只读存储器ROM.ppt
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1、022709,2.1 只读存储器(ROM),存储器的读写是以字节(Byte)作单位, 但存储器芯片的容量则是以位(bit)作为单位,一片存储器芯片的容量定义为: 芯片容量=存储单元数每单元位数 存储器常以210=1024=1k作为计算单位。 eg. 2716=2k8 ; 6264=8k8 问2716, 6264各有多少根地址线? ROM-Read Only Memory, ROM中的信息一旦写入就不能随意更改, 故称为只读存储器。 1.只读存储器的结构及分类 结构: 地址译码器的作用: 缓冲器的作用: 存储矩阵工作原理:,022709,2.1 只读存储器(ROM),存储矩阵工作原理: 基本工作
2、原理= 存在的问题: 当内存单元数较多时,使 译码器结构复杂,输出线多 采用双译码结构,如下图 所示:,022709,2.1 只读存储器(ROM),ROM实际结构: 地址译码器: 双地址译码: 2个24译码器替换 了1个416译码器 存储矩阵:16*1 缓冲器: 与3总线结构的连接: 问题: 如何组成16*n的 存储器? 芯片级? 电路板级?,022709,2.1 只读存储器(ROM),分类: ROM存储矩阵的各基本存储单元中信息的存储是用MOS管的接通或断开状态来实现的。根据使用者的要求来确定ROM中各个管子的状态对ROM编程;根据不同的编程方式ROM常分为以下三种: 掩膜编程的ROMROM
3、 现场编程ROMPROM (Programmable Read Only Memory) 用户可以使用编程器将所需的信息一次性写入,不可更改。 可改写、可编程ROMEPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) 根据擦去信息所用的方法,又可分为: UVEPROM用电信号编程,用紫外线擦除;编程后覆盖窗口。 EEPROM(E2PROM)用电编程,用电擦除;但写入数据的次数有限,一般几百次至几万次不等。可在线字节擦除/写入!,022709,2.1 只读存储器(ROM),2.只读存储器典型产品举例 A.Intel 2716 UVEPROM (2732;
4、2764; 27128等) 读方式: 维持方式: 525mW=132mW 编程方式: PGM上加50ms宽的正脉冲; O0O7用于数据输入。 程序检查: 编程禁止:用于实现对多个并 联2716的编程。 擦除:整片擦除所有位被置1 地址线 内存单元数 数据线 数据位数 控制线,表2.1 2716的工作方式,022709,2.1 只读存储器(ROM),B.Intel 2816 EEPROM 当要向一个指定单元写入 信息时, 要先擦除(使各位 都为1), 然后再写入(必要 位改成0); 擦除和写入时,Vpp上加一 个21v的编程脉冲信号, 脉 冲宽度915ms; 片擦除时,输入端保持高电 平, 约需
5、10ms; 维持方式时可降低功耗约 50%;,表2.2 2816的工作方式,022709,2.2 随机存取存储器(RAM),RAM随机存取存储器 (Random Access Memory) 特点: 可随时直接读、写; 是易失性存储器; 分类: 1.RAM的基本结构,022709,2.2 随机存取存储器(RAM),2.静态基本存储电路 A. 特点/工作原理: 掉电后信息全部丢失; 管子较多,总有一组MOS管导通, 功耗较大 非破坏性读出数据 数据无需刷新, 使用方便,基本工作原理,+地址译码器,022709,2.2 随机存取存储器(RAM),+地址总线 +控制总线 +数据总线,022709,2
6、.2 随机存取存储器(RAM),+多内存单元,022709,2.2 随机存取存储器(RAM),B. 典型芯片 Intel 2128 NMOS 静态 RAM 它是由2k*8位组成的16k位静态RAM(SRAM) 维持状态功耗降至工作时的1/4左右。,表2.3 2128 RAM 功能表,022709,2.2 随机存取存储器(RAM),3.动态基本存储电路 动态存储电路具有元件少, 功耗低的优点, 在大容量存储器中得到广泛应用; 动态存储电路有4管型、3管型和单管型(如图所示); A. 特点: 集成度高; 成本低; 功耗低; 特别是维持功耗低的优点, 适合做大容量存储器; 但需要每隔2ms左右进行一
7、次刷新, 且数据的读出是破坏性的, 即Cg的电压一般从0.2v将下降为0.1v, 所以数据读出后还要对存储电路进行回写。,Cg,T,列选择线,行选择线,刷新 放大器,数据I/O,022709,2.2 随机存取存储器(RAM),B. 典型芯片 Intel 2116 动态存储器(DRAM) 2116是由单管存储电路组成的 16k*1位的DRAM; A0A6分时复用构成14条地址输入端。 首先 -RAS有效, 使 A0A6上的 行地址输入锁存, 再使 -CAS有效, 将A0A6上的列地址输入锁存; -RAS同时起CE的作用, 而-CAS同时起-OE的作用。 刷新按行进行, 2ms内对A0A6的128
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