北工大耿丹电子技术复习,必考题ppt.ppt
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1、2/20/2019,1,1. 在杂质半导体中多子的数量与 (a.掺杂浓度,b.温度)有关。,2. 在杂质半导体中少子的数量与 (a.掺杂浓度,b.温度)有关。,3. 当温度升高时,少子的数量 (a.减少, b 不变,c 。增多)。,a,b,c,4. 在外加电压的作用下, P 型半导体中的电流 主要是 , N 型半导体中的电流主要 。 (a电子电流,b.空穴电流)。,b,a,返回,14.2.2 PN结的单向导电性,PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P 区加正、N 区加负电压。,PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是: P区加负、N 区加正电压。,2019/2/20,3,两个二极管的阴
2、极接在一起 取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。,V1阳 =6 V , V2阳=0 V , V1阴 =V2阴= 12 V UD1 = 6V,UD2 = 12V UD2UD1 D2 优先导通, D1 截止。 若忽略管压降,二极管可看作短路, UAB=0 V,例 3:,D1 承受反向电压为 6 V,流过 D2 的电流为,求: UAB,D2 起钳位作用, D1 起隔离作用。,B,D1,6V,12V,3k,A,D2,UAB,+,返回,2019/2/20,4,在图14.07中, E = 20 V,R1 = 900,R2 = 1100。稳压二极管Dz的稳定电压Uz = 10 V,最
3、大稳定电流IZM = 8 mA。试求稳压二极管中通过的电流Iz,是否超过IZM? 如果超过怎么办?,P29 14.4.1,例 5:,求IZ:设流过R1的电流为I1,流过R2的电流为I2, 则I1=I2+IZ。由于,即没超过IZM。,如果超过了IZM,说明R1取值太小,可根据,确定:,即,时,就不会超过IZM了。,要求:当输入电压由正常值发生20%波动时,负载电压基本不变。,稳压二极管的应用举例,解:令输入电压达到上限时,流过稳压管的电流为Izmax 。,求:电阻R和输入电压 ui 的正常值。,方程1,例 6 :,令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。,方程 2,联立方程1、2,
4、可解得:,方程1,2019/2/20,8,14.5.1 基本结构,返回,2019/2/20,9,晶体管电流测量数据,结论:,(1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC IB , IC IE (3) IC IB,基极电流的微小变化能够引起集电极电流 较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。,实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化。,2019/2/20,10,(a)NPN 型晶体管;,电流方向和发射结与集电结的极性,(4)要使晶体管起放大作用,发射结必须正向 偏置,集电结必须反向偏置。,(b)PNP 型晶体管,返回,2019/2/20,11,在图14.08所示
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