基于MRAN的 nvNITRO NVMe 存储加速器卡,可实现1.46百万I-O速度.doc
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1、基于MRAN的 nvNITRO NVMe 存储加速器卡,可实现1.46百万I/O速度随着各大处理器处理速度的提高,特别是前几年图1:Everspins nvNITRO NVMe card图:Everspin ST-MRAM 快速写且具有高的 write endurance从上面的坐标系中,随着Y轴数据的增加,观察X轴上可以看到Everspin的ST-MRAM的写速度相当快,几乎和DRAM速度相同,当然了,这一点也确实是实现nvNITRO加速器具有相当快的读写速率的原因之一。另外,关于Everspin nvNITRO NVMs 存储加速器的数据手册中值得指出的一点是“用户可以通过写自己的RTL
2、code到可编程的FPGA芯片来自定义feature”(原文为:Customer-defined features using own RTL with programmable FPGA),这就好比说用户自己可以在nvNITRO 存储加速器卡系统中的Lintex UltraScale KU060 FPGA芯片中写code来实现PCIe接口和ST-MRAM控制器,即在不增加BOM开销的前提下,你可以写自己独特的需求code在这个设计系统中。这样一说的话,如果身边有这样一块板子的话确实值得一试。总结在上面的整个介绍中,主要是突出了nvNITRO这个加速器卡的访存速度超级快,并对其快的原因进行了分析。其实结合以前的一些文章,可以发现并归纳出 一个关键点:使用FPGA其实是实现这些性能的一个前提,比如说应用FPGA可以灵活的实现各种数据接口和控制器;还有一点就是使用FPGA使得整个系统的灵活性完全不一样了,更多的为用户的自主设计流出了空间。相信在以后的更多用到Xilinx 高性能FPGA的设计中将会越来越注重将FPGA的灵活性发挥出来。
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