分子存储可提高HDD密度.doc
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1、分子存储可提高HDD密度毫无疑问,在提升存储密度的研究方面,研究人员很快会遇到量子力学的基本限制所导致的壁垒。对于需要在更小物理空间存储越来越多数据的世界来说,这无疑是个坏消息。但也许分子存储形式会带来改变。德国基尔大学的研究人员表示,他们发现一种方法最终可将传统硬盘的存储密度提高一百倍以上。这项新技术采用自旋交叉分子来创建潜在的微小的存储单元。与传统HDD一样,这种独特的分子使用其当前的磁性状态来存储数据。为了正常工作,分子必须被放置在稳定的表面,而不会妨碍其保存信息。基尔大学研究人员声称,他们不仅将自旋交叉分子放在可靠的平面平台,而且通过使用以前被视为阻碍的特定相互作用已经提高了潜在最大存
2、储容量。向前迈进一步存储密度方面的最新进展让存储介质的物理尺寸显著缩小,同时容量在不断提升。基尔大学实验和应用物理研究所的研究小组成员Manuel Gruber最近指出,现在典型硬盘驱动器的单个位仅消耗大约10*10纳米的物理空间。然而,随着数据存储需求持续飙升,即使是当今高密度存储介质也无法跟上日益增长的设备小型化的步伐。更糟糕的是,专注于当前方法的存储研究人员正开始想办法对抗看似无法穿透的量子力学壁垒。为了应对这些趋势,基尔大学研究人员开始将存储科学带回到最基本的水平,使用仅1平方纳米的分子。通过这种方法,单个位可被编码到比目前小一百倍的区域。这意味着理论上来说,分子存储可将传统硬盘驱动器
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