基于PN8275+PN8308H的12V3A六级能效方案,并分享应用设计要点.doc
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1、基于PN8275+PN8308H的12V3A六级能效方案,并分享应用设计要点如何实现低待机功耗?PN8275内置850V 高压启动及放电模块,265Vac轻松实现50mW待机功耗!如何提高转换效率?PN8308H内置80V/10m 智能功率MOSFET,115Vac/230Vac平均效率大于92%!如何简化EMC设计?PN8275内置X电容放电模块,可通过增大X电容简化传导设计;PN8308H采用独特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压,改善辐射3dB以上!本期,Chipown技术团队为大家介绍基于PN8275+PN8308H的12V3A六级能效方案,并分享应用设计要点。封装及脚位配置图PN827
2、5是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片,结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效,并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号:DK-76617-UL);PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10m智能功率MOSFET,用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简,采用独特电流跟踪技术,可在50ns内快速关断,改善系统EMI特性,彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。PN8275PN830
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