3D NAND技术工艺发展与主流内存标准探讨.doc
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1、3D NAND技术工艺发展与主流内存标准探讨说到闪存,很多人都会想到运行内存和储存内存,关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉,但是对于产品性能同样非常重要的RAM(运行内存)和ROM(储存内存)相信就没有那么多人有很多了解了,今天的这篇文章,就先来说说储存内存的那些事。首先,和CPU等不一样,ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关,衡量一块闪存和运存性能好坏的,只有两个指标:数据读写速度和容量。3D NAND为闪存容量打了兴奋剂3D NAND闪存兴起关于容量,首先需要强调,手机储存容量、固态硬盘(SSD)、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质,传统
2、的储存介质还有机械硬盘(HHD),也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失,可以作存储数据用。而所谓的RAM(运行内存)则是通过某种电容(DRAM、SRAM或RRAM)储存数据的,断电之后数据马上消失,但是数据吞吐速度及其迅速,这里不做深究。我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍,从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB,所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s,但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍,再加上固态硬盘的价格持续走低,这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家,需求
3、量也大大增长,这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来,而3D NAND技术,就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。3D NAND技术工艺提出与普及传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量,需要NAND cell单元制程越做越小,这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元,可是物理这个东西总是有极限的,在20nm工艺之后,随着单元体积的进一步缩小,会带来越来越严重的电子干扰现象,这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低。在这种窘境下,3D NAND技术被提了出来,简单来说就是将原来平面排列的NAND c
4、ell再加一个垂直方向上的堆叠,这种垂直方向的排列可以在微观下数倍的增加可用体积,可是因为单个cell单元的体积极小,所以并不会在宏观层面带来体积增加。并且因为可用体积成倍增长,使用3D NAND堆叠的闪存可以用更加成熟的制程,所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程,而不是20nm以下的制程,这也为3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次,而使用了3D NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次。正是因为3D NAND技术的提出和普及,现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡
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