SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的设计与实现.doc
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1、SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的设计与实现氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。如图1所示, Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50 m GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN(双边扁平无引脚)封装,与传统的金属陶瓷封装相比,可以实现更简单的PCB组装。尽管Qorvo的GaN晶体管效率非常高,但考虑到高RF功率电平意味着即使是高效的PA,晶体管也将具有显著功耗。由于晶体管是SMT组件,因此需要仔细设计PCB以优化热性能。已经对两种方法进行了评估,并报告了两者的结果。第一种方法在晶体管的接地焊盘下使用覆
2、铜孔阵列,第二种方法使用铜币技术。铜币是在制造期间嵌入到PCB中的一块实心铜(通常称为金属块),以允许从晶体管到安装了PCB的载体的有效热传递。许多PCB制造商都具有覆铜孔技术经验,但射频频率下的铜币技术还未成熟。晶体管测量该设计使用以20mil厚度的Rogers RO4350组装的样品晶体管的大信号和小信号测量值。晶体管静态偏置为65V,240mA。图 2 显示了三个不同晶体管随频率变化的最大可用增益 (MAG),这清楚地表明非常好的单元间一致性。虽然QPD1013表现出的增益超过6GHz,但出于实用性考虑,它最适合在最高约3.5GHz下工作。最大增益(3 台设备)最大增益 (dB) 频率
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