第3章11绝缘物上硅.ppt
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3.11 绝缘物上硅,3.11.1 SOI和SOS SOI:单晶硅薄层-绝缘层-衬底 SOS:单晶硅薄层-蓝宝石(绝缘层-衬底) 宝石具有硬度高(大于7)、导热性好的优点,是区别宝石和一般矿石的手段。,3.11.2注氧隔离技术(SIMOX),工艺技术: 工艺参数:杂质的种类、所需的杂质注入浓度和杂质的注入深度。 杂质源:固态的磷、砷和气态的氢化磷、氢化砷及三氟化硼等。 主要的变量:弧光反应室的工作电压与电流,弧光反应室的热灯丝电流量,离子分离的装置分离电压,质量分析器的磁场强度,加速器的加速电压,扫描装置的扫描方式与次数上的控制。,利用氧离子对晶片进行深注入,以便在晶片的表面硅与主材质(Bulk)之间,制作一层用来作为隔离之用的绝缘层-SiO2。用SOI(绝缘层上的硅)称这种晶片和工艺。这种工艺需要高能量离子注入。,
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