00153-SMT无铅焊接深圳研讨会资料(全集) .pdf
《00153-SMT无铅焊接深圳研讨会资料(全集) .pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《00153-SMT无铅焊接深圳研讨会资料(全集) .pdf(911页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、SMTSMT发展动态与新技术介绍发展动态与新技术介绍发展动态与新技术介绍发展动态与新技术介绍 顾霭云顾霭云 电子组装技术的发展电子组装技术的发展电子组装技术的发展电子组装技术的发展 随着电子元器件的小型化、高集成度的发展,电子组装 技术也经历了以下几个发展阶段: 随着电子元器件的小型化、高集成度的发展,电子组装 技术也经历了以下几个发展阶段: 手工(手工( 50年代) 半自动插装浸焊(年代) 半自动插装浸焊( 60年代 )年代 ) 全自动插装波峰焊(全自动插装波峰焊( 70年代) 年代) SMT( 80年代)年代) 窄间距 窄间距SMT( 90年代) 超窄间距年代) 超窄间距SMT 据飞利浦公
2、司预测,到据飞利浦公司预测,到据飞利浦公司预测,到据飞利浦公司预测,到20102010年全球范围插装元器件年全球范围插装元器件年全球范围插装元器件 年全球范围插装元器件 的使用率将下降到的使用率将下降到的使用率将下降到的使用率将下降到10%10%,SMC/SMDSMC/SMD将上升到将上升到将上升到将上升到90%90% 左右。左右。左右。左右。 SMTSMT是电子装联技术的发展方向,是电子装联技术的发展方向,是电子装联技术的发展方向,是电子装联技术的发展方向,SMTSMT已成为世已成为世已成为世 已成为世 界电子整机组装技术的主流。界电子整机组装技术的主流。界电子整机组装技术的主流。界电子整机
3、组装技术的主流。 SMTSMTSMTSMT的发展概况的发展概况的发展概况的发展概况 SMTSMT是从厚、薄膜混合电路、演变发展而来的。是从厚、薄膜混合电路、演变发展而来的。是从厚、薄膜混合电路、演变发展而来的。是从厚、薄膜混合电路、演变发展而来的。 美国是世界上美国是世界上SMD与与SMT最早起源的国家,最早起源的国家, 日本在日本在SMT方面处于世界领先地位。方面处于世界领先地位。 欧洲有较好的工业基础,发展速度也很快,欧洲有较好的工业基础,发展速度也很快, 新加坡、韩国、香港和台湾省亚洲四小龙发展较快。新加坡、韩国、香港和台湾省亚洲四小龙发展较快。 我国我国SMT起步于二十世纪起步于二十世
4、纪80年代初期,目前正处于快速发 展阶段,并已成为 年代初期,目前正处于快速发 展阶段,并已成为SMT世界加工基地之一,设备已经与国 际接轨,但设计、制造、工艺、管理技术等方面与国际还 有差距。应加强基础理论和工艺研究,提高工艺水平和管 理能力。 世界加工基地之一,设备已经与国 际接轨,但设计、制造、工艺、管理技术等方面与国际还 有差距。应加强基础理论和工艺研究,提高工艺水平和管 理能力。努力使我国真正成为努力使我国真正成为努力使我国真正成为努力使我国真正成为SMTSMT制造大国、制造强国制造大国、制造强国制造大国、制造强国制造大国、制造强国。 SMTSMTSMTSMT发展总趋势:电子产品功能
5、越来越强、体积越来越小、发展总趋势:电子产品功能越来越强、体积越来越小、发展总趋势:电子产品功能越来越强、体积越来越小、 发展总趋势:电子产品功能越来越强、体积越来越小、 元器件越来越小、组装密度越来越高。组装难度也越来越大元器件越来越小、组装密度越来越高。组装难度也越来越大元器件越来越小、组装密度越来越高。组装难度也越来越大元器件越来越小、组装密度越来越高。组装难度也越来越大 年度年度 电子产品电子产品 印制板印制板 SMCSMC SMDSMD (IC)(IC) 组装形式组装形式 组装密度组装密度 (焊点/cm(焊点/cm2 2) 例:手机例:手机例:手机 例:手机 199419941994
6、19942002200220022002 体积 重量 价格 功能体积 重量 价格 功能 重量重量700g 120g 68g 手表式 手持电脑手机 音像 娱乐 手表式 手持电脑手机 音像 娱乐 1 1 1 1 元器件发展动态元器件发展动态元器件发展动态元器件发展动态 SMCSMCSMCSMC片式元件向小型薄型发展片式元件向小型薄型发展片式元件向小型薄型发展片式元件向小型薄型发展 其尺寸从1206(3.2mm1.6mm)其尺寸从1206(3.2mm1.6mm) 向0805(2.0mm1.25mm)向0805(2.0mm1.25mm) 向0603(1.6mm0.8mm)向0603(1.6mm0.8m
7、m) 向0402(1.00.5mm)向0402(1.00.5mm) 向0201(0.60.3mm)发展。向0201(0.60.3mm)发展。 最新推出最新推出最新推出最新推出01005 01005 (0.40.40.40.40.2mm0.2mm0.2mm0.2mm) (01005C(01005C已经有样品已经有样品已经有样品已经有样品, 01005R, 01005R正在试制正在试制正在试制正在试制) ) SMDSMDSMDSMD表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展 SMD
8、SMD的的的的各种封装形式各种封装形式各种封装形式各种封装形式 QFPQFP (Plastic Quad Flat Pack) PBGAPBGA (Plastic Ball Grid Array) CSPCSP (Chip Scale Package) FCFC- -PBGAPBGA ( Flip Chip Plastic Ball Grid Array ) DCADCA (Direct Chip Attach) FCOBFCOB (Flip Chip on Board) WLCSPWLCSP Wafer Level Chip Scale Package 2 2 2 2 窄间距技术(窄间距技术
9、(窄间距技术(窄间距技术(FPTFPTFPTFPT)是)是)是)是SMTSMTSMTSMT发展的必然趋势发展的必然趋势发展的必然趋势发展的必然趋势 FPT是指将引脚间距在0.635FPT是指将引脚间距在0.6350.3mm之间的SMD和长宽 1.6mm0.8mm的SMC组装在PCB上的技术。 0.3mm之间的SMD和长宽 1.6mm0.8mm的SMC组装在PCB上的技术。 由于电子产品多功能小型化促使半导体集成电路的集成度越来越 高,SMC越来越小,SMD的引脚间距也越来越窄,目前0.635mm和0.5mm 引脚间距的QFP已成为工业和军用电子装备中的通用器件。 由于电子产品多功能小型化促使半
10、导体集成电路的集成度越来越 高,SMC越来越小,SMD的引脚间距也越来越窄,目前0.635mm和0.5mm 引脚间距的QFP已成为工业和军用电子装备中的通用器件。 元器件的小型化促使SMT的窄间距技术(FPT)不断发展和提高。元器件的小型化促使SMT的窄间距技术(FPT)不断发展和提高。 (1) BGA 、CSP的应用已经比较广泛、工艺也比较成熟了。(1) BGA 、CSP的应用已经比较广泛、工艺也比较成熟了。 (2) 0201(0.60.3mm)在多功能手机、CCD摄象机、笔记本电脑等产品 中已经比较广泛应用。 (2) 0201(0.60.3mm)在多功能手机、CCD摄象机、笔记本电脑等产品
11、 中已经比较广泛应用。 (4)Flip Chip在美国IBM、日本SONY公司等都已经应用了倒装芯片技术在美国IBM、日本SONY公司等都已经应用了倒装芯片技术 (5) MCM多芯片模块多芯片模块由于由于SMC/SMD已经不能再小了,已经不能再小了,MCM功能 组件是进一步小型化的方向。 功能 组件是进一步小型化的方向。 PBGAPBGA结构结构结构结构 CSPCSP结构结构结构结构 片基(载体)形式片基(载体)形式 载带形式载带形式 Chip 元件的发展动态 Chip 元件的发展动态 SOIC 发展动态 SOIC 发展动态 新型元器件新型元器件新型元器件新型元器件 LLPLLPLLPLLP(
12、Leadless Leadless Leadless Leadless LeadframeLeadframeLeadframe Leadframe package package package package ) ) 新微型封装新微型封装新微型封装新微型封装 新焊端结构新焊端结构新焊端结构新焊端结构: : : :LLP(Leadless Leadframe package )LLP(Leadless Leadframe package ) MLF(Micro Leadless Frame )MLF(Micro Leadless Frame ) QFN(Quad Flat No-lead)QF
13、N(Quad Flat No-lead) 在硅片上封装(在硅片上封装(在硅片上封装(在硅片上封装(WLPWLPWLPWLP) 晶圆晶圆 Wafer Level (Re-Distribution) Chip Scale Package COB(Chip On Board)COB(Chip On Board) 3 3 3 3 无铅焊接的应用和推广无铅焊接的应用和推广无铅焊接的应用和推广无铅焊接的应用和推广 日本首先研制出无铅焊料并应用到实际生产中,已在 2003年禁止使用。 日本首先研制出无铅焊料并应用到实际生产中,已在 2003年禁止使用。 美国和欧洲提出2006年7月1日禁止使用。美国和欧洲提
14、出2006年7月1日禁止使用。 我国信息产业部对无铅化生产限期:我国信息产业部对无铅化生产限期:我国信息产业部对无铅化生产限期: 我国信息产业部对无铅化生产限期: 2006200620062006年年年年7 7 7 7月月月月1 1 1 1日。日。日。日。 4 4 非非非非ODSODSODSODS清洗介绍清洗介绍清洗介绍清洗介绍 有关的政策有关的政策 禁止使用的ODS物质和时间:禁止使用的ODS物质和时间: 用于清洗的ODS物质有:FC113、CCl用于清洗的ODS物质有:FC113、CCl4 4 、1.1.1.三氯乙烷。属于 蒙特利尔议定书中规定的第一、第二、第三类受控物质。发达国 家已于1
15、996年停止使用。发展中国家2010年全部停止使用。 、1.1.1.三氯乙烷。属于 蒙特利尔议定书中规定的第一、第二、第三类受控物质。发达国 家已于1996年停止使用。发展中国家2010年全部停止使用。 中国作为(蒙约)谛约国,承诺在2010年全面淘汰ODS物质。中国 政府意识到保护臭氧层的紧迫性,因此又承诺在目前国际替代技 术发展的情况下,在发达国家资金援助和技术转让保证的前提 下,中国清洗行业将在2006年停止使用ODS。在此期间将采用逐步 替代、逐步淘汰的方针。 中国作为(蒙约)谛约国,承诺在2010年全面淘汰ODS物质。中国 政府意识到保护臭氧层的紧迫性,因此又承诺在目前国际替代技 术
16、发展的情况下,在发达国家资金援助和技术转让保证的前提 下,中国清洗行业将在2006年停止使用ODS。在此期间将采用逐步 替代、逐步淘汰的方针。 印制电路板(印制电路板(印制电路板(印制电路板(PCBPCBPCBPCB)焊接后清洗的替代技术焊接后清洗的替代技术焊接后清洗的替代技术焊接后清洗的替代技术 (1) 溶剂清洗(1) 溶剂清洗 a 非ODS溶剂清洗a 非ODS溶剂清洗 b HCFC清洗b HCFC清洗 HCFC只是一种过渡性替代物,最终(2040年)也是要禁用的。HCFC只是一种过渡性替代物,最终(2040年)也是要禁用的。 (2) 免洗技术(2) 免洗技术不清洗而达到清洗的效果不清洗而达
17、到清洗的效果 对于一般电子产品采用免洗助焊剂或免洗焊膏,焊后可以不清洗。对于一般电子产品采用免洗助焊剂或免洗焊膏,焊后可以不清洗。 (3) 水洗技术(3) 水洗技术 水洗技术可分为水洗和水中加表面活性剂两种工艺。水洗技术可分为水洗和水中加表面活性剂两种工艺。 (4) 半水技术(4) 半水技术 半水技术属水洗范畴,所不同的是加入的洗涤剂属可分离型。半水技术属水洗范畴,所不同的是加入的洗涤剂属可分离型。 PCBPCB- -SMDSMD复合化复合化复合化 复合化 在多层板中预埋在多层板中预埋在多层板中预埋在多层板中预埋R R、C C、L L元件,实现高密度组件。元件,实现高密度组件。元件,实现高密度
18、组件。元件,实现高密度组件。 其它新技术其它新技术其它新技术其它新技术 新型封装新型封装新型封装 新型封装 FCFCFCFC- - - -BGA BGA BGA BGA (flip chipflip chipflip chipflip chip) 进一步微型化进一步微型化 芯片芯片 芯片芯片 凸点凸点 凸点凸点 MCMMCM(multichip module)multichip module)多芯片模块封装多芯片模块封装多芯片模块封装多芯片模块封装 3D3D封装封装封装封装 3D Systems in Package 3D Systems in Package (SIP)(SIP) 存储器存储
19、器存储器存储器 ASIC+ASIC+存储器存储器存储器存储器 功能模块功能模块功能模块功能模块 硬盘驱动器中的硬盘驱动器中的硬盘驱动器中的 硬盘驱动器中的 系统级芯片系统级芯片系统级芯片系统级芯片( (包括读通道和硬盘控制器包括读通道和硬盘控制器包括读通道和硬盘控制器包括读通道和硬盘控制器) ) 模块式数码手机模块式数码手机模块式数码手机模块式数码手机 SMTSMT与与与与ICIC、SMTSMT与高密度封装技术相结合的产物与高密度封装技术相结合的产物与高密度封装技术相结合的产物与高密度封装技术相结合的产物 IPD ( 集成无源元件)( 集成无源元件) MCM(多芯片模块多芯片模块) 无源与有源
20、的集成混合元件无源与有源的集成混合元件 SIP(系统级封装) 三维晶圆级堆叠的立体组件 系统级封装) 三维晶圆级堆叠的立体组件 模块化、系统化推动模块化、系统化推动模块化、系统化推动模块化、系统化推动SMTSMT向更简单、更优化、低成向更简单、更优化、低成向更简单、更优化、低成 向更简单、更优化、低成 本、高速度、高可靠方向发展。本、高速度、高可靠方向发展。本、高速度、高可靠方向发展。本、高速度、高可靠方向发展。 通孔元件再流焊工艺通孔元件再流焊工艺通孔元件再流焊工艺通孔元件再流焊工艺 ACAACA技术技术技术 技术 (Anisotropic Conductive AdhesiveAnisot
21、ropic Conductive Adhesive) 在在在在PitchPitch4040mm的超高密度以及无铅等环保要求的的超高密度以及无铅等环保要求的的超高密度以及无铅等环保要求的 的超高密度以及无铅等环保要求的 形势下,形势下,形势下,形势下, ACAACA各向异性导电胶技术也悄然兴各向异性导电胶技术也悄然兴各向异性导电胶技术也悄然兴 各向异性导电胶技术也悄然兴 起。例如在起。例如在起。例如在起。例如在LCD (LCD (液晶显示液晶显示液晶显示液晶显示) ) 面板、面板、面板、面板、PDPPDP(等离子(等离子(等离子 (等离子 体显示器)、体显示器)、体显示器)、体显示器)、HDDH
22、DD(硬盘驱动器)磁头、存储器(硬盘驱动器)磁头、存储器(硬盘驱动器)磁头、存储器 (硬盘驱动器)磁头、存储器 模块、光电偶合器等封装互连中已经得到应用。模块、光电偶合器等封装互连中已经得到应用。模块、光电偶合器等封装互连中已经得到应用。模块、光电偶合器等封装互连中已经得到应用。 SMTSMTSMTSMT发展总趋势发展总趋势发展总趋势发展总趋势 1. 电子产品功能越来越强、体积越来越小、造价越来越低、更新换代 的速度也越来越快。 1. 电子产品功能越来越强、体积越来越小、造价越来越低、更新换代 的速度也越来越快。 2. 元器件越来越小,0201等高密度、高难度组装技术的开发研究。2. 元器件越
23、来越小,0201等高密度、高难度组装技术的开发研究。 3. 无铅焊接技术的研究与推广应用。3. 无铅焊接技术的研究与推广应用。 4. 电子设备和工艺向半导体和SMT两类发展,半导体和SMT的界线逐步 模糊,尤其封装技术。 4. 电子设备和工艺向半导体和SMT两类发展,半导体和SMT的界线逐步 模糊,尤其封装技术。 5. 我国5. 我国SMT处于快速发展阶段,我国将成为处于快速发展阶段,我国将成为SMT世界加工厂的基地。 我国 世界加工厂的基地。 我国SMT发展前景是广阔的。发展前景是广阔的。 目前设备已经与国际接轨,但设计目前设备已经与国际接轨,但设计 / 制造制造 / 工艺工艺/管理技术与国
24、际有 差距。 应加强基础工艺研究。努力使我国真正成为 管理技术与国际有 差距。 应加强基础工艺研究。努力使我国真正成为SMT制造大国制造大国 / 制 造强国。 制 造强国。 SMT印制电路板的 可制造性设计及审核 印制电路板的 可制造性设计及审核 顾霭云顾霭云 基板材料选择 基板材料选择 布线布线 元器件选择 元器件选择 焊盘焊盘 印制板电路设计印制板电路设计测试点测试点 PCB设计设计可制造(工艺)性设计 可制造(工艺)性设计 导线、通孔导线、通孔 可靠性设计 可靠性设计 焊盘与导线的连接焊盘与导线的连接 降低生产成本 降低生产成本 阻焊阻焊 散热、电磁干扰等散热、电磁干扰等 印制电路板(以
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 00153-SMT无铅焊接深圳研讨会资料全集 00153 SMT 焊接 深圳 研讨会 资料 全集
链接地址:https://www.31doc.com/p-3725665.html