内绝缘新型MOSFET的介绍.ppt
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1、1,深圳市锐骏半导体有限公司 ,新型内绝缘MOSFET TO-220S封装介绍,传统TO-220 MOSFET遇到的挑战,传统半包封TO-220的的漏极与其背部散热片直接相连接 当半包封TO-220 MOSFET需要加散热片散热使用时,特别是不同作用的MOSFET共用一个散热片时,需要做绝缘,加绝缘片和绝缘粒 绝缘片和绝缘粒主要有以下几个缺点 绝缘片和绝缘粒产生额外的材料成本,管理成本和生产成本 生产装配麻烦,生产效率较低 绝缘粒在MOSFET高温运行时,容易老化、变形,最终导致MOSFET与散热片松动,散热效果降低,绝缘性能下降(极端情况下可能会发生不绝缘的情况) 生产装配时,容易损坏绝缘粒
2、(绝缘粒破裂或者变形),最终导致MOSFET的散热效果降低,绝缘性能下降 工厂生产时,通常会做绝缘耐压测试,绝缘耐压测试容易损坏MOSFET,造成MOSFET隐性损坏(栅极损伤),造成潜在可靠性失效问题 全包封TO-220可以达到绝缘效果,但散热效果较差,解决方案TO-220S,锐骏半导体通过不断的研究创新,研发出新型的内绝缘MOSFETTO-220S封装 TO-220S 内绝缘MOSFET:就是使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOS管背部散热片相互隔离的一种新型封装,最终目的是将MOS管的漏极与其背部散热片之间达到电气隔离 目前锐骏推出的TO-220S封装的绝缘耐压等级为高于1500V,
3、并保证100%测试(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL0.5mA),* 锐骏专利产品,仿冒必究。,TO-220S优势,从MOSFET内部解决了MOSFET共用一个散热片的绝缘问题 降低成本 不再需要MOSFET和散热片之间增加的绝缘片 不再需要在固定螺丝上加的绝缘粒 节约了材料成本,物料管理成本和生产成本 生产装配简单 减少了装配工时 取消了绝缘测试的工作流程 提高了生产效率 提高可靠性 避免因为绝缘粒因为高温或破裂而产生的可靠性问题 所有内绝缘MOSFET TO-220S封装出厂前都是经过100%的绝缘耐压测试,客户不需要再做绝缘耐压测试,从而避免了客户端做绝缘耐压测试而产
4、生的可靠性问题 TO-220S封装已经经过约1年左右时间的终端客户实际使用验证(主要用于E-BIKE控制板),产品成熟可靠 TO-220S封装经过实际测试对比,比全包封TO-220封装的散热性能好,与半包封+绝缘片的散热性能差不多,TO-220S与半包封TO-220对比,RUPAK(TO220S)可直接安装到铝条散热器上,无需增加绝缘片和绝缘粒,建议采用组合螺丝(组合螺丝的弹簧片可以减少螺丝对MOSFET的应力)。,TO220安装到铝条散热器上,需要加绝缘片和绝缘粒以达到绝缘目的,从上面的装配工艺看,内绝缘新型TO-220S MOSFET相当于把传统型TO-220 MOSFET安装在Heat
5、Sink上时的绝缘片做到了MOS管内部,因此导致结温到Case的热阻变大,但却因安装在Heat Sink时不再需要绝缘片而降低了Case到Heat Sink的热阻 ,只要我们能在以下几个条件下测试Heat Sink上的温度就能说明那种封装的总热阻小: 使用同一芯片而采用不同的封装形式; 在同一时间内消耗同样的功率; 使同一个Heat Sink; 一个密闭的环境内; 最终Heat Sink温度越高的说明热量越容易传递到Heat Sink, 证明总热阻越小,TO-220S热阻,为了对比半包封,全包封和绝缘版MOSFET的散热性能(热阻),我们请研发工程师做如下实验 条件1:使用同一芯片而采用不同的
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