清洗技术.ppt
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1、清洗技術, 半導體元件的製造上,清洗的目的是為了去除基板表面的各種污染。 製造製程中,污染的發生可分為兩種,一在晶圓的處理過程 ( 搬運及保管 ) 中發生,另一則在製程過程中發生。 如表歸納製程的種類,污染的種類,以及要以何種清洗去除污染。,污染的種類-依物質種類分類,污染的種類-依污染的狀態分類,依物質種類分類, 污染分為離子性與非離子性。離子性污染中,以金屬離子的問題最嚴重,不過近來陰離子也成為一大問題。 基板的表面或內部,如果有離子存在的話,則會干擾電場,影響元件的電子特性。 非離子性的污染,可分為有機物和無機物兩種。 有機物的污染包括蠟、油、樹脂等,在半導體元件的製造工程上,尤其以附著
2、在光阻片上的污染最為嚴重。 此外,裝卸全程中,有機物都可能附著。無機物則包括金屬和氧化物等種類。,依污染的狀態分類, 污染雖然可依狀態分為污染、微粒、以及看不見的污染三種。 元件存在這些污染,對元件發生重大的影響,甚至可能造成良率降低,可靠性下降。 目前已知像Na這類的鹼金屬污染,會延遲MOS元件的製造,不過清洗技術的進步,也可說是從去除此類的污染而開始的。 損傷 (看不見的污染) 主要發生在與電漿相關的製程中。 為了去除損傷,經常必須直接刮除表面。最近,損傷才被納入清洗的範圍內。,VLSI中的清洗工程晶圓的清洗, 元件的製造工程中,將一次又一次反覆進行清洗工程 。 在元件製造廠商的生產線上,
3、其清洗系統備有無數種的清洗流程,依不同目的進行清洗。 清洗工程區分為初期清洗、氧化前清洗、CVD前清洗三部分。 在生產線上,通常先規劃好具有氧化工程、CVD工程、濺鍍工程等所需清洗流程的清洗裝置。 雖然清洗工程全都很重要,但在矽與場氧化膜 ( 表示為LOCOS) 共存的閘極氧化工程,可算是CMOS元件的心臟,為最重要的清洗工程之一。在這個清洗工程中,關鍵點是自然氧化膜的控制。,VLSI中的清洗工程,VLSI中的清洗工程晶圓以外的清洗, 半導體工廠使用的各式容器、裝卸工具、用於各裝置的零件、反應管、承受器,與電極等都需要清洗。潔淨室內所進行的清洗,包括晶圓的搬運機、晶圓匣盒、爐管用石英管,以及晶
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