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1、退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 第第1414章章 二极管和晶体管二极管和晶体管 14.6 光电器件 享 线 钱 豺 恰 仍 幻 志 涸 汀 池 涕 事 苫 蟹 挚 避 仲 贰 拧 讽 岛 仆 钢 蒜 焊 诫 淮 尝 胺 年 猜 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 理解PN结的单向导电性;了解二极管、稳压二 极管和晶体管的基本构造、工作原理和主要特性曲 线,理解主要参数的意
2、义;理解晶体管的电流分配 和放大作用。 PN结的单向导电性,半导体三极管电流分配和 放大作用。 奔 霓 磕 垂 版 鸦 率 烦 鼎 乾 帚 追 介 谋 熬 闷 侮 富 终 房 洽 冠 症 无 徐 程 辐 坷 几 价 淫 横 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 半导体三极管电流分配和放大作用,工作原理和 主要特性曲线。 讲课4学时,习题1学时。 彼 诲 潍 边 兴 搭 茬 簇 露 厢 弊 纵 祭 尿 船 上 廓 促 澡 捻 呛 蝴 粤 饥 置 贪 洼 阉 纶 郎 前 培 第 1 4 章 二 极 管 和
3、 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 掺杂性:在纯净的半导体中掺入微量杂质,半导体的 导电能力增加几十万乃至几百万倍(据此可做成各种 不同用途的半导体器件,如二极管、晶体管等)。 光敏性:当受到光照时,半导体的导电能力显著增强 (据此可做成各种光敏元件,如光敏二极管等)。 热敏性:当环境温度增高时,半导体的导电能力显著 增强(据此可做成各种热敏元件,如热敏电阻等)。 14.1 14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 半导体的导电特性 谷 胚 个 官 夜 批 旅 豢 梆 境 梗 割 眶 咒 拐 凛 握 居 猫 刘 俏 趋 可 淫
4、 筑 龋 痞 碌 糕 嚎 招 揪 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征 半导体。 共价健 硅原子 价电子 共价键:每一原 子的一个价电子 与另一原子的一 个价电子组成一 个电子对。 14.1 半导体的导电特性 硅单晶中的共价健结构 Si Si Si Si 婿 扶 扮 养 捞 孺 良 聋 阿 畏 秩 测 朝 疥 蝎 支 岛 赐 国 粘 哆 色 铃 西 壕 鉴 瞳 酒 严 叙 隶 导 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1
5、4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 价电子获得一定能量(温度 增高或受光照)后,即可挣脱原 子核的束缚(电子受到激发), 成为自由电子。 本征半导体的导电机理 空 穴 自由电子 此时,共价键中就留下一 个空位,称为空穴。中性的原 子被破坏而显出带正电。 14.1 半导体的导电特性 空穴和自由电子的形成 Si Si Si Si 温度愈高,晶体中产生的 自由电子便愈多。 脑 缺 符 艇 痴 郴 销 好 壳 南 校 饥 糟 涉 氮 汐 爬 若 促 徒 欠 巡 报 若 顾 垄 嫩 猛 关 和 烬 拯 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章
6、 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 在外电场的作用下,有空 穴的原子吸引相邻原子中的价 电子来填补这个空穴,同时失 去一个价电子的相邻原子的共 价键中出现另一个空穴。 14.1 半导体的导电特性 空 穴 自由电子 空穴和自由电子的形成 Si Si Si Si 如此继续下去,就好象空 穴在运动,其方向与价电子运 动的方向相反,因此空穴运动 相当于正电荷的运动。 仿 鹅 娶 淘 硷 颐 唐 疚 揣 胯 施 爆 黄 脓 崖 俐 抹 汇 臣 丘 怕 少 膳 听 蜕 哉 娟 豹 饯 某 幂 帖 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管
7、和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 当半导体两端加上外电压时,半导体中将出现两 部分电流: 自由电子作定向运动形成的电子电流; 仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的空 穴电流。 统称为载流子 自由电子 空穴 14.1 半导体的导电特性 半导体和金属在导电原理上的本质差别:在半导 体中,同时存在着电子导电和空穴导电。 雄 利 裳 抒 厅 宠 迹 吸 毙 隅 劳 烷 恨 稻 鲸 股 拓 痘 樟 克 烃 灵 脓 端 焉 咯 弘 嚎 臆 她 柯 据 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主
8、页 温度愈高,载流子数目愈多,半导体的导电性 能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大 。 本征半导体中的载流子数量极少,导电能力仍 然很低。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现, 同时又不断复合。 在一定的温度下,载流子的产生和复合达到动态 平衡,于是半导体中的载流子便维持一定的数目。 注意 14.1 半导体的导电特性 消 吞 矫 闺 识 灾 翻 纂 崇 尼 设 趋 循 室 焦 仲 简 困 疆 膨 膏 郊 眺 哗 壬 孔 梅 剑 绢 却 啼 虑 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14
9、.1.2 N型半导体和P型半导体 掺杂后的自由电子数目大量增 加,自由电子导电成为这种半导体 的主要导电方式,称为电子半导体 或N型半导体。 在单晶硅中掺入微量磷 失去一个电子 变为正磷离子 在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形 成杂质半导体,其导电性能大大增强。 在N型半导体中自由电子是多 数载流子,空穴是少数载流子。 14.1 半导体的导电特性 Si Si Si Si P 多余电子 P+ 常温下即可变为自由电子 壕 航 亡 铭 份 蔓 兰 各 阎 增 优 揣 拍 搜 爬 断 给 逼 数 俱 杖 款 闻 权 肉 粳 性 篷 凡 下 庚 礼 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管
10、第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 N型半导体和P型半导体都是中性的,对外不显电性 。 14.1 半导体的导电特性 掺杂后的空穴数目大量增加, 空穴导电成为这种半导体的主要导 电方式,称为空穴半导体或 P型半 导体。 在单晶硅中掺入微量硼 获得一个电子 变为负硼离子 在 P型半导体中空穴是多数载 流子,自由电子是少数载流子。 Si Si Si Si 多余空位 吸引相邻原子中的价电子填 补它,则相邻原子出现空穴 B B - 谬 臀 红 吼 复 痔 凹 划 污 语 证 肃 啦 肝 浮 您 耙 诫 森 秧 烈 再 千 氧 虞 亲 池 邮 户 厂 情
11、 纱 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.2 14.2 PNPN结及其单向导电性结及其单向导电性 14.2.1 PN结的形成 PN结 PN 在一块N型(P型)半导体的局部再掺入浓度较大 的三价(五价)杂质,使其变为P型(N型)半导体。 在P型半导体和N型半导体的 交界面就形成一个特殊的薄层, 称为PN结。 耍 挛 招 密 烯 渴 穿 忱 骄 侵 厉 仪 甚 米 茶 膏 愉 栽 嚷 漳 蝶 晓 杆 酱 昼 突 定 详 顶 谣 蚌 扦 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二
12、 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.2 PN结及其单向导电性 I R PN 14.2.2 PN结的单向导电性 I0 R PN P区的多子空穴和N区 的多子自由电子通过PN结 进入对方,形成较大的正 向电流,PN结导通。 P区的少子自由电子和 N区的少子空穴通过PN结 进入对方,形成极小的反 向电流,PN结截止。 正向导通,反向截止 毅 魄 吩 厅 镜 浪 凋 繁 萍 冉 兵 撵 袁 恐 孽 痉 跨 敌 喻 叭 辩 扎 世 杉 亦 洛 缓 谤 疯 忙 动 绿 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一
13、页上一页章目录总目录制作群主 页 14.3 14.3 二极管二极管 14.3.1 基本结构 点接触型(一般为锗管 ) 面接触型(一般为硅管) 结面积小、结电容小、 正向电流小,适用于高频和 小功率工作,也用作数字电 路中的开关元件。 结面积大、结电容大、 正向电流大,适用于低频整 流电路。 阳极引线 外壳 触丝 N型锗片 阴极引线 N型硅 阳极引线 阴极引线 PN结 金锑合金 底座 铝合金小球 冶 材 歪 晦 撼 换 罢 地 陋 填 淋 摘 尾 棘 聋 后 惶 澄 汉 虐 宽 陋 奏 蛰 弱 钎 凛 钡 果 日 堪 妇 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和
14、 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.3 二极管 平面型 用于大功率整流管和数 字电路中的开关管。 P型硅 N型硅 阳极引线 阴极引线 SiO2保护层 阳极阴极 D 符号 整流二极管 稳压二极管 开关二极管 展 呸 刽 爸 桓 虚 焉 挣 间 屹 列 尤 痛 汗 爸 蔡 趣 痒 风 浚 艇 贤 哺 闯 夜 喳 廖 紊 开 预 社 陪 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 反向击穿特性 14.3.2 伏安特性 硅管0.5V 锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加
15、正向电压只有大于死区 电压,二极管才能导通。 外加电 压大于反向 击穿电压, 二极管被击 穿,失去单 向导电性。 正向特性 反向饱和特性 硅0.60.8V 锗0.20.3V 死区电压(开启电压) 14.3 二极管 D + - D + - U/V I/mA O 外加正向电压很 低时正向电流极小。 反向饱和电流在一定电 压范围内几乎与反向电压的 高低无关,其大小基本恒定。 郧 罢 逻 即 圃 邻 佛 搐 哼 挠 镜 鳞 馏 杭 绳 系 犬 坟 堂 氟 婆 敏 盖 迸 邑 汇 枢 这 帜 醋 溃 普 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页
16、上一页章目录总目录制作群主 页 14.3.3 主要参数 最大整流电流 IOM 反向工作峰值电压URWM 反向峰值电流IRM 二极管长时间使用时,允许流过二极管的最大正 向平均电流。 它是保证二极管不被击穿,其值一般是反向击穿 电压的一半或三分之二。 它是指在二极管上加反向工作峰值电压时的反向 电流值。反向电流受温度的影响大,其值愈小愈好。 14.3 二极管 味 挨 室 紧 谜 铸 淘 愧 羊 力 台 气 肝 瓤 冠 旁 样 迭 俊 汤 浩 躬 铁 灼 知 驮 窍 亦 施 巡 浴 沈 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录
17、总目录制作群主 页 分析方法:将二极管断开。 若 V阳 V阴,则二极管导通; 若 V阳 VB,所以 DA优先导通。 解: 14.3 二极管 若考虑二极管的正向压降(设为0.3V), 则VY = +2.7V,显然DA导通后,DB上加的是 反向电压,因而DB截止。 在这里,DA起钳位作用,把Y端的电位钳住在 +2.7V;DB起隔离作用,把输入端B和Y隔离开来。 嗽 判 均 陆 佛 庶 峭 稍 嫂 临 毅 裙 晶 悬 磨 勘 龟 袭 翱 痒 得 烹 眩 馈 樊 饯 姚 吸 蘸 稻 滴 犀 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录
18、总目录制作群主 页 解: 例3:如图,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输 出电压uo的波形。 + - + - O 5 uo t ui 10 14.3 二极管 将二极管D断开,则其阳极电 位为ui,阴极电位为+5V。 若ui5V,则二极管导通,此 时uo= ui 。 若ui VB VE 14.5.2 电流分配和放大原理 外部条件 PNP型晶体管:VC VB VE 内部条件 基区很薄,掺杂浓度很低; 发射区掺杂浓度很高; 集电区结面积大。 14.5 晶体管 东 益 冷 驹 撮 酬 哩 闭 柿 猴 耍 初 纳 探 勿 呆 皋 剩 矽 蒂 传 限 乐 阐 擎 沮 娘 廉 柄 更 哎 瞎 第 1 4
19、章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 扩散到基区的自由 电子多数扩散到集电结 。 扩散到基区的自由 电子极少数与基区的空 穴复合。 基区中受激发的价 电子不断被电源(基区 接电源正极)拉走,这 相当于不断补充基区中 被复合掉的空穴,形成 电流IBE 。 集电极电流IC ICE 从发射区扩散到 基区并到达集电结边 缘的自由电子被拉入 集电区形成电流ICE 。 集电结反偏,少 子形成反向电流ICBO 。 基极电流IBIBE 基区向发射区扩 散空穴(多数载流子) 极少,可忽略。 形成发射极电流IE 发射结正偏,发 射区
20、向基区扩散自由 电子(多数载流子)。 IE IB IBE B E C N N P EB RB EC ICE ICBO IC 载流子在晶体管内部的运动规律 14.5 晶体管 绥 册 械 赶 钡 选 唆 效 绰 档 运 榆 喷 窗 肘 沤 忽 还 毁 狮 氦 漱 招 搂 颂 丽 赵 阜 疑 胆 触 帕 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 晶体管各极电流关系 (动态电流放大系数) 14.5 晶体管 IB/mA IC/mA IE/mA 00.020.040.060.080.10 0.0010.701.502
21、.303.103.95 0.0010.721.542.363.184.05 晶体管电流测量数据 结论: (静态电流放大系数) 当IB = 0(即基极开路)时,IC = ICEO。 食 脐 痢 香 膏 讨 股 鸣 挎 蹋 眯 久 剐 组 摊 千 窖 壮 缀 咆 者 筐 打 再 禄 腔 界 席 汛 坯 褒 拽 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 用来表示晶体管各极电压和电流之间的相互关 系,它反映出晶体管的性能,是分析放大电路的重 要依据。 以最常用的共 发射极接法时的实 验线路分析晶体管 的输入特性曲
22、线和 输出特性曲线。 14.5.3 特性曲线 14.5 晶体管 测绘晶体管特性曲线的实验线路 + - + UBE IB EB UCE EC 3DG100 - IC IE RB mA mA V V B E C 侈 瑰 良 蜘 帆 愁 匆 好 瞧 舅 平 特 惋 侩 哇 屈 丝 翁 杀 侗 叫 扯 竖 苯 詹 稼 捎 拈 蛰 字 辕 咀 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 输入特性曲线 14.5 晶体管 IB/A UBE/V 20 40 60 80 0.40.8 UCE1V O 正常工作下的发射结电压:
23、 NPN型硅管:UBE = 0.6V0.7V PNP型锗管:UBE=-0.2V-0.3V 死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。 对硅管而言,当UCE1V时集 电结已反向偏置,而基区又很薄 ,可把从发射区扩散到基区的电 子中的绝大部分拉入集电区。 此后,UCE对IB就不再有明显的 影响。 奴 惦 坞 蜕 贡 触 感 躁 惜 言 稽 疆 旋 毗 氛 喊 堆 酥 懈 女 迈 舅 劳 粕 偷 酗 检 徽 牺 族 烘 灌 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 饱和区 20A 36 IC/mA 1 2 3 4
24、UCE/V912 O 2.3 1.5 IB=0 40A 60A 80A 100A Q1 Q2 放 大 区 放大区(线性区) 输出特性曲线 e结正偏、c结反偏。 截止区 14.5 晶体管 ,IC近似恒定。 截止区 IB=0的曲线以下的区域。 IC0,发射极与集电极之 间如同一个开关的断开。 e结与c结均反偏。 扎 鱼 辛 钟 赔 称 若 屠 联 蝴 稳 伊 弓 享 洪 愉 赦 盘 秋 扰 构 稼 挑 拄 恨 桨 没 韵 吃 绵 漂 洪 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 饱和区 14.5 晶体管 饱和
25、区 20A 36 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V912 O 2.3 1.5 IB=0 40A 60A 80A 100A Q1 Q2 放 大 区 截止区 e结与c结均正偏。 UCE0,发射极与集电 极之间如同一个开关的接 通。 UCE UBE , 。 可见,晶体管工作在 放大状态,具有放大作用 ;工作在饱和状态或截止 状态,具有开关作用。 心 亡 胶 钨 皿 滔 锤 闪 扶 期 龄 姑 膝 荆 菌 穴 仔 侠 单 琵 渔 速 迫 筐 原 幂 绒 姜 的 唇 藻 褂 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群
26、主 页 静态电流(直流)放大系数: 动态电流(交流)放大系数: 当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入 信号)时,有 14.5.4 主要参数 14.5 晶体管 晶体管的参数可以表示晶体管的特性,也是设计 电路、选用晶体管的依据。 电流放大系数 , 在动态(有输入信号)时,有 避 淖 陆 腑 局 提 避 忻 恃 炊 虏 美 丰 疯 远 舶 漠 器 噪 口 悦 唬 辙 惭 畦 膳 散 绸 栋 块 此 腑 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.5 晶体管 常用晶体管的 值在20 200之间 20A
27、 36 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V912 O 2.3 1.5 IB=0 40A 60A 80A 100A Q1 Q2 例:如图给出3DG100晶体管的输出特性曲线,计算 Q1点处的 ;由Q1和Q2两点,计算 。 解: 和 的含义不同,但 在输出特性曲线近于平行等 距且ICEO较小的情况下,两 者数值较为接近( )。 嗽 烷 怯 闲 衰 烛 硝 摔 氦 孟 痕 句 苔 狂 仑 值 木 计 吴 茂 索 阁 橇 聋 瞳 效 皮 拨 罚 灿 调 暴 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 集-基极反
28、向截止电流 ICBO 集-射极反向截止电流ICEO (又称穿透电流) ICBO是当发射极开路时由于集电结处于反偏,集 电区和基区中的少数载流子向对方运动所形成的电流 。它受温度的影响大,其值越小越好。 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时,晶体管的 值下降 到正常数值的三分之二时的集电极电流。 14.5 晶体管 ICEO是当基极开路、集电结处于反偏和发射结处 于正偏时的集电极电流,其值越小越好。 谜 肤 臭 麦 滴 哗 运 涝 揉 钒 青 畔 测 午 累 猛 懂 拍 卤 玲 艰 寒 烃 浙 物 邓 氦 蓬 扁 心 淬 滦 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1
29、 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允 许电压。 当UCEU(BR)CEO时,ICEO突然大幅度上升,说明 晶体管已被击穿。 集电极最大允许耗散功耗PCM 当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值 时,集电极所消耗的最大功率,它主要受结温Tj的限 制。 PCM =IC UCE 14.5 晶体管 钻 臻 裕 呈 剐 绎 琅 惜 挺 自 氓 脯 茹 疥 睛 瀑 艰 掉 膊 湘 毋 搁 枫 儡 早 搔 腆 冰 身 洞 思 潮 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1
30、 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 以上所讨论的几个参数中: 和 ICBO(ICEO)是表明晶体管优劣的主要指标; ICM ,U(BR)CEO和PCM都是极限参数,用来说明晶 体管的使用限制。 14.5 晶体管 IC UCEO ICM ICEO U(BR)CEO PCM 安全工作区 晶 体 管 的 安 全 工 作 区 由ICM, U(BR)CEO, PCM 三者共 同确定晶体 管的安全工 作区。 哭 虹 钓 狠 厌 瑶 竿 奎 酮 茂 疲 颖 消 匿 见 膳 滔 袒 炸 讥 辩 之 泊 没 折 乍 溃 睹 唯 直 坑 津 第 1 4 章 二 极 管
31、 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.6 14.6 光电器件光电器件 14.6.1 发光二极管 当在发光二极管(LED)上加正向电压并有足够大 的正向电流时,就能发出清晰的光。这是由于电子与 空穴复合而释放能量的结果。 符号 光的颜色视做成PN结的材料和发光的波长而定, 而波长与材料的浓度有关。 发光二极管的工作电压为1.53V, 工作电流为几毫安到十几毫安,寿命很 长,一般作显示用。 虫 疚 腔 恢 瓶 新 牢 绰 壬 戳 硝 赏 垢 规 声 拌 蝇 像 柞 刻 逊 母 逛 梳 凿 凿 锈 疾 瞅 估 灿 折 第 1
32、4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.6 光电器件 14.6.2 光电二极管 光电二极管是利用PN结的光敏特性,将接收到的 光的变化转换为电流的变化。 光电二极管是在反向电压作用下工作的。 当无光照时,和普通二极管一样,其反向电流很 小,称为暗电流。 当有光照时,产生的反向电流称为光电流。 照度E愈强,光电流也愈大。 光电流很小,一般只有几十微安, 应用时须进行放大。 符号 苟 貉 搂 坏 疟 歧 申 唉 笑 凝 货 枪 忽 锄 憎 冬 驾 怔 暮 乖 裂 仔 抿 拷 黄 荷 忘 汤 升 涸 拙 稼 第
33、 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 14.6.3 光电晶体管 14.6 光电器件 普通晶体管是用基极电流IB的大小来控制集电极 电流。 光电晶体管是用入射光照度E的强弱来控制集电 极电流。 因此两者的输出特性曲线相似,只是用E代替IB。 当无光照时,集电极电流ICEO很小,称 为暗电流。 当有光照时的集电极电流称为光电流。 光电流一般为零点几毫安到几个毫安 。 符号 C E 讥 没 斯 具 草 脑 颗 阂 怯 仰 凹 植 汹 维 踏 兰 惑 詹 鼓 稗 竟 拾 疯 香 儒 脱 蹋 龋 臣 篓 梅 症 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 退 出下一页上一页章目录总目录制作群主 页 本章作业本章作业 P28 14.3.2(画波形) P29 14.3.5(电位) 14.4.2(稳压管) P30 14.5.1(三极管) 毒 疏 轰 杰 硕 究 戊 毒 磐 漠 铀 评 蹲 攀 龙 雁 病 矢 蝉 深 霍 躬 粘 焉 占 侩 絮 搞 屠 青 孵 锋 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管 第 1 4 章 二 极 管 和 晶 体 管
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