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1、马J 中华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 s a / T 1 0 4 1 6 -9 3 半导体分立器件芯片总规范 G e n e r i c A p e c i f i c a t i o n f o r c h i p f o r s e mi c o n d u c t o r d i s c r e t e d e v i c e s 1 9 9 3 - 1 2 - 1 7 发布 1 9 9 4 - 0 6 - 0 1 实施 中华人民共和国电子工业部发 布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 半导体分立器件芯片总规范 s J / T 1 0 4 1 6 -9
2、 3 G e n e r i c A p e c i f i c a t io n f o r c h i p f o r s e mi c o n d u c t o r d i s c r e t e d e v i c e s 主题内容与适用范围 本标准规定了 半导体分立器件芯片( 以下简称 “ 芯片竹的技术要求、 检验方法及验收规则. 本标准适用于牛导体分立器件芯片, 含已枯膜划片的大圆片和未划片的大圆片。 单 个管芯 也可参照使用。 2 31 用标准 G B 1 9 1 GB 4 58 9. 1 GB 4 93 7 GB 4 9 3 8 GB 12 96 2、 GB 1 2 9 6
3、4 GJ B 1 2 8 3术语 包装储运图示标志 半导体器件分立器件和集成电路总规范 半 导体分立器件机械和气候试验方法 半 导体分立器件 接收和可靠性 硅 单晶一 , 硅 单晶地光片 半导体分立器件试验方法 挡比 r a n g e r a t io 符合芯片详细规范规定的电参数某挡的数量与所提交总数的百分比. 质t一致性检验 4 . 1 检验批的构成 一 个 检 验 批 可由 一 个 生 产 批 组 成, 或 者 在 下 述 情 况 下 由 几 个 生 产 批 组 成: a . 这些生产批是在相同条件下( 生产线、 工艺、 材料等) 制造出 来的。 每个生 产批的检验结果表明, 材料和工
4、序质盘能保持生产的产品符合规范 要求; 集合成一个检验批的周期一般不搏超过一周。除非另有规定, 但也不得超过一个月, 4 . 2 凡本 章中 采用的“ 规定, 或“ 按规定” 一词, 未引 让出 处时, 即指引证芯片 详细规范。 4 . 3 A组检验( 逐批) A组检验由列于表1 的6 个分组构成, 主要检验芯片的图形、 尺寸、 外观质盘、 键合强度、 中 华人民共和国电子工业部1 9 9 3 - 1 2 - 1 7 批准1 9 9 4 - 0 6 - 0 1实施 一1 一 S i / T1 0 4 1 6 -9 3 剪切强度及主要直流参数的技术性能。 表 1 A组检验( 逐批) 分组 检验或
5、试验技术要求试验方法 LTPD A 1 外观 图形( 版图) 图片完整性 按规定目检或显微镜 5( C=0 ) A2 芯片尺寸( 长X宽) 芯片厚度 芯片平面度 芯片平行度 按规定 CB1 2 9 6 2 GB 1 2 9 6 2 GB 1 2 9 6 4 GB 1 2 9 6 4 1 5 A 3 正反面金属化及金属化层缺陷 钝化层缺陷 氧化层缺陷 键合区缺陷 划片缺陷 中测打点质童 按规定 GJ B 1 2 8中2 0 7 2 GJ B 1 2 8中2 0 7 3 按规定 按规定按规定 A 4 键合强度按规定GB 4 9 3 ?中2 . B 2 0 ( C=1 ) ( 每批至少一片) AS
6、剪切强度 广 -一 按规定GJ B 1 2 8中2 0 1 7 2 0 ( C=1 ) ( 每批至少一片) A6 直流参数 按规定按规定 1 ) 注: 1 )二极管 L TP D= 7 ( C = I ) 三极管 L TP D =1 0 ( C二1 ) 4 . 4 C组检验( 周期检验) C 组检验由 列于表2 的3 个分组组成。 主要检验芯片封装成器件后器件的电性能、 电耐久 性及耐高温贮存的技术性能。 C组检验周期为 6 个月。 表 Z C组检验( 周期) 分组试验或检验试验方法条件 检验要求 1 LTPD 最小值最大值 C 1 电参数按规定按规定按规 定1 0 C2 电耐久性试验GB 4
7、 9 3 8i =1 6 8 h按规定1 0 C 3 高温4 . 存试验( 非工作)GB 4 9 3 7 t =1 6 8 h T令丁., 按规定1 0 一2一 s ,J / T 1 0 4 1 6 - 9 3 鉴定及验收 51 鉴定程序及合格标准 当制造厂为某一型号芯片中请鉴定批准时, 除按有关鉴定规定执行外, 芯片需经下列试 验 : a . 本标准第 4 . 3 条A组检验( 逐批) b . 本标准第4 . 4 条 C 组检验( 周期) 。芯片组装成器件后, 按器件详细规范中的质量一致性检验要求, 连续三批 A组、 B组 和一批 C组检验. 注: 由于 b , c 两项检验与器件后部装配技
8、术关系密切 需确认后部装配条件正常后方可进行. 5 . 2 验收规则 5 . 2 . 1 提交验收的芯片必须符合本标准第4 . 1 条检验批构成的 规定。 5 . 2 . 2 如果 A组( 逐批) 检验不合格, 可以将不合格项目的分组进行第二次检验, 抽样数及抽 祥方案同第一次, 如果仍不合格, 则该批判为不合格批。 5 . 2 . 3 如果C组( 周期) 检验不合格, 并被确认通过重新检验分类或适当的筛选试验可以发 现并拒收有缺陷的芯片时, 允许对不合格项目的分组进行第二次周期试验, 抽样数及抽样方案 同第一次。 当第二次周期试验仍不合格时, 该批芯片判为不合格批。 5 . 2 . 4 提供
9、大圆片单片管芯合格率及挡比应符合有关详细规范的规定。 包装 及贮存 1 芯片一般应密封包装, 以便芯片处于良好的保护环境中, 使芯片不受外界化学的、 物理 、 机械的应力, 造成损伤。 66.的 6 . 2 提交的每批芯片应有合格证, 并提供下列 数据: a . 芯片名称( 或相应器件型号) ; b . 制造厂名 称、 代号或商标; e . 生产批编号或生产日期; d . 检验日 期; e . 合格管芯数; f . 挡比( 合同有规定时) ; 9芯片检验测试数据( 合同有规定时) 。 6 卜 3 包装的芯片应确保在合理的运输条件下不受损伤. 6 . 4 包装标志应有符合 G B 1 9 1 中“ 小心轻放” 、 “ 怕湿, 等的规定。 6 . 5 必要时, 应采取防静电 包装。 6 . 6 必要时, 应提供版图尺寸, 划片间距及键合面积、 钝化膜、 正反面金属化结构及厚度的数 据资料。 附加说明: 本标准由 北京电 子管厂、 电子工业部标准化研究所、 华晶集团公司负责起草。 本标准主要起草人: 朱丽云、 王长福、 张从智 一3 一
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