异质结激光器的结是用不同的半导体材料制成的采用异.ppt
《异质结激光器的结是用不同的半导体材料制成的采用异.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《异质结激光器的结是用不同的半导体材料制成的采用异.ppt(14页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、2019/5/2,Optical fiber communications,异质结激光器的“结”是用不同的半导体材料制成的,采用异质结激光器的目的是为了有效地限制光波和载流子,降低阈值电流,提高效率。 一.异质结激光器的结构 A.单异质结激光器与双异质结激光器(从材料) GaAs材料与GaAl材料 Ga1-xAlxAs是指在GaAs材料中掺入AlAs而形成,叫作砷镓铝晶体,1-x,x是指AlAs与GaAs的比例。,第三节 异质结半导体激光器的工作原理,2019/5/2,Optical fiber communications,B.反型异质结与同型异质结(从导电类型) 反型:如n-GaAs与p-
2、GaAlAs or p-GaAs与n-GaAlAs 同型:如p-GaAs与p-GaAlAs or n-GaAs与n-GaAlAs,二异质结的能带图(刘恩科chapter9) A.反型异质,(a)p、n型 不是简并型 构成异质结之前热平衡状态下,2019/5/2,Optical fiber communications,当形成异质结时,电子n p 空穴p n,直到两半导体有相等的 ,异质结即处于平衡状态。 与p-n结一样,在两种半导体材料上界面的两侧形成空间电荷区。 N型半导体一边为正电荷, P型半导体一边为负电荷,这就是异质结区(阻挡层)。 由于内建场的存在,使电子具有了附加电位能,因而使空间
3、电荷区的能带发生了弯曲(基本与p-n结的形成相同的)。 区别:由于禁带 不同,因而在两材料的上界面附近其能带出现与p-n结不同的特点:一能带在这界面处的变化是不连续的。,2019/5/2,Optical fiber communications,1.在导带底,能量突变 ,在这里形成“光路”。 2.在价带底,能量突变 , 在这里形成“凹口”。 3.导带的势垒与价带不同,导带势垒低,而价带势垒高。 4.当n区的电子进入p区时所遇到的阻力要大。 当p区的空穴进入n区时所遇到的阻力要小。 5.势垒的减低和增高与 . 有关,即与两材料的禁带宽度 之差有关。,2019/5/2,Optical fiber
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 异质结 激光器 结是用 不同 半导体材料 制成 采用
链接地址:https://www.31doc.com/p-2664568.html