半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点.doc
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1、半导体制造工艺中的主要设备及材料大盘点本文首先介绍了半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料,其次阐述了IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料,最后详细的介绍了半导体制造工艺,具体的跟随小编一起来了解一下。一、半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。在这里,我们以最为复杂的晶圆制造(前道)和传统封装(后道)工艺为例,说明制
2、造过程的所需要的设备和材料。集成电路产业链晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀(Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric DeposiTIon)、抛光(CMP)、金属化(MetalizaTIon)。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备,满足不同的需要。例如在光刻区,除了光刻机之外,还会有配套的涂胶/显影和测量设备。先进封装技术及中道(Middle-End)技术IC晶圆制造流程图二、IC晶圆生产线的7个主
3、要生产区域及所需设备和材料传统封装工艺流程传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造(前道)相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。三、传统封装的主要步骤及所需设备和材料传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造(前道)相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。四、半导体制造工艺解析半导体制造工艺是集成电路实现的手段,也是集成电路设计的基础
4、。自从1948年晶体管发明以来,半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段:1950年采用合金法工艺,第一次生产出了实用化的合金结三极管;1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展,为制造高频器件开辟了新途径;1960年平面工艺和外延技术的出现是半导体制造技术的重大变革,不但大幅度地提高了器件的频率、功率特性,改善了器件的稳定性和可靠性,而且也使半导体集成电路的工业化批量生产得以成为现实。目前平面工艺仍然是半导体器件和集成电路生产的主流工艺。在半导体制造工艺发展的前35年,特征尺寸的缩小是半导体技术发展的一个标志,有效等比缩小(Scaling-down)的努力重点集中在通过提高器件
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