一种智能的碳化硅MOSFET驱动核.doc
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1、一种智能的碳化硅MOSFET驱动核近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管,以其宽带隙,高电场强度,良好散热特性,以及高可靠性等特点,为客户的产品带来高效率,高频率,小体积,降低系统成本等效益,广泛应用于光伏发电,新能源汽车,通信基站电源,充电桩,高铁,电网输电等领域。业界领先的碳化硅制造商Wolfspeed(A Cree Company),推出650V15kV的SiC MOSFET器件,凭借其优越的性能、可靠的品质以及强有力的技术支持,赢得了客户的信赖,成为引领市场发展的产品。其中,650V1700V的分
2、立器件SiC MOSFET尤其受到欢迎。碳化硅MOSFET拥有超低的开关损耗,仅为硅IGBT十分之一,快速开关的特性意味着可以实现系统的高频化和小型化,并提高效率。高压及超快的开关速度带来的超高di/dt,dv/dt,会通过系统的杂散电感,电容形成干扰,对设计工程师带来了新的挑战。原有的Si MOSFET应用设计理论还会适用,然而一些在硅器件开关速度的环境下是微不足道的参数,却会在高速的SiC器件应用中产生至关重要的影响。SiC MOSFET的门极是一个耐压非对称体,以行业龙头Wolfspeed器件为例,其第二代SiC MOSFET的耐受电压为+25/-10V,推荐工作电压为+20/-5V,其
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