在氮化镓中利用光电化学蚀刻深层高纵横比沟槽的进展.doc
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1、在氮化镓中利用光电化学蚀刻深层高纵横比沟槽的进展日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电化学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展Fumimasa Horikiri et al, Appl. Phys. Express, vol11, p091001, 2018。 该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。具有p型和n型材料列的“超结”结构是需要通过深度蚀刻技术来实现的。当这种结构结合到横向场效应晶体管中时,击穿电压能够达到10kV以上。这种超结漂移区和其他深蚀刻结构也会对垂直器件有益。对于激光二极管,晶片切
2、割应用和微机电系统(MEMS)的脊形制造,同样需要高质量的快速蚀刻速率工艺。目前, PEC已经应用于台面,栅极凹陷和垂直腔面发射激光器(VCSEL)制造工艺上。一般情况下,我们通过干等离子体蚀刻(如电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)来实现材料表面的深度蚀刻。 但这将进一步引起在GaN和掩模材料之间低干蚀刻选择性的问题。高质量的蚀刻技术往往很慢,从而缩小了深层结构的范围。研究人员通过空隙辅助分离蓝宝石中的n型氢化物气相外延(HVPE)材料制备了2英寸自支撑GaN衬底(Mike Cooke, Semiconductor Today, p80, June/July 2018 - a te
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