【大学课件】IVO-GIA技术开发.ppt
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1、IVO-GIA技术开发,http:/ 研究背景 二、可能的解决方案 三、下步安排,一、研究背景,(1) 1080根Gate line;Gate line负载:R=4.85kOhm, C=880pF. (2) 使用双端对冲设计; (3) 所有的CLK、STV控制信号总数不超过8个(不是强制要求,主要为单个level shifter 最多8个Channel)。 (4) 重点考虑:低功耗、高信赖性、Process Magin高。 (5) TFT数目不做限制。,28寸FHD 机种的GIA(1),一、研究背景,Low-level-holding TFT的理想栅极偏压VG:自适应地根据VTH的增加而增加
2、传统设计里,VG的值一般小于VDD 长寿命的GOA设计,VG的值如何大于VDD?,28寸FHD 机种的GIA(2),二、可能的解决方案,宽电压范围高可靠性GOA方案(1) 各级GOA共用VDD 自适应VDD源如何实现?,二、可能的解决方案,宽电压范围高可靠性GOA方案(2) M1,M2,M3,C1电荷泵单元 M4,M5 VTH感应、调节单元 M6,C2输出单元,1阶段,2阶段,下拉TFT的VTH越大,电荷泵效率越高,输出电压值越大,二、可能的解决方案,宽电压范围高可靠性GOA方案(3) 初步模拟结果,三、下步安排,下一步计划 进一步分析和验证所提出GOA电路的可行性 考虑更优化的GIA方案,谢 谢 ! 请指正!,http:/
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