基于CMM下开关损耗和反激开关损耗分析以及公式计算.doc
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1、基于CMM下开关损耗和反激开关损耗分析以及公式计算开关损耗计算-反激篇1、CCM 模式开关损耗CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。1.1 导通时的开关损耗CCM 模式下,开关的导通时的电流与电压波形如图 1 所示。根据数据给出的原理:当MOS 管接感性负载时,当电流变化时,电压保持不变;当电压变化时,电流保持不变。所以可以利用电流的平均值、电压的平均值来计算MOS 管的导通时的开关损耗平均值,可得开关导通时的开关损耗为:1.1.1 CCM 下反激式开关电源损耗公式1. I4 电流的确定先让我们回顾一下 CCM 模式下输入电感的电流波形
2、,如图 2 所示。由图 2 可知:I2 为MOS 管导通时的电流,I3 为MOS 管的最大电流。众所周知,反激式开关电源导通的转换时间是纳秒级的,而导通时间是微秒级的,所以导通时的开关损耗公式中的I4=I2。2. Vds 电压的确定反激电路框图如图 3 所示。在确定 Vds 电压之前,需要确定几点原则:(1)变压器中有能量时,输入绕组、输出绕组至少有一个有电流流过或者两个都有(电流是变压器有能量的表现);(2)输出二极管导通是需要电压的,也就是输出绕组的电压必须上升到Vo+Vf;(3)电感电流不能突变。由于电感电流不能突变,输出绕组必须维持D1 导通的电压来使电流迅速下降,然后才是输出绕组电压
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- 基于 CMM 开关 损耗 分析 以及 公式 计算
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