国产光刻机达到几纳米_中国光刻机的发展史.doc
《国产光刻机达到几纳米_中国光刻机的发展史.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《国产光刻机达到几纳米_中国光刻机的发展史.doc(6页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、国产光刻机达到几纳米_中国光刻机的发展史从2009年开始算起,中国研究团队一路攻坚克难,国产首套90纳米高端光刻机已于近期第一次成功曝光。2022年左右有望完成验收。这意味着,中国半导体材料和设备(工艺技术)产业又向前跨出了关键一大步。光刻机被全球业界人士们称为“工业皇冠明珠”。而事实上,中国科研和工程人员们也都有志在未来,从“工业皇冠”上拿到这颗“明珠”。国产光刻机达到几纳米光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机,结合多重曝光技术,可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革,也将加快推进工业4.0,实现
2、中国制造2025的美好愿景。中国生产光刻机的厂家1、上海微电子装备有限公司2、中子科技集团公司第四十五研究所国电3、合肥芯硕半导体有限公司4、先腾光电科技有限公司5、无锡影速半导体科技有限公司中国光刻机的发展史2009 年9 月下旬,上海微电子装备有限公司研发的先进封装光刻机通过了江阴长电先进封装有限公司的出厂工艺测试,并正式签订了产品销售合同。该光刻机具有“大视场、大焦深、高套刻精度、边缘曝光”等技术特点,可满足先进封装I艺中8 英寸及12 英寸硅片级重新布线凸点等厚胶工艺要求。自2009年11月上生产线运行以来,江阴长电利用该设备已成功完成第一批8英寸“重新布线及凸点工艺”产品的多层光刻生
3、产任务。国产首台先进封装光刻机的研制成功与使用,标志着我国在高端封装关键设备产品创新与开发中取得了可喜突破,对提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力具有重要意义。2010年7月16日下午,上海微电子装备有限公司(简称“SMEE”) 和江阴长电先进封装有限公司(简称“JCAP”) 在江苏省江阴市联合召开了“首台先进封装光刻机使用现场汇报会暨SMEE 与JCAP战略合作协议的签约仪式”会议。科技部、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”实施管理办公室和总体专家组、专项咨询委、上海市科委、江阴市府等单位的领导出席丁会议,科技部曹健林副部长等领导做了重要讲话。随着集成电
4、路产业的发展,高端芯片的集成度已经达到数千至数亿晶体管,推动着芯片封装技术向更高密度、更高性能发展,使基于凸点工艺的封装成为主流技术,对封装光刻机的性能也大幅提高,传统的接近/接触式光刻机已不能满足高性能、高密度、低成本等先进封装工艺发展需求,先进的大视场、大焦深、高精度投影光刻机成为先进封装生产线的关键设备。为了改变该类先进封装光刻机完全依赖进口局面,上海微电子装备有限公司在国家科技重大专项和上海市科委等部门的支持下,成功开发出了用于倒装焊凸点制备的先进封装光刻机。该机型具有自主知识产权,在投影物镜、高精密的工件台、对准调焦测量、软件系统等关键技术上取得了系列创新成果,申请了国家发明专利74
5、项,已获国家发明专利授权22项,申请国际发明专利3项。2009年9月下旬,上海微电子装备有限公司研发的先进封装光刻机通过了江阴长电先进封装有限公司的出厂工艺测试,并正式签订了产品销售合同。该光刻机具有“大视场、大焦深、高套刻精度、边缘曝光”等技术特点,可满足先进封装工艺中8英寸及12 英寸硅片级重新布线凸点等厚胶工艺要求。自2009年11月上生产线运行以来,江阴长电利用该设备已成功完成第一批8 英寸“重新布线及凸点工艺”产品的多层光刻生产任务。国产首台先进封装光刻机的研制成功与使用,标志着我国在高端封装关键设备产品创新与开发中取得了可喜突破,对提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新
6、能力具有重要意义。延伸阅读:光刻机的发展史光刻机的最小分辨率、生产效率、良率均在不断发展。 光刻机的最小分辨率由公示 R=k/NA,其中 R 代表可分辨的最小尺寸,对于光刻技术来说, R 越小越好; k 是工艺常数; 是光刻机所用光源的波长; NA 代表物镜数值孔径,与光传播介质的折射率相关,折射率越大, NA 越大。光刻机制程工艺水平的发展均遵循以上公式。此外,光刻机的内部构造和工作模式也在发展,不断提升芯片的生产效率和良率。根据所使用的光源的改进,光刻机经历了 5 代产品的发展,每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。此外双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展也在不
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 国产 光刻 达到 纳米 中国 发展史
链接地址:https://www.31doc.com/p-3407301.html