模电课件2.2PN结的形成及特点.ppt
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1、2.2 PN结,2.2.1 PN结的形成,2.2.2 PN结的单向导电性,2.2.3 PN结的电容效应,2.2.1 PN结的形成,在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:,因浓度差 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区, 空间电荷区形成内电场, 内电场促使少子漂移, 内电场阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面, 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。在空间电 荷区,由于缺少 多子,所以也称 耗尽层。,PN 结形成 的过程可参阅图2.6。,2.2
2、.2 PN结的单向导电性,如果外加电压使PN结中: P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;,PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区流到N区, PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻性,电流小。,P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压, 简称反偏。,(1) PN结加正向电压时的导电情况,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。,PN结加正向电压时的导电情况如图2.7所示。,(动画2-4),图2.7 PN结加正向电压 时的
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- 课件 2.2 PN 形成 特点
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