一种结合HMSIW和DGS结构的宽带带通滤波器设计详解.doc
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1、一种结合HMSIW和DGS结构的宽带带通滤波器设计详解0 引言近年来,基片集成波导(SIW)在微波及毫米波电路设计中得到了广泛的应用。基片集成波导具有品质因数高,功率容量大,易于集成,成本低等优点。然而,在有的应用场合,SIW的体积仍然比较大;为进一步地缩小尺寸,一种小型化结构“半模基片集成波导”被提出来。半模基片集成波导(HMSIW)具有与SIW相似的传输和截止特性,而且尺寸减小了12,结构更加紧凑。缺陷地结构(DGS)是在微带线的接地金属板上刻蚀周期或非周期的栅格结构,改变传输线的分布电感和分布电容,获得带阻特性和慢波特性等。哑铃型DGS结构简单,已被广泛地应用在低通滤波器的设计中。本文将
2、具有高通传输特性的HMSIW与具有低通特性的改进的周期性哑铃形DGS结构结合,实现结构紧凑的宽带带通滤波器。1 宽带带通滤波器的设计11 半模基片集成波导将SIW沿中心面切开,得到的12结构就是HMSIW,切开的面可近似等效为理想磁壁。HMSIW的宽度大约是SIW的12,但它具有和SIW相似的传播和截止特性。HMSIW的基本结构如图1所示。图中d是金属化通孔的直径,p是相邻金属化孔的距离,Wh是HMSIW的宽度,锥形过渡线的宽度和长度分别是Wt和Lt,输入输出的微带线宽度和长度分别是W0和L01。合理选择金属孔的大小和间距,SIW可以等效为介质填充的矩形波导。根据要求的截止频率37 GHz,可
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