具有不同的存储器单元和存储器架构的微控制器介绍.doc
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1、具有不同的存储器单元和存储器架构的微控制器介绍内存技术不会停滞不前。内存架构发生变化,更快,更有效的结构被创建并用于连续几代,例如DRAM到SDRAM到DDR到DDR1,2,3等等。但是,内存演进不仅限于结构改进。存储器单元本身的基础技术一直在改进。专业工艺和设计针对低功耗,非易失性,安全存储或其他专业需求进行了优化。本文着眼于具有不同类型存储器单元和存储器架构的嵌入式MCU。一些制造商提供这些MCU,并声称优于传统存储器和架构的竞争部件。为了寻找完美的单元,Van Neumann,Harvard和RISC架构都使用非易失性存储器,如EPROM和Flash用于启动代码和固件。大多数启动代码都在
2、芯片上,但是无ROM部件也存在,并且仍将使用外部OTP EPROM或Flash。这两种技术都为微控制器的固件需求提供了密集,相当低功耗,低成本的现场和工厂可编程解决方案。虽然传统的EPROM已经有数十年的时间让Flash作为主要的存储技术,但一直在消除波动性和可重写性之间的障碍。最终,每个人都在寻求一种可以在任何地方使用的单一高速,非易失性,低功耗,可重写,高耐久性的电池。令人高兴的是,已经开发了几种可以产生理想的电池结构的好技术。想。然而,新的存储器技术需要时间才能进入现代微控制器架构。当需要不同的制造工艺来制造这些特殊的存储单元时尤其如此。在产量足够高之前,这些部件总是会花费更多。安全性是
3、一种驱动力当专有算法或代码块为设计提供明显优势时,代码特别有价值。当所有代码都存储在微控制器内时,很难在代码侵权的基础上强制执行专利。仍然,工具允许转储核心内存,因此可以使用加密代码。外部存储器中的加密代码块不会让流浪眼以任何可用的形式反汇编它。 MCU包含一个解密算法,其中包含您定制的参数,可以为伪随机函数发生器提供种子。除非您知道种子,否则您无法轻松解码数据。这是采用Maxim DS5000T-32-16 +等部件采用的方法,它是一种基于8位传统8051内核的安全微控制器。其核心是备用电池的SRAM,可创建“软”安全设计。即使被迫通过其地址序列,内部代码数据也已加密。 10年的数据保留规范
4、将在没有电源的情况下保存内容。请注意固件是如何保存在ROM,EPROM或Flash中的。相反,48或80位随机解密应用于传入的加密代码。如果检测到篡改,电池备份RAM甚至还具有自毁机制。其他现代安全微处理器采用可交换模块格式,例如Maxim DS2250-64-16(图1)。请注意双电池以确保使用寿命。整个微控制器模块,存储器,加密引擎和实时时钟可以保持状态并继续在系统外部运行。这使得这些MCU成为安全密钥访问,安全和关键设置参数,秘密算法和处理技术,滤波器系数等的理想选择。图1:带有加密SRAM的可交换安全模块自毁功能,用于保护密码和固件以及关键参数和安全设置。新的非易失性单元结构松下的独特
5、技术及其ReRAM单元。该公司开发了一种新的非易失性存储器结构,该结构基于单个晶体管 - 电阻器核心单元,在特殊的电阻层中使用钽氧化物材料。使用普通的0.18mCMOS工艺,ReRAM单元可以重新编程为1.8至3.6 V的低电平,而不必使用内部电荷泵来启动更高的电压。重写次数也很快:10 ns。另一个关键优势是,与许多闪存和EEPROM技术不同,单元在重写之前不必擦除。Panasonic在两个8位内核中使用该技术,如MN101L,E和C系列以及16/32位内核,如MN103 L,S和H系列,性能级别为10至120 MHz,采用C优化架构。与闪存技术相比,ReRAM的优势在于降低了50的功耗漏电
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