安森美创新的ATPAK封装汽车功率MOSFET.doc
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1、安森美创新的ATPAK封装汽车功率MOSFET随着汽车功能电子化趋势的不断增强,汽车内的电子元件越来越多,应用环境日益严苛,汽车设计工程师需要考虑空间和性能等多方面因素,功率MOSFET是提供低功耗和更小尺寸的理想器件,被广泛用于许多汽车应用,如防抱死制动系统(ABS)的油压阀控制、电动窗和LED照明的电机控制、气囊、暖通空调(HVAC)系统、动力总成应用、电子动力转向和信息娱乐系统等等。为推进MOSFET实现更高能效,安森美半导体开发出微间距沟槽(Fine pitch trench)技术、夹焊(Clip bonding)技术和领先行业的、创新的ATPAK封装技术。微间距沟槽技术通过减小门极单
2、元间距,提供更高单元密度及微结构,从而实现较低导通电阻,以提高能效,降低功耗。夹焊技术则大大提升电流处理能力,并提供直接从裸片顶部析出热量的热路径。ATPAK封装不但增加功率密度,还提高电流处理能力,提升散热性。ATPAK封装减小尺寸,提高功率密度燃油动力车及电动车需要更小尺寸和更高功率密度的功率器件。安森美半导体独特的ATPAK封装技术可满足这要求。如下图所示,与业界传统的DPAK和D2PAK封装相比,ATPAK的封装尺寸大大减小:DPAK比D2PAK占位面积小60%,厚度小49%,而ATPAK虽然与DPAK保持相同的占位面积,但厚度却又减少了35%。ATPAK封装采用夹焊技术提升散热性随着
3、封装尺寸变得更小,器件内的温度往往增高,因为它变得更难于导出多余热量。而散热性对总能效、安全及系统可靠性至关重要。ATPAK封装采用夹焊技术,可将热阻抗及总导通电阻降至最低,比采用传统的金属线粘结的DPAK封装大大提升电流处理能力。热阻抗是指1 W热量所引起的温升大小,单位为/W。热阻抗越低,散热性越好。经选用相同规格的ATPAK和 DPAK 器件进行测试和对比,结果显示即使无散热片时的热阻抗相同,在采用散热片后 ATPAK 比 DPAK 的热阻抗低 6/W。传统的金属线粘结使用金、铜或铝来连接封装中硅芯片的每个电极。然而,由于每种线都相对较薄,这从根本上限制了电流处理。通过增添更多并联的导线
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