[电子标准]-SJT10639-1995.pdf
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1、SJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 S J / T 1 0 6 3 9 一1 9 9 5 石英晶体元件术语 Q u a r t z c r y s t a l u n i t t e r m s 1 9 9 5 - 0 4 - 2 2 发布 1 9 9 5 - 1 0 - 0 1 实施 中华人民共和国电子工业部发布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 S 1 / T 1 0 6 3 9 -1 9 9 5 石英晶体元件术语 代替S i 1 5 8 1 -8 0 Qu a r t z c rys t a l u n i t t e r ms 主题内容与适用范围
2、 1 主题 内容 本标准规定了电子技术中频率控制与选择用石英晶体元件的名词术语。 2 适用范围 本标准适用于科研、 生产及商贸等领域所使用的石英晶体元件术语。 2 引用标准 S 7 / Z 9 1 5 7 -8 7 ( I E C 3 0 2 ) 工作频率达 3 0 MH : 的压电振子的标准定义和测量方法 一 般术语 3 . 1 晶体切型 o r y s t a l o u t 石英晶片相对于石英晶体晶轴的取向。 注: 此取向相对于晶轴的角度称切角。 3 . 2 石英晶片 。 ry s t a l e l e m e n t 切割加工成一定几何形状、 尺寸并相对晶轴有一定取向的压电体。 3
3、. 3 石英晶体毛片 q u a r t z o r y s t a l b la n k 从石英晶体上直接切割下来未经研磨加工的石英晶片。 3 . 4 电极 e le c t r o d e 与晶片表面接近或接触的导电板或导电膜, 通过它给晶片施加电场。 3 . 5 晶 体振子 。 ry s t a l u n i t 具有电极的石英晶片。 3 . 6 石英晶体元件 o r y s t a l u n i t 由晶体盒及装入其中的晶体振子所组成的具有频率选择和控制特性的电子元件。 3 . 7 谐振件r e s o n a n c e u n i t 由支架和晶体振子装配成的单元。 3 . 8
4、 支架 m o u n t in g s y s t e m 支撑晶体振子并使电极引出的部件。 3 . 9 振动模式 m o d e o f v i b r a t i o n 中 华人民共和国电子工业部1 9 9 5 - 0 4 - 2 2 批准1 9 9 5 - 1 0 - 0 1 实施 S J / T 1 0 6 3 9 一 1 9 9 5 振 动体在边界条 件下由于受到 外加激励电 场作用使各质点所产生的振动模型、 振动频率。 一般振动模式有: 弯曲( f l e x u r a l ) ; 伸缩( e x t e n s io n a l ) ; 面切变( f a c e s h e
5、 a r ) ; 厚度切变 ( t h i k n e s s s h e a r ) , 3 . 1 0 基频晶体元件 f u n d e m e n t a r c ry s t a l u n i t 振子设计工作在给定振动模式最低阶次上的晶体元件。 3 . 1 1 泛音晶体元件o v e r t o n e c r y s t a l u n i t 振子设计工作在比给定振动模式最低阶次要高的阶次上的晶体元件。 3 . 1 2 泛音次数o v e r t o n e o r d e r 将给定振动模式的逐次泛音从基颇作为 1开始的一系列递增的整数, 这些数为泛音次 数。对切变和伸缩模式
6、. 其泛音次数是接近泛音频率与基频频率之比的一个整数。 3 . 1 3 基频f u n d e m e n t a l f r e q u e n c y 在振动模式最低阶次的振动频率。 3 . 1 4 泛音o v e r t o n e 晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍. 这是它与电 气谐波的主要区别。 3 . 1 5 晶体盒c r y s t a l e n c lo s u r e 保护振子并具有与外电路电气连接作用的闭合容器。 3 . 1 6 石英晶体元件插座 c r y s t a l u n i t s o c k e t 用以固定石英晶体元件并提供
7、电连接的接插件。 4电性能 4 . 1 石英晶体元件等效电 路 o r y s t a t u n it e q u i v a l e n t c i r c u i t 是一个在谐振频率附近具有与石英晶体元件相同阻抗特性的电路。通常用一个电感、 电 容和电阻作串联臂, 再与石英晶体元件两端电容并联来表示。串联电路参数电感、 电容和 电阻 分别以L , , C , , R , 表示, 并电容( 静电 容) 以C o 表示。见图 t o 注: 石英晶体元件的频率有很多. 详见 S J / Z 9 1 5 7 , 4 . 2 谐振频率( f) r e s o n a n c e f r e q
8、u e n c y 在规定条件下, 石英晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。 4 . 3 串 联 谐 振 频 率 ( f , ) s e r ie s r e s o n a n c e f r e q u e n c y 石英晶体元件等效电路图中串联臂电抗最小时的频率。 ; 一 I 厂事 兀 yJ 曰 1 七碑1 4 . 4 反谐振频率( f , ) a n t i 一 r e s o n a n c e f r e q u e n c y 在规定条件下, 石英晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较高的一个频率。 4 . 5 负载谐振频率( f L ) lo a d r e
9、s o n a n c e f r e q u e n c y 在规定条件下, 晶体元件与一负载电容相串联或并联, 其组合阻抗呈现为电 阻性时两个频 率中的一个频率。在串联负载电容时, 负载谐振频率是两个频率中较低的那个频率; 在并 S i / T 1 0 6 3 9 -1 9 9 5 联负载电容时负载谐振频率则是其中较高的那个频率( 见图 2 ) , 对于某一给定的负载电容( C L ) , 实际这两个频率是相等的, 即: 1 / L , C , ( C - +C , ) 云= 2 甘. 了一六一 一 二二 二 一- , 只 f匀七t十 。十 L 往: 石英晶体元件的有关预率很多. 详见 $
10、 J / Z 9 1 5 7 , 4 . 6 并电容( C , ) P a r a l le l c a p a c i t a n c e 等效电路中( 图 1 ) 与串联臂并接的电容也称静电容。 4 . 7 动态电容( C l ) m o t i o n a l c a p a c i t a n c e 等效电路中串联臂里的电容。 4 . 8 动态电 感( L t ) m o t i o n a l i n d u c t a n c e 等效电路中申联臂里的电感。 4 . 9 电容比( Y ) r a t io o f c a p a c it a n c e 并电容与动态电容之比。
11、Y =C JC , o 4.1 0 4. 11 品质因 数( Q ) q u a l i t y 石英晶体元件谐振特性曲线的锐度。 ._ L. 7 Q= 七二=一 - 二- 只 =7 M。 、R 1 - , C 1 R, 优值( M) f i g u r e o f m e r it 石英晶体元件活力的特征值。 M= 一1 ., C, R, 式中: W , 二 2 a f , o 5 工 作特性 5 . 1 标 称频率( f . ) n o m i n a l f r e q u e n c y 石英晶体元件规范中所指定的频率。 5 . 2 Z 作频率( f , ) w o r k i n g
12、 f r e q u e n c y 石英晶体元件与其电路一起产生的振荡频率。 5 . 3 频率允许偏差 5 . 3 . 1 总 频差 o v e r a l l t o l e r a n c e 由调整频差和温度变化引起的工作频率变化, 相对于标称频率总的允许偏差。 5 . 3 . 2 调整频差 a d j u s t m e n t t o le r a n c e 在规定条件下, 基准温度时工作频率相对于标称频率允许的偏差。 5 . 3 . 3 温度频差t o l e r a n c e o v e r t e m p e r a t u r e r a n g e 在规定条件下, 在
13、工作温度范围内相对于基准温度时工作频率的允许偏差。 5 . 3 . 4 老化频差 a g e in g t o l e r a n c e 在规定条件下, 由于时间引起的允许频率偏差。 5 . 3 . 5 激励频差t o l e r a n c e d u e t o l e v e l o f d r i v e v a r ia t i o n 由于激励电平变化所引起的频率允许偏差。 S I / T 1 0 6 3 9 一 1 9 95 5 . 4 基准温度 r e f e r e n c e t e w p e r a t u r e 为了确定石英晶体元件的频率准确度而规定的温度。 通常
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