[电子标准]-SJ 50033.159-2002 半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范.pdf
《[电子标准]-SJ 50033.159-2002 半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《[电子标准]-SJ 50033.159-2002 半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范.pdf(8页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、中华 人 民共 和 国 电子 行 业 军 用 标 准 F L 5 9 6 1S J 5 0 0 3 3 / 1 5 9 - 2 0 0 2 半导体分立器件 3 D G 1 型硅超高频低噪声晶 体管 详细规范 S e mi c o n d u c t o r d i s c r e t e d e v i c e s D e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r t y p e 3 D G 1 4 2 s i l i c o n U H F l o w - noi s e t r a n s i s t o r 2 0 0 2 - 1 0 - - 3 0
2、发布2 0 0 3 - 0 3 - 0 1实施 中华 人 民共和 国信 息 产 业 部批 准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件 3 D G 1 4 2 型硅超高频低噪声晶体管详细规范 5 J 5 0 0 3 3 / 1 5 9 . 2 0 0 2 S e mi c o n d u c t o r d i s c r e t e d e v i c e s D e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r t y p e 3 D G1 4 2 s i l i c o n U H F l o w - n o i s e t r a n s i s
3、 t o r 范围 . 1 主题内容 . 本规范规定了3 D G 1 4 2 型硅超高频低噪产性磊体管C 以 卞简称器件) 的详细要求。 . 2 适用范围 本规范适用于器件的研 对又 属 至 产不 课两泵 . 3 分类 本 规范 根 据 器 件 质 :R : 4 级 a e分 类。 . 31 器件的等9;, 竣 按 G J B 3 3 A 书 7 半导 狂 分 览 .器 件 总规 范 II 汀 ;3 的 规 定 , 提 供 白 够 贷 豪 保 证 等 级 为 瞥 军 级 、 特 军 级和超特军级三级, 份别用争脚P 每 一 J 呀盯酥表 录a 2 引用文件 G B I T 4 5 8 7 +
4、0一 半 导 体 分 劲立 器 件 和 一集 成电 琳第 7 部 分 : 双 极 型 .彝 丝 一管 G B I T 7 5 8 1 = 8 粉 半导 体 矜 奕器 作 外 形 尺 寸 - G J B 3 3 A 一9 7 r 导体分立器件总规范 G J B 1 2 8 A一9 7、 半导1体; 荃 立器件,试验方瑙寥 3 要求 3 . 1 详细要求 各项要求应符合G J B _ 3 3 入 种本规范的规定。 3 . 2 设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺 吐应一符 G I B ,-., 六 本 规筵的规定 _.:.0 3 . 2 . 1 引出端材料和镀涂层 发射极、基极和集电极引
5、出端材料为可伐合金,引出端表面镀金。 3 . 2 . 2 器件结构 采用硅平面N P N 双极型外延结构. 3 . 2 . 3 外形尺寸 外形尺寸按G B I T 7 5 8 1 中A 4 - 0 I C 型的规定,见图I。 中华人民共和国信息产业部 2 0 0 2 - 1 4 - - 3 0发布 2 0 0 3 - 0 3 - 0 1实施 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 S J 5 0 0 3 3 / 1 5 9 - 2 0 0 2 必D 叻Q 4 5 0 暇mm OD, 符号 尺寸 最小标称最大 . 4 5 . 3 47 . 2 3 咖 2 . 5 4
6、 必f 1 . 01 沙a 0 . 4 0 7 0 . 5 0 8 四 5 . 31 5 . 8 4 四, 4 . 5 34 . 9 5 J 0 . 9 2l , 1 5 K0 . 5 11 . 2 1 L1 2 . 5 2 5 . 0 L f 1 . 2 7 引出端极性: I发射极 2摹极 3集电极 4地 图1 外形尺寸图 3 . 3 3 . 3 . 1 最大额定值和主要电特性 最大额定值见表 表1 最大额定值 型号 p t -M , mw T , = 2 5 C V C B 0 V 性r- ) V I c 讯 人 T s t g T ; 3 DG1 4 21 0 01 51 2 1 5 -
7、 6 5 - - - 2 0 0 2 0 0 1 )当T A 2 5 时,按0 . 5 7 m N V I K 线性降额。 3 . 3 . 2 土要电 特性见表 ( T A = 2 5 0C )。 S J 5 0 0 3 3 / 1 5 9 - - 2 0 0 2 表r: 主要电特性 叹 六 庄 1 1 yF E l不 rr c s s a t V 场 0 1 uA I C F O vA f T A 公七 Ga d B 凡 d B I c = 1 m A 胜E = 6 V I c = 1 0 m A 几= 1 mA I e = 0 咬$ = 6 V I E = 0 V C E = 6 V 户4
8、 0 0 MH z V cs= 6 V, I c = I M A 最小值最大值最大位最大值最大值最小值最小值最大值 3 DG 1 4 2 A 3 DG 1 4 2 B 3 DG1 4 2 C 2 0 1 2 00 . 30 . 10 . 18 0 0 8 4 3 2 . 5 1 )直流法测试. 3 . 4 3 . 5 测试要求 测试应符合G l B 3 3 A 及本规范的规定。 少 、 标志 器件上应有如下标志: 器件型号; 承制方标志; 4 质量保证规定 4 . 1 抽样和检验 抽 样 和 检 验 应 打 合 石 幻球和 本规 范 表 4 、 表 浪 几 义 滚b 、 表 7 的 规 定 。
9、 4 . 2 鉴定检验 鉴 定 检 验 应 兮 G J B 3 3 A V * IXA r W t范 的 规 斌 4 . 3 筛选 ( 仅对J T 和超T 级) 筛 选 应 按 G J B J 3 A 的 表 2 的 翻 义 认 具 体 筛 选 要 求 撑 冰 奔 见 莎 表 I Rj进F J . IA “ 琪R 1试 应 按 本 决 见 范 表 4 的 规定进行,超过本规范表4 秘 值的 器件应剔除子 一 表3 一 一污 筛选要求 筛选 见G J B 3 3 A表2 试 验方法 G j n l z 9 A ; 法 一号 条件 竹和 犷 堆 1 .内部目检2 0 7 2 #一 、 NO 份 强
10、1微镜, 1 b 3 -l r X 2 0 4 攀 一黔 4 8 七 2 .高温寿命 3 .温度循环 1 如 -, 而丢 件 c 乡 循 王 ,2 (3 次 -次 C p 4 .恒定加速度 2 0 0 6 丁防简7 1 死0 0 0 m l s , 保持1 m i n 要求不 适用 7 .密封 a .细检漏 b 。粗检漏 1 0 7 条件 I , . R ,= 5 X 1 0 - 3 P a c m 3 1 s , P = - 5 1 7 k P a , r - 4 h 条件C , P = 5 1 7 k P a , t = 2 h 9 .中间测试电参数k R a I 和h FE I 1 0
11、.高温反偏 1 0 3 9T A = 1 5 0 C,V cs= 1 2 V, t = 4 8 h 1 1 .中间电参数1 0 3 0 1 和h FE , 1 2 .功率老炼 1 0 3 9T A = 2 5 r - ,p b= 1 0 V ,八, t = 1 0 4 mW* t - 1 6 0 h 1 3 .终点测试 o l c a o , 为初始值的】 0 0 %或4 . 0 5 ii A ,取较大者, d h FE l C 初始值的 2 0 1 )未指明的项目不适用. 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 s J 5 0 0 3 3 / 1 5 9 - -
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电子标准 电子标准-SJ 50033.159-2002 半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范 电子 标准 SJ 50033.159 2002 半导体 分立 器件 DG142 超高频
链接地址:https://www.31doc.com/p-3691260.html