一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的?.doc
《一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的?.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的?.doc(3页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的?半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元,几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景,重点说明初始阶段面临的一些挑战,并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。应用材料公司为实现 STT MRAM 的制造提供了多项重要创新,包括基于Endura平台上的PVD创新以及特别的蚀刻技术。利用这些新技术并借助梅丹技术中心的设施来加工并测试器件阵列,我们验证了 STT MRAM 的性能和可扩展性。如今,除了逻辑元件和其他专用电路元件外,典型的
2、微控制器 (MCU) 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是,要将浮栅 (FG) 的制造工艺对逻辑门性能的影响降到最低(图 1)。为此,制造商通常会使用多达 10 个的额外掩膜层,这必然会增加其复杂性和成本。在 28nm 的节点, 逻辑部分的工艺将迁移到高 k 栅介质/金属栅极(HKMG),由于 HKMG 的热预算有限,将导致工艺集成更为复杂。另一方面,在后端工艺 (BEOL) 中集成自旋转移矩 MRAM (STT MRAM) 较为容易,只需要3个额外的掩膜(图 1)。此外,与 STT MRAM 相比,闪存的能耗较大。STT MRAM 具有前景的特性(
3、快速、非易失性、低功耗和在低温下易于实现 BEOL 集成)使大多数主要逻辑和存储器厂商开始逐步开发 STT MRAM 技术。除 MCU 外,由于 STT MRAM 可以实现相比于 SRAM 更高的密度,STT MRAM也正在被开发用于取代 SRAM,用作 10nm 节点的最后级缓存。STT MRAM 的每个存储单元都由磁隧道结 (MTJ) 组成,其最基本的形式是由夹在两个磁性薄膜(约 10-30 厚的 CoFeB)间的薄介质隧穿势垒膜(约 10 厚的 MgO)组成。在 MTJ 堆叠中实际有许多额外的薄膜层(参见示例中的图 2a),并且自 2007 年以来已作为硬盘驱动器 (HDD) 中的读取传
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 一文告诉你嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工是靠什么来完成的? 文告 嵌入式 隧道 阵列 加工 什么 完成
链接地址:https://www.31doc.com/p-3362438.html