1模拟电路(培训资料).ppt
《1模拟电路(培训资料).ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《1模拟电路(培训资料).ppt(24页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、电子基础,腿踏实地;异想天开.,兢兢业业,踏踏实实!,学会发现问题,面对问题,了解问题,解决问题。,1、半导体和PN结,根据物体导电能力(电阻率)的不同,来区分导体、绝缘体和半导体; 导 体:电阻率小于104次方,比如金Au、银Ag、铜Cu、铁Fe等 绝缘体:电阻率大于109次方,比如玻璃、橡胶、塑料等 半导体:介于两者之间,比如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等是良好的导体; (电阻率:是衡量物质导电性能好坏的一个物理量,以字母表示;单位为欧姆*毫米平方/米。R= *L/S) 半导体特性: 1、热敏性 2、光敏性 3、掺杂性,概念: 1、本征半导体、杂质半导体; 2、多数载流子、少数载流子;
2、3、N型半导体(掺杂5价磷P元素)、P型半导体(掺杂3价硼B元素);,PN结形成原理: 浓度差多子扩散掺杂 离子形成空间电荷区内电场 阻止多子扩散,促使少子漂 移动态平衡,所以PN实际是 电荷区,又叫耗尽层 特点: 1、单向导电性 2、光热敏,V/I曲线:导通、击穿、结电容,2、半导体二极管,1、点接触型 PN结面积小,结电容小,适合检波、变频等高频电路,结构:,2、面接触型 PN结面积大,适合工频大电流整流电路;,3、平面型 PN结面积可大可小,用于集成电路制造工艺中,多用于开关和高频整流电路;,伏安曲线:,半导体二极管实物图,特性参数: 1、最大整流电流Rf; 2、反向击穿电压VBR和反向
3、电流Ir/反相饱和电流Is; 3、导通电压Vf,或正向压降。一般硅管0.7V,锗管0.2V; 4、极间电容或最高工作频率;,3、特殊半导体二极管,2、变容二极管 3、光电子器件(光电二极管、发光二极管LED、激光二极管等),1、稳压二极管 A:稳压原理,稳压原理: 利用二极管反向特性实现稳压。稳压状态,二极管工作在反向击穿区,同时说明电击穿是可逆的(齐纳击穿、雪崩击穿),而热击穿是不可逆的。,B:特性参数 1、稳定电压Vz。 2、动态电阻Rz=Vz/Iz 3、最大耗散功率PzmVzIz 4、最大稳定工作电流Izmax和最小稳定 工作电流Izmin 5、稳定电压的温度系数,C:典型应用电路和参数
4、设计 稳压条件:满足下列不等式,并注意功耗不能超过Pzm,需要设计一个6V的稳压电路, 已知:Vi12V,Vz=6V,Imax20mA, Imin2mA问:R=?合适,4、二极管在整流电路中的应用,半波整流电路:,全波整流电路:,桥式整流电路:,5、思考题,练习1: 1、请分析右图的D1,D2导通情况 2、VA输出电压是多少?假设二极管导通管压降为0.7V,练习2: 请分析右图电路的工作原理,假设U1=220V,变压器匝比50:1,Uo?,6、半导体三极管的工作原理,1、实物和内部结构,2、工作条件和电流分配,发射区高掺杂,集电区低掺杂,面积大,基区很薄,最低掺杂。,放大条件: 发射结正偏 集
5、电结反偏,7、三极管的输入输出特性曲线,8、三极管的主要参数,9、三极管电路分析图解法,饱和失真 截止失真,10、三极管小信号等效电路,1、H参数小信号模型 目的:简化分析,使 非线型简化为线性分 析,等效成流控电流 源。 使用范围:小信号。,11、三极管放大电路的主要技术参数,1、放大倍数或放大增益 反映放大电路在输入信号控制下,把 供电电源能量转化为输出信号能量的 能力。 放大倍数:Av=Vo/Vi 放大倍数:Avo=Vo/Vi(负载开路) 放大增益:Av20Lg (Vo/Vi) dB 问:放大0倍 和0dB,那个大? 2、输入电阻 RiVi/Ii 3、输出电阻 RoVt/It Vs0的时
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电路 培训资料
链接地址:https://www.31doc.com/p-2133595.html