电子能谱学第12讲电子能量损失谱EELS.ppt
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1、电子能谱学 第12讲 电子能量损失谱(EELS),朱永法 清华大学化学系 2005.1.4,2,EELS历史,在1929年由Rudberg发现利用一特定能量的电子束施加在欲测量的金属样品上,然后接收非弹性(亦即是有能量损失)的电子,发现会随着样品的化学成分不同而有不同的损失能量,因此可以分析不同的能量损失位置而得知材料的元素成份。 在50年代就已经开始流行; 60年代末70年代初发展起来的高分辨电子能量损失谱(HREELS),在电子非弹性碰撞理论的推动下,由于其对表面和吸附分子具有高的灵敏性,并对吸附的氢具有分析能力,更重要的是能辨别表面吸附的原子、分子的结构和化学特性;,3,电子能量损失谱现
2、象,电子能量损失谱是利用入射电子引起材料表面原子芯级电子电离、价带电子激发、价带电子集体震荡以及电子震荡激发等,发生非弹性散射而损失的能量来获取表面原子的物理和化学信息的一种分析方法。 电子在固体及其表面产生非弹性散射而损失能量的现象通称电子能量损失现象; 只有具有分立的特征能量损失的电子能量损失峰才携带有关于体内性质和表面性质的信息 ; 平坦肥大的峰或是曲线的平坦部分只反映二次电子发射,而不反映物体的特性 ;,4,入射电子与试样相互作用的示意图,弹性散射过程; 电子气的激发过程; 体等离子体 表面等离子体 特征激发损失; 价电子激发 内层电子激发 非弹性损失; 多次损失,热损失等 声子激发
3、晶格,吸附分子等,1,2 3,1代表等离子体振荡;2代表价带电子跃迁; 3代表芯级电子激发,5,电子能量损失过程,激发晶格振动或吸附分子振动能的跃迁,属于声子激发或吸收,损失能量在几十至几百meV范围; 体等离子体或表面等离子体(电子气)激发,或价带跃迁,能量损失值在150eV左右; 芯能级电子的激发跃迁,能量在102103eV量级; 自由电子激发(二次电子),约50eV以下; 韧致辐射(连续X射线)。 最后两个激发过程只形成谱的背底,6,等离子体,在金属中,整个系统在宏观尺度上保持着电中性,然而在微观尺度上往往存在有电子密度的起伏。由于电子之间的库仑相互作用是长程作用,电子密度的起伏将会引起
4、整个电子系统的集体运动,称为等离子体。,7,电子能量损失谱现象,电子所损失的能量使物体产生各种激发; 主要四种类型: 1)单电子激发包括价电子激发和芯能级电子激发。 2)等离子体激元激发。 3)声子激发。 4)表面原子、分子振动激发。,清洁表面铀的EELS,8,EELS 的信息,由单电子激发产生的电子能量损失谱中,价电子激发所产生的能量损失谱线代表了固体的某些特性,在表面分析中,这些资料有很大的用处。 芯能级电子激发所产生的损失谱线用处也很大。因为由芯能级电子的激发而出现的电子能量损失谱线有点类似x射线吸收谱线; 对于价电子激发来说能量损失约为0-50eV,而芯能级电子激发一般要大于20eV,
5、这时仪器的能量分辨率只要1eV就够了。,9,芯能级激发EELS 的信息,谱线的“边缘”反映了芯能级电子激发的阈值能量,它对元素鉴定有用处。 谱线“边缘”的位移反映出元素的化学状态, 靠近谱线“边缘”的精细结构也反映出元素的化学状态和表面原于排列状况。 在表面分析工作中,所使用的初级电子能量小于10KeV,这时的芯能级电子激发的能量损失峰是很弱的,要比俄歇信号小得多。,10,芯能级产生的能量损失谱,11,激发等离子元EELS信息,由于激发等离激元而产生的电子能量损失,对于金属来说约15电于伏左右; 而激发表面等离激元所损失的电子能量约为10电子伏。 这种激发表面等离激元所产生的能量损失谱线对表面
6、氧化物特别灵敏,是很有用处的。,12,激发声子EELS信息,因激发声子和表面原子、分子振动而产生的电子能量损失最小,大约为0-500meV,所以要求能量分析器具有10毫电子伏的分辨能力,这时初级电子的能量一般都小于l0电子伏。 为了有别于前面几种电子能量损失谱人们又叫它为低能电子能量损失谱(LESLS)或高分辨电子能量损失谱(HREELS)。 这种低能电子所探测到的是近表面几个原子层的信息。,13,HREELS,当低能电子束接近表面或离开表面对会跟晶体表面振动模发生作用,产生能量损失; 由分子的振动谱、振动实体的动力学性质以及振动谱的选择定则等可以从被反射回来的电子得到固体表面结构的信息。 表
7、面吸附分子的振动模还提供了被吸附分子和衬底之间的化学键性质的信息。 最近对清洁表面和吸附表面的物理性质和化学现象的研究十分活跃,它促进了对表面吸附物质的运动和几何结构的了解,也促进了对催化和腐蚀过程的了解。,14,EELS的特点,电子能量损失谱(Electron energy loss spectroscopy,简称EELS)可以实现横向分辨率10 nm,深度0.52 nm的区域内成分分析; 具有X射线光电子能谱(X-ray photo spectroscopy,简称XPS)所没有的微区分析能力; 具有比俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy,简称AES)更为表面
8、和灵敏的特性; 更重要的是能辨别表面吸附的原子、分子的结构和化学特性,而成为了表面物理和化学研究的有效手段之一;,15,EELS原理,当入射电子束照射试样表面时,将会发生入射电子的背向散射现象,背向散射返回表面的电子由两部分组成,一部分没有发生能量损失,称为弹性散射电子,另一部分有能量损失,称为非弹性散射电子。 在非弹性散射电子中,存在一些具有一定特征能量的俄歇电子,其特征能量只同物质的元素有关,如果在试样上检测这些俄歇电子的数目按能量分布,就可以标定物质的各元素组成,称为俄歇电子能谱分析技术。 如果其特征能量不但同物质的元素有关,而且同入射电子的能量有关,则称它为特征能量损失电子。 如果在试
9、样上检测能量损失电子的数目按能量分布,就可获得一系列谱峰,称为电子能量损失谱,利用这种特征能量电子损失谱进行分析,称为电子能量损失谱分析技术。,16,EELS理论,对低能电子能量损失谱的解释工作是建立在非弹性散射理论上。 如果入射电子从具有两维周期性晶格结构的表面散射回来时经历了个非弹性散射过程,它将损失部分能量,这时根据能量守恒和动量守恒定律 ;,7-1 7-2,17,EELS理论,E0是入射电子能量。,Es是动量为hk的反射电子能量, h是电子所损失的能量即电子传递给固体的能量,18,机理,跟低能电子衍射的情况一样,如果认为散射过程只发生在表面,即电子只穿透一、二层原子,那么只要考虑平行于
10、表面的动量的守恒,从而导出公式(72)。 式中G是表面单位网格倒格基矢。 q/是入射电子和固体表面的动量转换。 在弹性散射情况下q/0,公式(72)就变成了低能电子衍射中产生极大值条件的公式(523)。 式(71)和(72)就是解释电子能量损失谱的基本公式。,19,经典的介电理论,经典的介电理论在处理电子能量损失谱方面仍然是一个重要的有效方法。 在历史上所有发生在表面的光学作用都曾用一个宏观的平均量介电常数来处理。 在处理电子能量损失谱时,原则上,通过入射电子的库仑势和固体电子气中的长程偶极矩电场的相互作用,体内和表面的所有元激发如单电子激发,等离激元激发及声子激发等都可以包括在介电理论中。,
11、20,经典的介电理论,式中入射电子的动量转换q和振荡频率代表了固体的内在性质。 在体内,电子的库仑场的幅度被屏蔽而缩小至1/,强度则被屏蔽了1/2。 当电子通过介质时,电子运动受到阻迟,电子的能量衰减正比于场强2,是介电常数的虚部 ;,21,电子能量损失为:,当电子从介质表面朝真空方向反射时,由于极化作用,电子的库仑场的幅度被屏蔽了1/(1)而不是1/,所以这时的能量损失为:,称为体内和表面的损失函数,根据所研究的晶体的光学数据如折射率和吸收系数等可以建立起损失函数,22,体等离子体能量损失计算公式为: 表面体等离子体能量损失计算公式为: 中,n为单位体积中价电子数: 式中:m,n和分别是电子
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