飞思卡尔8位单片机MC9S8Flash存储器的在线编程ppt课件.ppt
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1、第十一章 Flash存储器的在线编程,主要内容 Flash存储器概述与编程模式 MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法 GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 GP32单片机Flash在线编程C语言实例 HCS08系列单片机Flash编程方法,嵌入式应用技术基础教程课件,11.1 Flash存储器概述与编程模式,11.1 Flash 存储器概述与编程模式,11.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式 (1)Flash存储器的基本特点 固有不挥发性 易更新性 成本低、密度高、可靠性好 (2)Flash存储器的两种编程模式 监控模式(Monitor Mode)或写入器
2、模式 用户模式(User Mode)或在线编程模式,嵌入式应用技术基础教程课件,11.1 Flash存储器概述与编程模式,(1)M68HC08系列单片机Flash存储器的特点 第一,编程速度快及可靠性高。 第二,单一电源电压供电。 第三,支持在线编程。,嵌入式应用技术基础教程课件,11.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器的特点 与编程模式,11.1 Flash存储器概述与编程模式,嵌入式应用技术基础教程课件,M68HC908系列单片机中绝大多数型号在其内部带有监控ROM,其地址和大小取决于芯片型号。 Flash存储器工作于监控模式的条件是: 复位向量($FFFE$FFFF)内容为
3、“空”($FFFF)。 单片机复位时在IRQ引脚上加上高电压(1.42Vdd),并给某些I/O脚置适当值(与芯片型号有关,设计时,参考芯片手册)。 M68HC908系列单片机的Flash存储器工作于用户模式不需要特别的条件,在单片机正常工作的过程中,程序可以随时转入对Flash存储器进行编程操作。这种情况下对Flash存储器的擦除与写入,不需要用户提供其它外部硬件条件。,(2)M68HC08系列单片机Flash存储器的编程模式,返回,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,11.2 MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法,11.2.1 Flash存储器编程的基本概念 (
4、1)对Flash编程的两种基本操作:擦除(Erase)和写入(Program) 擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的0变成1, 写入操作的含义是将存储单元的内容由二进制的1变成0。 擦除及写入操作都是通过设置或清除Flash存储器的控制寄存器(FLCR)中的某个或某些位来完成的。,嵌入式应用技术基础教程课件,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,页和行的大小(字节数)随整个Flash存储器的大小变化而变化,但页的大小始终为行的两倍。例如MC68HC908GP32内含32K的Flash存储器(地址为$8000$FDFF),每页的大小为128字节,每行的大小为64字节;而MC68HC
5、908JL3片内Flash存储器仅有4K,每页和每行的大小也分别变为64字节和32字节。 (3)Flash的整体擦除和页擦除 对于GP32单片机来说,对Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页(128字节)。也就是说,不能仅擦除某一字节或一次擦除小于128字节。注意这一特点,在数据安排时尤为重要。GP32单片机的写入操作以行(64字节)为基础,一次连续写入数据个数只能在一行之内。当然,不经过擦除的区域,不能进行写入,这一点需特别注意。,嵌入式应用技术基础教程课件,(2)Flash片内单位:页(Page)和行(Row),11.2 GP32 Flash存储器编程
6、方法,(1)Flash控制寄存器(Flash Control Register FLCR) FLCR的地址:$FE08,定义为:,11.2.2 Flash存储器的编程寄存器,D7D4位:未定义。 D3 HVEN位:高压允许位(High-Voltage Enable Bit)。 D2 MASS位:整体擦除控制位(Mass Erase Control Bit)。 D1 ERASE位:擦除控制位(Erase Control Bit)。 D0 PGM位:编程(写入)控制位(Program Control Bit)。,嵌入式应用技术基础教程课件,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,FLBPR的
7、地址:$FF7E,它的内容为Flash保护区域的起始地址的147位,保护区域的起始地址的最高位始终为1,而保护区域的起始地址的低7位(位60)始终为0。对FLBPR写入,可以设定被保护的Flash区域,它本身也是一个Flash字节。当Flash处于保护状态时,擦除和写入操作都是受限制的,HVEN将无法被正常置起。Flash块保护寄存器设定的只是保护区域的起始地址,保护区域的结束地址始终为Flash存储区的结束地址($FFFF)。例如,设定FLBPR的值为$02(%0000 0010),则保护区域为$8100$FFFF(%1000 0001 0000 0000 %1111 1111 1111 1
8、111)。 特别情况是:FLBPR的存储内容为$00,整个Flash存储区都受到保护;如果FLBPR的存储内容为$FF,则整个Flash存储区都可以被擦除或写入。 注:只有当单片机处于运行用户程序时,对FLBPR本身和Flash保护区域的擦写操作保护才是有效的。复位不影响FLBPR。,嵌入式应用技术基础教程课件,(2)Flash块保护寄存器(Flash Block Protect Register FLBPR),11.2 GP32 Flash存储器编程方法,注:对MC68HC908GP32而言的,FLBPR设定的是16位起始地址的第147位(第15位恒为1);而对MC68HC908JL3而言,
9、它们设定的是16位起始地址的第125位(第1513位恒为1) 。,嵌入式应用技术基础教程课件,GP32与JL3芯片Flash块保护寄存器设置比较,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,MC68HC908GP32的Flash编程的基本操作: (1)页擦除操作 下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节): $2FLCR(1ERASE位,0MASS位):进行页面擦除; 读Flash块保护寄存器FLBPR; 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值,一般向待擦除页 首地址写入0; 延时tnvs(10s); $AFLCR(1HVEN位); 延时terase(1ms);
10、$8FLCR(0ERASE位); 延时tnvh(5s); $0FLCR(0HVEN位); 延时trcv(1s),完成一页的擦除操作。,11.2.3 Flash存储器的编程过程,嵌入式应用技术基础教程课件,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,下面过程擦除GP32的整个Flash区域,以便把新的程序装入Flash存储器: $6FLCR(1ERASE位,1MASS位):进行整体擦除; 读Flash块保护寄存器FLBPR; 向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值,为方便起见,一般向首地址写入0; 延时tnvs(10s); $EFLCR(1HVEN位、MASS位、ERASE位); 延时tM
11、erase(4ms); $CFLCR(0ERASE位); 延时tnvhl(100s); $0FLCR(0HVEN位、MASS位); 延时trcv(1s),完成整体擦除操作。,(2)整体擦除操作,嵌入式应用技术基础教程课件,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,MC68HC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。写入过程如下: $1FLCR(1PGM位); 读Flash块保护寄存器FLBPR; 向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值,为方便起见,一般向行首地址写入0,这一步选定了所要编程的行,以下的目标地址必需在这一行中; 延时tnvs(10s); $9
12、FLCR(1HVEN位); 延时tpgs(5s); 待写数据写入对应的Flash地址; 延时tprog(30s),完成一个字节的写入(编程)工作; 重复、,直至同一行内各字节写入完毕; $8FLCR(0PGM位); 延时tnvh(5s); $0FLCR(0HVEN位); 延时trcv(1s)以后,完成本行写入工作,可以读出校验。,嵌入式应用技术基础教程课件,(3)编程操作,11.2 GP32 Flash存储器编程方法,MC68HC908GP32的Flash编程参数,返回,11.3 GP32 Flash在线编程汇编语言实例,11.3 GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例,11.3.1 F
13、lash存储器的擦除及写入汇编子程序 (1)擦除子程序 (2)写入子程序 (3)擦除与写入子程序编程要点说明 RAM中要留有足够的缓冲区,以便存放复制到RAM中的子程序,具体值是取擦除与写入子程序中的大者即可。 擦除及写入子程序中要调用的延时子程序均随其后,以便同时复制到RAM中,最后一个标号是为复制方便而加入. 擦除及写入子程序中对延时子程序的调用必需使用“BSR 子程序名”,而不能使用 “JSR 子程序名”,因为这里的子程序是复制到RAM中执行,程序地址已经发生了变化,只能用相对调用。,嵌入式应用技术基础教程课件,11.3 GP32 Flash在线编程汇编语言实例, 擦除子程序与写入子程序
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