有何特点？答： 差分放大电路在结构上的特点是电路的对称性。练习与思考15.7.2 什么是共模信号和差模信号？差分放大电路对这两种输入信号是如何区别对待？答：共模信号是指两个输入信号电压大小相等，极性相同，差分放大电路对共模信号抑制，差模信号是指两个输入信号电压大小相等，极性相反，差分放大电路对差模信号有放大作用。练习与思考15.7.3 双端输入双端输出差分放大电路为什么能抑制零点漂移？为什么共模抑制电阻RE能提高抑制零点漂移的效果？是不是RE越大越好？为什么RE不影响差模信号的放大效果？答： 双端输出差分放大电路所以能抑制零点漂移，是由于电路的对称性。RE的主要作用是限制每个管子的漂移范围，进一步减小零点漂移。对零点漂移和共模信号，RE引入电流串联负反馈，抑制零点漂移和共模信号。例如当温度升高使IC1和IC2均增加时，则有如下过程。P284可见，由于RE上电压URE的增高，使每个管子的漂移得到抑制。RE并不是愈大愈好，当UCC一定时，过大的RE会使集电极电流过小，影响静态工作和电压放大倍数。由于差模信号使两管的集电极电流产生异向变化，只要电路的对称性足够好，两管电流一增一减，其变化量相等，通过RE中的电流就近于不变，RE对差模信号不存在负反馈作用。因此，RE不影响差模信号的放大效果。练习与思考15.7.4 在练习与思考15.7.4（a）途中有RB2，而在（b）图中将它去掉，这样是否还能得到偏流？ 答： 在图（b）中没有RB2也可得到偏流，因为采用了正、负双电源供电。练习与思考15.8.1 从放大电路的甲类，甲乙类和乙类三种工作状态分析效率和失真。答： 甲类放大电路：静态工作点大致在交流负载线中点，工作在不失真状态，效率低，最高只能达到50%；甲乙类放大电路：将静态工作点沿负载线下移，工作在截止失真状态，效率较高；乙类放大电路：将静态工作点下移到IC0处，工作在更严重截止失真状态，效率会更高。练习与思考15.8.2 在OTL电路中，为什么CL的电容量必须足够大？答： 为了使输出波形对称，在CL放电过程中，其上电压不能下降过多，因此CL的电容量必须足够大。P285练习与思考15.9.1 场效晶体管和双极型晶体管比较有何特点？答： 双极型晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，因此它的输入电阻较低。而场效应管是电压控制元件，它的输出电流决定于输入端电压的大小，它的输入电阻很高。练习与思考15.9.2 说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：N沟道绝缘栅增强型；N沟道绝缘栅耗尽型；P沟道绝缘栅增强型；P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们正负。耗尽型和增强型区别在哪里？答： 对于增强型绝缘栅场效应管，在一定额漏源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称开启电压UGS(th)。四种场效应管的转移特性曲线和练习与思考15.9.2图（a）、图（b）、图（c）、图（d）。增强型绝缘栅场效应管有开启电压UGS(th)，N沟道增强型开启电压UGS(th)为正，P沟道增强型UGS(th)为负。耗尽型绝缘场效应管有夹断电压UGS(th)，N沟道耗尽型UGS(th)为负，P沟道耗尽型UGS(th)为正。P286增强型场效应管只有当UGSUGS(th) 时才形成导电沟道，耗尽型场效应管具有一个原始导电沟道。练习与思考15.9.3 试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中，靠近漏极的导电沟道较窄，而靠近源极的较宽？答： 导电沟道形成后，在UDS的作用下，漏极电流ID沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，沟道最宽，而漏极一端电压最小，沟道最窄。练习与思考15.9.4 绝缘栅场效应晶体管的栅极为什么不能开路？答： 因为栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很高，极易击穿，所以栅极不能开路，存放时应将各极短路。15.5习题详解习题15.2.1 晶体管放大电路如题15.2.1(a)图所示，已知UCC=12V,RC=3k，RB=240 k，晶体管的=40。试用直流通路估算各静态值IB，IC，UCE；如晶体管的输出特性如题图15.2.1(b)所示，试用图解法作放大电路的静态工作点；在静态时(ui = 0)C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。P287解： 估算静态值： ，做直流负载线L，求静态工作点Q：在题15.2.1(b)图中，连接点(UCC,0)、(0,UCC/RC)，即点(12V,0)、(0,4mA)得L，L与特性曲线的交点Q（6V,2mA）即为静态工作点。C1、C2的极性如题图15.2.1（c）所示，静态时，UC1=UBE=0.6V 习题15.2