第五部分存储器原理与接口教学课件.ppt
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1、第五章 存储器原理与接口,存储器分类 存储器结构 8086CPU最小模式下总线产生 存储器接口,5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器,半导体存储器按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM(Read-Only Memory) 串行访问存储器(Serial Access Storage),按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器,二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM,二、半导体存储器的分类 1、随机存取
2、存储器RAM a. 静态RAM (ECL,TTL,MOS) b. 动态RAM,2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E2PROM等,可编程的PROM,绝缘层,浮动栅雪崩注入式MOS管,可用紫外线擦除、可编程的EPROM,编程 使栅极带电 擦除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 当一定光强的紫外线透过窗口照射时,所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉,使浮栅恢复初态。 一般照射2030分钟后,读出各单元的内容均为FFH,说明EPROM中内容已被擦除。,浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Fl
3、oating gate Tunnel Oxide):浮栅与漏区间的氧化物层极薄(20纳米以下),称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。,当隧道区的等效电容极小时,加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道区,有利于隧道区导通。,擦除和写入均利用隧道效应,10ms,可用电擦除、可编程的E2PROM,分 类,掩模ROM,可编程ROM(PROM),可擦除可编程ROM(EPROM),随机存储器RAM,静态存储器SRAM,动态存储器DRAM,按功能,(Read- Only Memory),(Random Access Memory),(Programmable ROM),(Erasab
4、le PROM),UVEPROM,EEPROM,只读存储器ROM,Flash Memory,(Ultra-Violet),(Electrically),电可擦除,紫外线擦除,(Static RAM),快闪存储器,(Dynamic RAM),只能读出不能写入,断电不失,还可以按制造工艺分为双极型和MOS型两种。,主要指标:存储容量、存取速度。,存储容量:用字数位数表示,也可只用位数表示。如,某动态存储器的容量为109位/片。,三、 多层存储结构概念 1、核心是解决容量、速度、价格间的矛盾,建立起多层存储结构。 一个金字塔结构的多层存储体系 充分体现出容量和速度关系,2、 多层存储结构 寄存器 C
5、ache(高速缓存) 内存(主存) 磁盘 磁道、光盘,(主存),辅存,Cache主存层次 : 解决CPU与主存的速度上的差距 ; 主存辅存层次 : 解决存储的大容量要求和低成本之间的矛盾 。,5.2、 主存储器结构 一、 主存储器的主要技术指标 存储容量 存取速度 可靠性 功耗,1、容量存储容量 存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量(寻址空间,由CPU的地址线决定) 实际存储容量:在计算机系统中具体配置了多少内存。,2、存取速度 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间,又称为读写周期。 SDRAM: 12ns 10ns 8ns RDRAM: 1ns 0.625ns,3、可
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