[电子标准]-SJT 11212-1999 石英晶体元件参数的测量 第6部分 激励电平相关性(DLD)的测量.pdf
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1、SJ 中华人民共和国电子行业标准 S J / T 1 1 2 1 2一 1 9 9 9 i d t I E C 4 4 4 -6 : 1 9 9 5 石英晶体元件参数的测量 第 6部分:激励电平 相关性 ( D L D )的测量 Me a s u r e m e n t o f q u a r t z c rys t a l u n i t p a r a m e n t e r s 一 P a r t 6 : Me a s u r e me n t o f d r i v e l e v e l d e p e n d e n c e ( D L D 1 9 9 9 一 0 s 一 2 6
2、发布1 9 9 9 一 1 2 一 0 1 实施 中华人民共和国信息产业部发布 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 目次 前言 I E C前言 I E C序言 1总则 , , , , , , , , 。 , , , , , , , ( 1 ) 1 . 1 范围 , . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( 1 ) 1 . 2 引用标准 , , , , ( 1 ) 2 D L D效应 , , , , 4 , - , , , , “ 。 。 一( 2 ) 2 .
3、1频 率 和 电 阻 的 可 逆 变 化 , , , , , 。 , , ( 2 ) 2 . 2 频 率 和 电 阻 的 不可 逆 变 化 , , , , , 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . ( 2 ) 2 . 3 D L D效应的原因 , , , ( 2 ) 3 D I D 测 量 的 激 励电 平 , , . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4、. . . . . . . . ( 2 ) 4 试验方法 , , , , 。 , , , , , , , 。 ( 3 ) 4 . 1 试验方法A( 二 型网 络法) , , , , , , , ( 3 ) 4 . 2 试验方法 B( 振荡器法). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . , , ( 4 ) 附录A( 标准的附 录) 石英晶体元件的激励电平和 机械 位移之间的 关系 , ( 1 0 ) 标准分享网 w w w .b z f x
5、 w .c o m 免费下载 前言 本标准等同采用国际电工委员会 I E C 4 4 4 一 6 : 1 9 9 5 石英晶体元件参致的MR第 6X 分:激励电 平相关性 ( D I D )的 测量 。 这样.使我国石英晶体元件参数测量的电子行业标准与 IE C石英晶体元件参数的侧A标 准相一致,以 适应此领域中国 际技术交流和经济贸易往来迅速发展的需要, 便于我国生产的 这类产品质量水平达到国际通用要求并在国际市场流通。 本标准与 下述五 项电 子行业标准构成石英晶体元件参数测量的完整系列标准。 S I / Z 9 1 5 4 . 1 - 8 7 用二 型网络零相位法测量 石英晶 体元件参数
6、的第一部分: 用二 型网络 零相位法测量石英晶体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法 ( id t I E C 4 4 4 一1 : 1 9 8 6 ) S I / Z 9 1 5 4 . 2 一 8 7 用二 型网络零相位法测量石英晶 体元件参数第二部分: 测量石英晶体 元件动态电容的 相位偏置法 ( i d t I E C 4 4 4 一 2 : 1 9 8 0 ) S i / Z 9 1 5 4 . 3 - 8 7 用二 型网络零相位法测量石英晶体 元件参数 第三部分:利 用有并电容 场补偿的二 型网 络相位法测量频率达2 0 0 M H z 的 石英晶 体元件两端网 络参数的基本方法 (
7、id t I E C 4 4 4 一 3 : 1 9 8 6 ) S YT 1 1 2 1 0 一1 9 9 ! 石英晶体元件参数的侧it第四部分:频率达 3 0 M H z 石英晶体元件 负载谐振频率五和负载谐振电阻凡的测lk方法及其他导出 参数的 计算 ( i d t I E C 4 4 4 一 4 : 1 9 8 8 ) S VT 1 1 2 1 1 - 1 9 9 9 石英晶体元件参数的测t第 5 部分:采用自动网络分析技术和误 差校正确定等效电参数的方法 ( id t I E C 4 4 4 一 5 : 1 9 9 5 ) 本标准由电子工业部标准化研究所归口。 本标准由电子工业部标准
8、化研究所负责起草。 本标准主要起草人:邓鹤松、章怡、宋佩任、边一林。 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 I E C 前言 1 ) I E C( 国际电工委 员会)是由 各国 家电 工委员会 ( I E C 国家委员会) 组成的世界性标 准化组织。E E C 的目的是促进电工电子领域中标准化问题的国际合作。为此 目的,除其他活 动外, EE C 发布国 际标准。国际标准的制定由技术委员会承担,对所涉及内 容关切的任何 E E C 国家委员会均可参加国际标准的制定工作。与 IE C有联系的任何国际、政府和非官方组 织也可以参加国际标准的制定,E E C与国际标准
9、化组织 ( I S O )根据两组织间协商确定的条 件保持密切的合作关系。 2 ) E E C在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关切的国家委员会参加 的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。 3 )这些决议或协议以 标准、 技术报告或导则的 形式发布,以 推荐的 形式供国际 上使用, 并在此意义上,为各国家委员会认可。 4 )为了促进国 际上的统一, 各E E C 国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能采用 I E C标准。I E C标准与相应国家或地区标准之间的任何差异均应在国家或地区标准中指明。 国际标准 I E C 4 4 4 - 6由E E C
10、第 4 9( 频率控制和选择用压电和介电器件)技术委员会制 定。 本标准构成石英晶 体元件参数测量系 列标准的第6 部 分。 第1 部分: 二 型网络 零相位 法测量石英晶 体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法,出版 为I E C 4 4 4 一1 ( 1 9 8 6 年第二版) 。 第2 部分: 测量石英晶 体元件动态电 容相位偏置法, 出版为I E C 4 4 4 - 2 ( 1 9 8 6 年版) 。 第3 部分:有 并电容C a 补偿的二 型网络相位法测量频率达2 0 0 M H z 的石英晶体 元件两 端网络参数的基本方法,出版为I E C 4 4 4 一3 ( 1 9 8 6 年版)
11、 。 第4 部分: 频率达3 0 M H z 石英晶 体元件负载谐振频率.h和负载谐振电 阻凡的测量方法 及其他导出参数的计算,出版为】 E C 4 4 4 一4 ( 1 9 8 8 年版) 。 第5 部分:采用自动网络分析技术和误差校正确定等效电参数测量晶体元件的基准方 法,出版为I E C 4 4 4 一 5 ( 1 9 9 5 年版) 。 本标准文本以下列文件为依据: 国际标准草案表决报告 4 9 ( C O ) 2 7 3 4 9 /2 8 4 /RVD 表决批准本标准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。 附录A构成本标准不可缺少的一部分。 编注:I E G1 4 4 一5已于 1
12、 9 9 5出版,原文是 “ 将出版为 M C 4 4 4一5 0 .其名称中,P e r m He re后遗漏 “ e n d -a i m“ 三个词。 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 I E C 序言 由于压电效应,激励电 平 ( 以晶体元 件两端的功率或电压或通过晶体元件的电流表示) 强迫谐振子产生机械振荡。在这个过程中.加速度功转换为动能和弹性能,功耗转换为热。 后者的转换是由于石英谐振子的内部和外部摩擦所造成的。 摩擦损耗与振动质点的速度有关, 当振 荡不再 是线性的, 或当 石英谐振子内 部或其表面 及安装点的拉伸或应变、位移或加速度达到临界速
13、度时, 摩攘损耗将增加 ( 见附录人 ) 。因 而引起电阻和频率的变化,并且,由于这些参数与温度有关.从而引起电阻和频率的进一步 变化。 高激励电平 ( 如A T 切晶体元件在1 m w或1 m A以上)时, 可以在所有晶体元件上观察 到这些变化。而且, 它们还会造成振幅和频率的不可逆 变化。 激励电 平再增加就可能 破坏谐 振子。 除上述效应外, 对某些晶体在低激励电平 ( 如A T 切晶体元件在1 娜 或5 0 泌 下)时, 也可以 观察到频率和电 阻的变化。这种情况下, 若环路 增益不足, 起振很困难。在晶体滤波 器中,传输衰耗和波动就会发生变化。 此外,规定的振动模式与其它模式 ( 如
14、谐振子本身、装架和回填气体)之间的拥合也与 激励电平有关。由 于这些模式有不同的 温度响应, 因此,在窄温范围内, 这些藕合使规定模 式的频率和电阻变化加大。这种变化随激励电平的增加而增加。但是, 在I E C 4 4 4 的本部分 中将不对该效应做进一步的研究。 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 石英晶体元件参数的测f 第 6 部分:激励电平相关性 ( D L D)的测f S J / T 1 1 2 1 2一1 9 9 9 记t E EC中抖一6; 1 9 9 5 Me at s u r e n mt 成
15、印 a a n 比c r y s 因 . 面 住 脚 叭以 州曰 一 P e r l 6 ; Me a s u r em e n t o f d r i v e l e v e l d e p e n d e n ce ( D I D 总则 1 . 1 范围 本标准适用于石英晶体元件激励电平相关性 ( D I D )的测量。本标准规定两种试验方 法。方法人 , 以印 / Z 9 1 5 4 . 1 - 8 7 的二 型网络为基础, 适用于 该标准所覆盖的整个频率范围。 方法B , 是振荡器法, 适用于固定 条件下大批量基频石英晶体元件的测量。 1 . 2 引用标准 下列引用标准所包含的条文.通
16、过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版 时, 所示版本均为有效。所有引用标准都 会被修订, 使用本标准的各方应探讨、 使用下列引 用标准泛新版本的可能性。 S J / Z 9 1 5 4 石英晶体元件参数的测量 C J / Z 9 1 5 4 . 1 - 8 7 用二 型网 络零相位法测量石英晶体元件参数第1 部分:用二 型网络 零相位法测量石英晶体元件谐 振频率和谐振电阻的 基本 方法 ( i d t I E C 4 4 # 一1 : 1 9 8 6 ) 2 DU) 效应 2 . 1 频率和电阻的可逆变化 可逆变化是,分别在低电平和商电平下进行重复测量后。或从最低电平到最高电平及相
17、 反做连续或半连续测量后,在同一激励电平下出现的频率和电阻的变化,如果这些变化保持 在测量准确度的范围内。 2 . 2 频率和电阻的不可逆变化 不可逆变化是,在高电平下中间测量后,在低电平出现有频率和 ( 或)电阻的显著变 化。例如,低电平下先前的高电阻在重复测量时变成了低电阻。 中 华人民共 和国信息产 业部1 9 9 9 一 0 8 一 2 6 发布1 9 9 9 一 1 2 一 0 1 实施 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 S T / T 1 UU 一 1 9 ! 珍 注: 若晶体元件几天不工作,当其在低电平下再次工作时, 它的电阻可以返回到商的 值
18、。应当特别注意不可逆效应,因为它会对那些只是在偶尔工作的器件性能造成较大的损 害。 2 . 3 D I D效应的原因 虽然大多数可逆效应是由于晶体激励电平过载引起的,但是不可逆效应则是由于例造的 原因造成的, 尤其是不完善的生产技术所造成。例如有以下 原因: 谐振子表面的徽粒 ( 由于油、清洗剂、溶荆的局部粘附或静电吸附) ; 谐振子的机械损伤 ( 例如, 因过于粗 糙的 磨粒造成的划痕) ; 电极中含有气体和油 ( 例如,由于燕发期间真空度不良或镀膜速率不合适) ; 装 架时电 极接触不良 ( 例如, 导电胶 金属 含量不合适, 没有充分地烘烤, 或烘烤时 过热; 此外还有导电胶与电极或支架
19、间的接触电阻过大) ; 支架、电极和石英片之间的机械应力。 3 D I D测,的激励电平 D L D 测I要施加低激励电 平和高激励电 平 ( 而且可能的话可以有尽可能多的激励电 平) 。 高激励电平是标称激励电平,即稳定状态下应用的电平。 应该注意,这个电平应低于附录 A中推导出的最大可用电平。如果没有规定,对于 A T 切晶 体元件, 应该采用晶体电流为1 m A , 相应的速度。 二为0 . 2 m / 。 时的标准值, 然后用规 定的最大和最小电阻的平均值计算激励电平 ( 单位:W) o 由 于侧量仪器噪声限值 ( 根据S 7 / Z 9 1 5 4 . 1 约在1 n W或 I O
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- 电子标准 电子标准-SJT 11212-1999 石英晶体元件参数的测量 第6部分 激励电平相关性DLD的测量 电子 标准 SJT 11212 1999 石英 晶体 元件 参数 测量 部分 激励
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