模拟电路部分小结.ppt
《模拟电路部分小结.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电路部分小结.ppt(20页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、模拟电路部分复习小结,本课程的主要内容,半导体基础知识 二极管的工作原理、分析方法 三极管的工作原理、分析方法 场效应管的工作原理、分析方法,基本放大器 负反馈放大器 集成运算放大器,器件,放大器,一、 常用半导体器件,1、半导体的基本知识,本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体。,杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。,N型半导体的多数载流子(多子)为电子, 少数载流子(少子)为空穴; P型半导体的多数载流子(多子)为空穴, 少数载流子(少子)是电子。,二极管 :一个PN结就是一个二极管。 单向导电:二极管正极接
2、电源正极,负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。 符号:,3、半导体二极管,PN结正向电阻小,反向电阻大单向导电性。,2、PN结的形成,4、晶体三极管,NPN型三极管,PNP型三极管,IC与IB之比称为电流放大倍数,要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。,输出特性三个区域的特点:,放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=IB , 且 IC = IB,(2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCEUBE , IBIC,UCE0.3V,(3) 截止区: UBE 死区电压, IB=0 , IC 0,N沟道结型场效应管,P沟道结型场效应管,结型场效应管JFET,4、
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电路 部分 小结
链接地址:https://www.31doc.com/p-2593177.html