Vacuum机台专用名词.ppt
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1、真空概念&机台专有名词导读,李海波,Air knife:长片状出气孔的喷 气除屑装置 Ashing:光阻去除 Angstrom: Alignment:对准 ADI:显影后检查 EDI:蚀刻后检查 a-Si:非晶硅 Actone:丙酮 Air shower:空气洗尘室 Assembly:晶粒封装,Acceleration electrodes 加速电极 Aging 老化 Alloy 合金 Alumina 铝土 Aluminum Flow 热流铝 Aluminum Plug 铝插塞 Amorphous Silicon 非晶硅 Anneal 回火 Argon 氩气 Argon instability
2、 氩气抽气不稳定性 Array 阵列,PVD Group,Backing Pump 辅抽泵 Barrier layer 阻障层 Base Pressure 基准压力 Binder 粘合剂 Buffer Agent 缓冲剂 Barrier layer:阻障层 Brass:黄铜管,用来提供设备的真空度,CDA,厂务氮气的非制程直接使用气体的传输 BDG:保持剂,溶解PR防止PR再附着,因强碱性的MEA有机溶剂较难将剥离的PR溶解,因此需加入保持剂 Breakdown voltage:崩溃电压 B.O.E. :缓冲蚀刻液 Burn In:预烧试验 BIN:针测结果类别 Backstreaming 回
3、流,逆流,PVD Group,PVD Group,Capacitance manometer 电容式测压计 Cryo pump 冷冻邦浦 Check Valve 整流阀,防止气体在管路中回流 Chemical Vapor Deposition:CVD,化学气相沉积 Clean Room 洁净室 Coating 涂布 Combustible Gas 易爆性气体 Compressor 压缩机 Contact Plug 接触窗插塞 Cryogenic Pump 低温泵 Cryosorption 低温吸附 CA:Cathode 阴极 Cathode dark space 阴极暗区,CDA:compre
4、ssed dry air 压缩的干燥空气 CD bias:circuit dimension 蚀刻完后线宽 Cross Section:横界面 Contact:接触窗 Concentration:浓度 CMOS:互补式金属氧化半导体 CD measure:微距测量 Control Limit:管制界限 CP:电路针测 Cycle time:生产周期时间 Central Monitor:设备中央监控系统 Condensation 冷凝 crane: 天车,PVD Group,DC Magnetron Sputter 磁控DC溅镀机 Developer 显影液 Development 显影 Dry
5、 Etcher 干蚀刻机 Wet Etcher 湿蚀刻机 Dummy Load:替代原设备的等效阻抗 DIW:去离子水,纯水,阻抗达16M ohm Desum:电浆预处理 Defect density:缺点密度 Down:设备故障 DIPC:站点周期时间 Discharge valve:排气阀 Displacer:置换器 Direction detection sensor 方向检测感应器,Exposure 曝光 Ellipsometer 椭圆测量仪(T, n) Epitaxy:磊晶 Exhaust:抽气装置 Electromigrate:电致迁移,因高电场流通下造成金属原子沿材质本身边界向电
6、子流方向移动造成断路。 Electromigration resistance:抗电移能力 ESD:静电放电 EDC:工程资料分析系统 Effective pumping speed 有效抽气速率 ELB Electric Breaker EMO Emergency Mechanical Off Switch,PVD Group,Fab 晶圆厂 FTIR:Fourier Transform 红外线光谱仪,测量键结强度 Facility Down:公用系统故障 Facility:公用系统 FT:封装后测试 Future Hold:预先扣留 FA:工厂自动化系统 Forepump 前级邦浦 Fre
7、eze drying 冷冻干燥 Filament 灯丝,PVD Group,Gate valve:闸阀 Gowning Room:更衣室 Gas flow 气流 Gauge 真空计,PVD Group,Hook Up:hardware连结,gas&cable tray 组立 Homogeneous nucleation:均匀成核 Heterogeneous nucleation:非均匀成核 Hot alumium:热铝制程,在高于400oC以上利用沉积铝在高温下所具备的较佳的表面迁移的特性,使溅镀铝对晶片表面几何结构的阶梯覆盖能力提升的多重金属化制程方式。 HF:氢氟酸 HEPA:高效过滤器
8、Hot:急件 Halogen lamp 卤素灯 High vacuum 高真空 Hot cathode 热阴极,PVD Group,Inter lock:连锁装置 ITO:透光导电膜 InO 90%+SnO 10% 烧结而成的靶材电极 Idle:闲置 Interbay:工程间搬运系统 Intrabay:工程内搬运系统 Ionization 电离 Isolation valve 隔离阀 Ion voltage 离子加速电压 Ion source 离子源 Ion desorption 离子逸出 Ion detector 离子侦测器 Indium 铟,PVD Group,LD:loading Len
9、d:借机 Lot ID. :料号 Liquid nitrogen 液态氮,PVD Group,Mercury Probe 水银测量仪,测临界电压 Mos:Metal-Oxide-Semiconductor,金属氧化半导体 Metallization:金属化制程 Multilevel interconnects:多重金属内连线,因在晶座上制造两层以上的金属层而所需的导通方式 Multilevel metallization process:多层金属化制程 MTBF:mean time between failure,平均故障周期时间 MTTR:mean time to repair,平均每次修复
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