CMP抛光材料的介绍和应用领域及市场分析.doc
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1、CMP抛光材料的介绍和应用领域及市场分析1)在单晶硅片制造环节,单晶硅片首先通过化学腐蚀减薄,此时粗糙度在 10-20m,在进行粗抛光、细抛光、精抛光等步骤,可将粗糙度控制在几十个 nm 以内。一般来说,单晶硅片需要 2 次以上的抛光,表面才可以达到集成电路的要求。2)在前半制程工艺中,主要应用在多层金属布线层的抛光中。由于 IC 元件采用多层立体布线,需要刻蚀的每一层都有很高的全局平整度,以保证每层全局平坦化。CMP 平坦化工艺在此工艺中使用的环节包括:互联结构中凹凸不平的绝缘体、导体、层间介质(ILD)、镶嵌金属(如 Al,Cu)、浅沟槽隔离(STI)、硅氧化物、多晶硅等。随着集成电路芯片
2、工艺制程技术的不断进步,对 CMP 工艺的需求不断增加。CMP 技术最早使用在氧化硅抛光中,是用来进行层间介质(ILD)的全局平坦的,在集成电路芯片进入 0.35m 节点后,CMP 更广泛地应用在金属钨、铜、多晶硅等的平坦化工艺中。随着金属布线层数的增多,需要进行 CMP 抛光的步骤也越多。以 28nm 节点工艺为例,所需 CMP 次数为 12-13 次,而进入 10nm 制程节点后,CMP 次数会翻一番,达到 25-26 次。技术门槛抛光材料制备技术门槛较高,其中抛光垫的技术壁垒在于沟槽设计及提高寿命改良,抛光液的技术壁垒在于调整抛光液组成以改善抛光效果。对于抛光垫而言合理的沟槽设计帮助抛光
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