RF 功率 LDMOSFET基本结构和制造工艺特点简介.doc
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1、RF 功率 LDMOSFET基本结构和制造工艺特点简介RF 功率MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出现改变了这一状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较,硅基LDMOSFET有失真小、线性度好、成本低的优点,成为目前RF 功率 MOSFET的主流技术。手机基站中功率放大器的输出功率范围从5W到超过250W,RF 功率 MOSFET是手机基站中成本最高的元器件。一个典型的手机基站中RF部分的成本约6.5万美元,其中功率放大器的成本就达到4万美元。功率放大器
2、元件的年销售额约为8亿美元。随着3G的发展,RF功率放大器的需求将进一步提高。RF 功率MOSFET在无线电通讯领域也有应用,其频率已延伸至低微波段且输出功率可达百W以上。它同时也应用于电视(特别是数字电视)功率放大器、雷达系统和军事通讯中。随着新一代无线通讯技术的快速发展和越来越广泛的应用,RF 功率 MOSFET有着非常乐观的市场前景。而目前国内使用的RF功率器件仍然依赖进口,国内RF芯片和器件自有产品不到1%,因此,自主开发RF功率MOSFET具有非常重要的意义。图1 LDMOSFET基本结构图RF 功率 LDMOSFET性能特征与硅双极型晶体管相比,RF 功率 LDMOSFET有以下优
3、点:1. 工作频率更高,稳定性好:双极型晶体管只能在300MHz以下的频段工作,而LDMOSFET由于反馈电容小,可以在几百MHz到几GHz的频率工作,且频率稳定性好。2. 高增益:通常在相同的输出功率水平下,双极型晶体管的增益为8dB9dB,而LDMOSFET可以达到14dB。3. 线性度好,失真小:特别在数字信号传输应用中,LDMOSFET表现更加突出。4. 热稳定性好:温度对LDMOSFET电流有负反馈作用,温度升高可以限制电流的进一步提高;而双极型晶体管温度对电流起正反馈作用,所以LDMOSFET的热稳定性好。RF 功率 LDMOSFET基本结构和制造工艺特点RF 功率 LDMOSFE
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