GaN功率开关会对EMI造成怎样的影响.doc
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1、GaN功率开关会对EMI造成怎样的影响我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲,谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。我也有幸遇到“电源完整性 -在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and TroubleshooTIng Power Related Parameters in Electronic Systems)”一书的作者Steve Sandler,他提出与测量这些设备的
2、皮秒边沿(Picosecond Edge)速度相关联(可参看他文章索引的部分)。由于这些新电源开关的快速开关速度与相关更高效率,因此我们希望看到他们能适用于开关模式电源和射频(RF)功率放大器。他们可广泛取代现有的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET),且具有较低的“On”电阻、更小的寄生电容、更小的尺寸与更快的速度。我已注意到采用这些装置的新产品,其他应用包括电信直流对直流(DC-DC)、无线电源(Wireless Power)、激光雷达(LiDAR)和D型音频(Class D Audio)。很显然,任何半导体组件在几皮秒内切换,很可能会产生大量的电磁干扰(EMI)。为了评估这些GaN组
3、件,Sandler安排我来测试一些评估板。一块我选择测试的是Efficient Power Conversion的半桥(Half-bridge )1MHz DC-DC降压转换器EPC9101(图1),请参考这块测试板上的其他信息,以及一些其他的参考部分。图1 该演示板用于显示GaN的EMI。该GaN组件被圈定,我会在L1左侧测量切换的波形。该演示板利用8至19伏特(V)电流,并将其转换为1.2伏20安培(A)(图2),我让它运行在与10奥姆、2瓦(W)负载、10伏特电压状态。图2 半桥DC-DC转换器的电路图,波形在L1的左端返回处被测试我试图用一个罗德史瓦兹(R图3 采用R图4 捕获的上升时
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