光刻与刻蚀工艺流程.ppt
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1、光刻、显影工艺简介,光刻胶( Photo-resist )概述 +PR 和 PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统,光刻胶概述,高分辨率 High Resolution; 高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment,光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一:由树脂、感光化合物、溶剂 3 个基本部分组成;,具有光化学敏感性:被紫外光、电子束、X射线、电子束等曝光光源照射后,发生光化学反应,溶解度发生变化;,+PR & -PR,+PR & -PR基本原理,基板处理,涂胶 + 烘烤,曝光,显影、光刻,+PR & -PR 树脂分子结构,正
2、胶:曝光时切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以曝光后光刻胶在随后的显影处理中溶解度升高,曝光后溶解度几乎是未曝光时的10倍;更高分辨率(无膨胀现象)在IC制造应用更为普遍; 负胶:曝光时树脂聚合体主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体溶解度降低;由于光刻胶膨胀而使分辨率降低;其主溶剂,如二甲苯等会引起环境和安全问题;,光刻基本步骤, 涂胶 Photo-resist coating 对准和曝光 Alignment and exposure 显影 Development,详细光刻工序,基板清洗、烘干 目的:去除污染物、颗粒; 减少针孔和其它缺陷;提高光
3、刻胶黏附性;,PR涂布 小尺寸:旋涂; 中大尺寸:丝网印刷&滚轮,Mask制作、曝光 auto CAD / Corel-draw; 小型曝光机:中型曝光机,预烘 110 C ;,坚膜 135 C ;,退胶 NaOH ;,光刻胶涂布-辊涂法,辊涂法主要是利用圆筒滚动的方法来转移光刻胶,如图所示,利用辊筒1和辊筒2的转动将光刻胶转移在刻有精细凹槽的辊筒2上,再通过辊筒2和辊筒3之间的挤压将辊筒2上凹槽里的光刻胶转移至基片上。这种方法的最大优点是可以实现流水线式运作,自动化程度高,生产效率也比较高。但是转移光刻胶均匀性不好,辊涂后的基片上也容易留下辊筒凹槽的痕迹,而且仪器清洗困难,辊筒也容易损坏,设
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