关于Nor Flash的各种挑战.doc
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1、关于Nor Flash的各种挑战过去一年,Nor Flash的价格飞涨和前景看好,让大家对编码式存储器重燃了信心,包括兆易创新和旺宏在内的众多厂商在去年也从中挣到盘满钵满。在很多人看来,这种略显古老的产片没啥技术含量,但从Nor Flash的发展看来,他们同样面临各种各样的挑战。北京大学微纳电子学研究学院蔡一茂在一篇名为NOR Flash:Scaling 的挑战、可靠性及表征的演讲中,谈到了Nor Flash的各种挑战,现将其摘录如下,与广大读者分享。闪存的演变根据Nor Flash的原理,它是使用CHE来编码,然后使用FN Tunning 来擦除,而电荷注入机制对这两个因素的印象很大,我们来
2、分别看一下其考量和解决办法:首先看CEH。据了解,CHE的注入对编码速度和lg有明显的提升,同时能够扩大对离子化率的影响(高横向电场),还能影响收集效率(高垂直电场)。但对CHE来说,如下图所示,影响他们的因素也有很多。为此,可以使用TCAD仿真来模拟CHE注入的影响,提高产品性能。TCAD仿真介乎Flaoting Gate和Bulk之间的FN Tunning同样也会受到各种因素的影响。FN Tuneling这时候使用MLC方案则能完美解决相关问题。SLC和MLC的对比对于Nor Flash来说,我们还需要考虑一下可靠性的问题。例如Over-Erase ,比如Nor Disturb,还有隧道氧化和可靠等问题。这就需要一些很好的解决方法。另外,在微缩的过程中,Nor Flash还会面临Random Telegraph Signals Noise (RTN)等问题。由上所述,Nor Flash从设计到生产,再到交付到客户手中,要考量其可靠性、合格性、保持性,同时还要经过保持特性失效分析。经过以上重重考验的NorFlash才能满用户对使用温度(55度),断电数据保持时间10年,擦写次数10万次等多方面的需求。
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