集成电路工艺讲义7.ppt
《集成电路工艺讲义7.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《集成电路工艺讲义7.ppt(27页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、1,1 氧化工艺,一. 用途 (?种) 二. 氧化方法(?种) 三. 质量监测(? ),2,一. 用途,1.五种用途 杂质扩散掩蔽膜 器件表面保护或钝化膜 电路隔离介质或绝缘介质 电容介质材料 MOS管的绝缘栅材料,3,1.二氧化硅膜的化学稳定性极高,不溶于水,除氢氟酸外,和别的酸不起作用。氢氟酸腐蚀原理如下:,二. 二氧化硅膜的性质,六氟化硅溶于水。 利用这一性质作为掩蔽膜,光刻出IC 制造中的各种窗口。,4,2. 二氧化硅膜的掩蔽性质,B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi DSiO2 SiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下,有一最小厚度
2、,5,3. 二氧化硅膜的绝缘性质,热击穿、电击穿、混合击穿: a.最小击穿电场(非本征)针孔、裂缝、杂质。 b.最大击穿电场(本征)厚度、导热、界面态电荷等;氧化层越薄、氧化温度越高, 击穿电场越低。 介电常数34(3.9),6,( 1 )可动离子电荷:如Na+离子-Si表面负电荷(N型沟道)清洗、掺氯氧化工艺PSGSiO2 (2)固定氧化物电荷-过剩的Si+ (3)界面陷阱电荷(快态界面)分立、连续能级、电子状态 (4)氧化物陷阱电荷: Si SiO2界面附近(1091013/cm2)-300退火 (5)氧化层上的离子沾污,4. Si-SiO2的界面特性及解决,7,5. Si-SiO2系统中
3、的电荷(图1-1),8,三.P阱CMOS制造流程中的 氧化步骤,P阱CMOS制造流程号氧化步骤 (1)初始氧化 氧化1 (2)阱区光刻 (3)阱区注入推进 氧化2,3 (4)SiN4淀积 氧化4 (5)有源区光刻,9,P阱CMOS制造流程号氧化步骤(续1),(6)场区光刻及注入 氧化5 (7)场氧化及去除 SiN4 氧化6(场) (8)栅氧化及P管注入 氧化7,8栅 (9)多晶淀积掺杂及光刻 (10)P区光刻及注入 氧化9 (11) N区光刻及注入 氧化10 (12)PSG淀积及源漏区推进 氧化11,10,P阱CMOS制造流程号氧化步骤(续2),(13) 孔光刻 (14)铝溅射及光刻 (15)
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 集成电路 工艺 讲义
链接地址:https://www.31doc.com/p-2925029.html