基于芯片制造的3D技术.doc
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1、基于芯片制造的3D技术从SiP系统级封装的传统意义上来讲,凡是有芯片堆叠的都可以称之为3D,因为在Z轴上有了功能和信号的延伸,无论此堆叠是位于IC内部还是IC外部。但是目前,随着技术的发展,3D IC却有了其更新、更独特的含义。基于芯片堆叠式的3D技术3D IC的初期型态,目前仍广泛应用于SiP领域,是将功能相同的裸芯片从下至上堆在一起,形成3D堆叠,再由两侧的键合线连接,最后以系统级封装(System-in-Package,SiP)的外观呈现。堆叠的方式可为金字塔形、悬臂形、并排堆叠等多种方式,参看下图。另一种常见的方式是将一颗倒装焊(flip-chip)裸芯片安装在SiP基板上,另外一颗裸
2、芯片以键合的方式安装在其上方,如下图所示,这种3D解决方案在手机中比较常用。基于无源TSV的3D技术在SiP基板与裸芯片之间放置一个中介层(interposer)硅基板,中介层具备硅通孔(TSV),通过TSV连结硅基板上方与下方表面的金属层。有人将这种技术称为2.5D,因为作为中介层的硅基板是无源被动元件,TSV硅通孔并没有打在芯片本身上。如下图所示:基于有源TSV的3D技术在这种3D集成技术中,至少有一颗裸芯片与另一颗裸芯片叠放在一起,下方的那颗裸芯片是采用TSV技术,通过TSV让上方的裸芯片与下方裸芯片、SiP基板通讯。如下图所示:下图显示了无源TSV和有源TSV分别对应的2.5D和3D技
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