几款不错的场效应管功放电路图.doc
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1、几款不错的场效应管功放电路图几款不错的场效应管功放电路图场效应管多管并联输出,500W。场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动,在驱动级上有些不一样,没弄过场管功放,音质怎要看你设计和工艺!IRFB33N15D是一颗非常好的MOS管,其导通内阻低达56m,最大电流为33A,耐压却有150V,常用于DC/DC的变换器中,当然,在数字功放中,也经常应用。其也有不足的地方,其输入电容为2020pF,和常见的MOS管一样,在驱动它时,就要采用特殊电路来驱动,如同你的电路中的R29和D3并联电路,也是业界惯用手法,其作用是:当没有R29时,Q7的栅极直接接前面的IC引脚,其内部都是图腾柱电路,由于是容
2、性负载,都会有振荡产生,从而使驱动波形出现振铃现象,产生的后时是,MOS管开启不够,内阻大,效率低。 串入R29可以消除这种振荡,其和后续的MOS管输入电容(Ciss)的时间常数要远小于MOS管的开启时间13ns,而4.7的2020pF的时间常数为9.5nS,满足要求。IRFB33N15D用标准电路(相当于R29为3.6)驱动时,其恢复时间长达130nS,这也是MOS管的通病,为了加快关断(争取这9.5nS的时间),在关断时,希望栅级电阻为0,所以会在R29上反向并联肖特基二极管D3(其工作频率可以近GHz),来加速放电。IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V这间,实际驱动时,取决于
3、IRS2902S的工作电压,实际都在10V左右,肖特基二极管D3的正向压降只有1.2V左右(电流1A,但其V/I约为0,动态内阻极低),已经可以确保Q7和栅极处于低于VGS以下,对关断没有影响。 另外,你要学习动态内阻的含义,如同电源,其压降可能是5V,但其内阻可以低达十几毫欧。这个电路里的2颗场效应管不能同时导通,所以,在它们工作的时候,要关断优先,导通稍缓。D3,D4二极管就能够在驱动电压下降的时候,迅速释放场效应管的栅极结电压,从而使管子从导通状态恢复到关断状态的时间大大缩短。而驱动电压上升的时候,要通过R29,R27给管子的栅极结电容充电,从而延缓了管子的导通时间。 就这样实现了关断优先,导通稍缓的功能,大大的避免了一个管子还没退出导通,另一个管子已经进入导通的状态。
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