关于存储器的基础知识整理.doc
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1、关于存储器的基础知识整理RAMRandom-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和DRAM,即静态随机存储器和动态随机存储器,理解上静动态主要体现是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否则数据将丢失;SRAM的效率较好,而成本较高,通常将SRAM作为cache使用。PSRAMPseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,内部和DRAM相似,接口和SRAM相似,具有自刷新功能,不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。单双端口RAM单端口RAM同一时刻,只能满足读或写某一动作,而双端口RAM存在两套独立的地址、
2、数据、读写控制等,可以同时进行两个操作,当然为避免冲突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。ROMRead-Only-Memory,只读存储器,通常使用时一次写好,使用时只能进行读操作,而不能进行写操作。CACHE高速缓冲存储器,由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢,增加的一级缓冲存储空间,当需要处理器需要访问内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。TCMTightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器,是指
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