[电子标准]-SJT10311-19921.pdf
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1、L 9 9 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 s J / T 1 0 3 1 1 一9 2 低压化学气相淀积设备 通用技术条件 G e n e r i c s p e c i f i c a t i o n o f l o w P r e s s u r e C h e m i c a l v a p o r D e p o s i t i o n s y s t e m 1 9 9 2 - 0 6 - 0 5 发布1 9 9 2 - 1 2 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子行业标准 低压化学气相淀积设备 通用技术条件 S J / T 1
2、 0 3 1 1 -9 2 Ge n e r i c S p e c i f i c a t i o n o f l o w P r e s s u r e C h e mi c a l v a p o r D e p o s i t i o n S y s t e m 主题内容和适用范围 , . , 主题内容 本标准规定了低压化学气相淀积( L P C V D ) 设备的技术术语及薄膜厚度( 以下简称膜厚) 均匀性的计算公式、 产品分类、 技术要求、 试验方法、 检验规则及包装、 运输、 贮存等方面的要 求 。 1 . 2 适用范围 本标准适用干卧式热壁型低压化学气相淀积设备( 以下简称 L
3、 P C VD设备) 的设计、 制造 及工艺应用。其它形式的L P C VD设备的研制亦应参照使用。 2 引用标准 S J 2 0 6 5半导体器件生产用扩散炉测试方法 S J 1 4 2电子工业专用设备总技术要求 S J 9 4 6电子测试仪器电气、 机械结构基本要求 G B 1 9 1包装储运图示标志 G B 6 3 8 8 运输包装收发货标志 3术语及公式 3 . 1 淀积温度 淀积各种微电子固体薄膜时所需要的工艺温度. 3 . 2 系统极限真空度 在规定的时间内L P C V D设备系统处于密闭状态下抽气所能达到的最低压强值。 3 . 3淀积压强 在淀积薄膜的工艺过程中, 满足工艺要求
4、的工作压强。 34 气密性 表征系统密封性能优劣的程度。 3 . 5 膜厚均匀性 表征淀积膜厚度不均匀程度的最大误差分布称为膜厚均匀性, 通常用片内均匀性.片间 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9 2 - 0 6 - 1 5发布1 9 9 2 - 1 2 - 0 1 实施 一1 一 S J / T 1 0 3 1 1 -9 2 均匀性和批间均匀性共同说明膜厚均匀性分 布的情况 . 计算通用公式为: 式 中: o a误差百分 比 一 士 叁 振鲁x 1 0 0 % 8 - 二 同组测试数据中的最大值 a m 。 同组测试数据中的最小值 否同组测试数据的算术平均值 一 告 客 a; 3 .
5、6 温度梯度 是指在温区长度范围内两个最外端测试点的温度差值。 产品分类 按反应管数可分为单管或多管。L P C VD设备可用于完成一种或多种微电子固体薄膜的 制备工艺 。 非卧式反应管结构型式的 LP C VD设备 同样按单室或多室分 类。 5 技术要求 . 5 . 1 外观及一般要求 5 . 1 . , 设备的外观及外形 L P C V D设备的外观结构应符合下列原则: a . 布局合理 、 美观大方、 结构紧凑( 积木式排列) 、 显示清晰; b . 操作方便, 易于维修; c . 设备机柜内外表面及金属零件外表面的涂( 镀) 层不应有明显的凹痕、 划伤、 龟裂、 起 泡、 露底、 针孔
6、、 脱落和锈蚀等缺陷, 表面平整色泽均匀; d , 名牌粘接牢固, 字迹和内容应清楚无误; e . 紧固件连接牢固, 无松动现象, 开关、 旋钮等的调整应方便, 操作灵活可靠。 5 . 1 . 2 一般要求 L P C V D设备应符合本技术条件要求, 并按规定程序批准的图纸和有关技术文件制造, 并 具有良好的工艺实用性和安全性。 5 . 2 主要技术指标及性能 5 . 2 . 1 晶片规格 D 5 0 , 7 5 , 1 0 0 m m等 5 . 2 . 2 装片量-5 0片/ 每批 5 . 2 . 3 温度范围3 0 0 -1 0 0 0 C 5 . 2 . 4 温区长度及精度镇士1 “C
7、/ ( 4 0 0 -8 0 0 mm) 注: 在温区范围内, 温度梯度。 - 3 0 可调 5 . 2 . 5 温度稳定性簇士1 0C / 2 4 h 5 . 2 . 6 系统极限真空度 a . 除气体管路以外的部 分优于。 . 4 p a / l O m i n 内 b . 整个系统( 从泵口到气体源瓶减压器出口处) 优于 1 . 3 3 p a / l O min内 一2 一 S J / T 1 0 3 1 1 -9 2 5 . 2 . 7 淀积压强可控可调 5 . 2 . 8 工艺气体采用质量流量控制器( 以下简称MF C ) 控制。 ( 精度(士2 % F S响应时间成l o ) 5
8、 . 2 . 9 工艺过程控制方式自动或手动 5 . 2 . 1 0 运动机械动作平稳, 噪声小。 5 . 3 安全要求 由于L P C VD工艺中使用易燃、 易爆和有毒危险性气体, 为了保证设备使用安全和人身安 全, 特提出以下要求: 5 . 3 . 1 L P C V D设备的整个工艺系统: 真空排气装置、 加热炉、 净化工作台、 气体管路等, 以及 配套的石英反应管、 冷却水路、 必要的连接机构、 安全连锁及气源瓶柜等关键部件, 都必须安全 可靠的工作.整机要求和装配要求应符合S J 9 4 6 第 2 条和第 4 条的要求。 5 . 3 . 2 在气路部分、 气源瓶柜、 真空排气部分等
9、机柜上方要设有排风口, 以便与用户厂房内的 排风设施相连接。 5 . 3 . 3 设备应有良 好的废气、 废液排放措 施。 ( 参见附录A ) 对易燃、 易 爆、 有毒等危险品 应有 相应的安全措施, 凡室温下或者极易相互发生化学反应的气体源瓶不允许放在同一个气瓶柜 内。 5 . 3 . 4 在设备的气密性和极限真空度达不到第5 . 2 . 6 条中的所规定的技术要求时, 绝不允许 使用危险气体。 5 . 3 . 5 气路管道及管路部件要使用耐腐蚀不锈钢材料。 5 . 3 . 6 设备各机柜外壳及泵电机外壳都要可靠接地。 接地电阻小于4 S E 。 电源进线插头或接线 端子对地绝缘电阻不小于2
10、 M . 5 . 3 . 7 电源引入端与机壳间应能承受 1 5 0 O V( 5 O H z ) 交流电压试验, 历时 l m i n无击穿和飞弧 现象。 5 . 4 电源要求 设备在电网电压3 8 0 V/ 2 2 0 V士1 0 %内变化, 频率为 5 0 Hz 条件下, 应能正常工作。 5 . 5 工艺指标( 确保值) 表 1 膜 种 类 项目 均匀性 片内片间批间 折 射 率 淀积速率 人/ mi n 装 片 童 ( 片/ 每批) 数据 S i , N, G 士4%( 士5%( 士5%2 0 0士0 . 0 54 0 - 6 0)5 0 p o ly -S i ( 士4%成 士4%簇
11、 士5%6 0 - 1 0 05 0 S i O, ( L TO) 簇 士5%镇 士6%5士6%1 . 5 0 士0 . 05 1 . 5 0 工 0 . 05 6 0- 8 035 0 6 0- 8 0妻5 0 Si O, ( HTO) (士5%( 士6%镇士6% P SG( 士7%G 士7%(士6%1 00 - 2 0 035 0 BP S G 注,Q 1 B P S G膜的工艺指标在本标准中不做明确规定。 一3一 S J / T 1 0 3 1 1 -9 2 淀积速串值供参考 表中均匀性数据是使用包括硅烷在内的任何一种硅源时的结果. 5 . 6 使用环境要求 大气压: 8 6 -1 0
12、6 k p a ; 温度: 5 - - 4 0 C; 相对湿度: 不大于 8 5 %; 具有空调的清洁间; 室内无强电磁干扰, 无强光直接照射, 没有明显的振动。 5 . 了 运输环境和包装的要求 温度: 一4 0 -+5 5 C; 相对湿度: 9 0 % ( 2 5 C ) ; L P C V D设备的包装箱及被包装的设备按S J 1 4 2 运输试验b项的规定进行. 试验后包装 箱不损坏、 不变形、 设备完好并符合相应等级的技术要求 5 . 8 可靠性要求 L P C V D设备能稳定可靠的工作( 参见附录 B ) , 6 试验方法 6 . , 外观和结构检查 6 . 1 . 1 用测量工
13、具对照图纸检验外形尺寸, 目 视检验外观, 用手检验转动机构均应符合5 . 1 条要求。 6 . 2 主要技术指标及性能测试方法 6 . 2 . 1 温度试验 在温度范围内选择3 0 0 和1 0 0 0 两个 温度值之间的任一温度值进行温区长度及精度单 点稳定性的试验。 试验方法按s 7 2 0 6 5 第 4 条和第 5 条进行。应符合5 . 2 . 3 和 5 . 2 . 4 条规定。 6 . 2 . 2 气密性试验 对整个L P C V D设备应进行工作压强试 验, 对管路系统应进行气密 性试验。 6 . 2 . 2 . 1 系统极限真空度试验 使用经过校准并符合精度要求的真空测量仪器
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