GBT 12750-1991.pdf
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1、UD C 6 2 1 . 3 - 0 4 9 - 7 7 4 L 5 5 中 华 人民 共 和国 国 家 标 准 c B / T 1 2 7 50 一 9 1 半导体集成电路分规范 ( 不包括混合电路) S e c t i o n a l s p e c i f i c a t i o n f o r s e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u i t s , e x c l u d i n g h y b r i d c i r c u i t s ( 可供认证用) 1 9 9 1 一 0 3 一 2 1 发布 1 9 9 1
2、 一 1 1 一 0 1 实施 国家技术监督局 发 布 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 半导体集成电路分规范( 不包括混合电路) GB / T 1 275 0一 91 S e c t io n a l s p e c i f i c a t i o n f o r s e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u i t s , e x c l u d i n g h y b r i d c i r c u i ts ( 可供认证用) 范围 本分规范适用于已封装的半导体集成电路, 包括多片集成电路, 但不包括混合电路。 2
3、 总则 本规范 应与有关的总规范一起使用, 并为评定包括数字、 模拟及接口 电路在内的半 导体集成电 路规 定了质量评定程序、 检验要求、 筛选顺序、 抽样要求、 试验和测量程序的详细内容。 所有用确定工艺制造的器件允许应用“ 能力批准程序” ( 见Q C 0 0 1 0 0 2 8 程序规则 1 1 . 7 条, 但目 前集 成电路的“ 能力批准程序” 尚在考虑之中) 来代替“ 鉴定批准程序” 。 如果需要且技术上可行, 则对用上述确定工艺生产的任一型号或一组型号产品可以补充应用质址 一致性检验规则( 见G B 4 5 8 9 . 1 ( 半导体集成电路总规范 3 . 6 条及本规范5 -
4、9章) 。 本规范的所有要求在未被新条款“ 能力批准程序” ( 在考虑中) 的要求修改前, 将继续有效. 2 . 1 有关文件 G B 4 5 8 9 . 1 半导体集成电路总规范 2 . 2 温度推荐值 见! E C 7 4 8 - 1 Q 半导体器件集成电路第 1 部分总则 第IA章第 5 条。 2 . 3 电 压推荐值 见I E C 7 4 8 - 1 第VI章第6 条。 2 . 4 与制造过程有关的定义 2 . 4 . 1 生产线 生产线定义为一套工艺操作( 包括一个或多个下述制造阶段) : a . 扩散; b . 芯片制备; c .装配 ; d . 最终加工和最终电 测量; 注: 这
5、些阶段不含质量评定程序. ( 1 ) 扩散 该阶 段为制 造的初始阶段到划片前最后一道工序这一制造工艺操作过程。 ( 2 ) 芯片制备 该阶段为将晶片划分成芯片的制造工艺操作过程。就本规范而言, 按制造厂情况, 可将这一阶段划 入扩散阶段或者装配阶段。 ( 3 )装配 国家技术监督局1 9 9 1 一 0 3 一 2 1 批准1 9 9 1 一 1 1 一 0 1 实施 GB / T 1 275 0 一 91 该阶段为粘片、 引线键合和封装这一组制造工艺操作过程。 ( 4 ) 最终加工 和最终电测 旦 该阶段为批放行前的最后制造工艺操作过程, 包括: 电镀在内的引出端后处理( 如有的话) ;
6、b . 涂锁; 标志; d 最终电 测量。 ( 5 ) 筛选( 如适用) 筛选可作为装配和( 或) 最终加工的组成部分, 其定义见第8章。 2 . 4 . 2 生产批 生产批通常由一周内在相同生产线上通过相同工艺制造的相同型号的器件组成。 2 . 4 . 3 制造过程的 更改 ( ) -Il i: 要更改的定义 对于按已批准的规范供货的产品而言, 能影响产品质量或性能, 或会使产品从器件的一个结构相似 组转到另一个( 新的或已存在的) 组( 见第 6 章) 的工艺或技术的任何改变均视为重要更改。检查长有责 任确定是否属于重要更改。 在下面第( 3 ) 条里给出了重要更改的一些示例 ( 2 )
7、有重要更改时的程序 必须将任何重要更改的通知书及证明保持质量的 试验数据递交国 家监督检查机构( N S I ) , ( 3 ) 重要更改示例 芯片粘接 一 一 由合金焊接变为环氧树脂粘接。 改换设备但未改变工艺, 或者用预制金片代替镀金表面, 均不能视为重要更改。 b . 晶体饨化 从氮化硅变为二氧化硅; 一 一钝化层的顺序改变 钝化层的淀积方法改变不能视为重要更改。 外壳材料 从陶瓷变为塑料; - 一 从塑料 A变为塑料B , d . 金属化 一一金属化层从金变为铝。 芯片尺寸和( 或) 芯片版图设汁 - 一保护层和( 或) 阻挡层的采用。 f . 键合 - 一 从热压变为超声; - 一
8、从金丝变为铝丝。 B . 质a _ .致性检验期间的功能验证 - - 一 试验方案中任何试验步骤的减少。 转包 当已 批准的制造厂涉及Q C 0 0 1 0 0 2 中1 1 . 1 . 2 条有关转包的条款时, 制L,厂应保证满足下 述条件: 转包的制造工艺可以是扩散 工艺或者将筛 选并 人其内 的装配工艺. 装配后的筛选也可以单独 转包, GB/ T 12 750 一 91 而最终加工仅能与整个装配工艺 除可以分别 转包的电 镀外( 见上述2 . 4 . 1 条) 一起转包。 国家监督检查机构应确知: 认证电子元器件质量评定体系( I E C Q ) 内器件的检查长已获取 I E C Q地
9、区外任一制造过程的i 部评定和检验文件, 包括每个 受 检徉本的检验 记录。 - 一一检查长定期核实按商定条件实施质量评定和检验的情况。 当部分工艺从一个制造场所转移到 I E C Q地区内的制造厂时, 应向认证器件的检查长提供转移程 序并取得他的同意。 N S I 应得到通知 并收 到有关文件, 检查要求和制造程序的任何更改应向 认证器 件的 检查长报告, 而重要更改则应由俭 查长向N S I 报 告( 见上 述2 . 4 . 3 条 。 批准的制造厂应按详细规范的规定对认证器件进行验收试验, 也可在I E C Q 地区之外的工厂进行 这些验收试验, 只要该厂也得到N S I 的监督。此外,
10、 验收试验也可以转包给I E C Q 地区内已 批准的试验 室 。 制造 的初始阶段 本分规范中制造的初始阶段定义如下: 4 . 1 双极型器件 改变纯P 型或纯N 型单晶半导 体材料的第一 道工序。 4 . 2 单极型器件 如MO s 、 场效应器件) 衬底的第一次氧化或衬底上的第一次淀积。 5 质t评定程序 5 . 1 鉴定批准程序 一般应采用Q C 0 0 1 0 0 2 , 1 1 . 3 . 1 条方法( b ) , 其抽样要求应符合本规范表7 和表8 的 规定。 然而, 只要所采用的抽样要求在有关的 空白 详细规范里有规定, 则允许采用Q C 0 0 1 0 0 2 , 1 1 .
11、 3 . 1 条 方法( a ) , 5 . 1 . 1 检验批 检验批的定义见Q C O O I U 0 2 , 1 2 . 2 条。 此外, 从中抽取样品用于A , B 和C 组检验的批应由 相同 生产线( 见2 . 4 . 1 条 和6 . 2 . I 条) 生产的符 合下述条件的器件组成: 一一 A组和B 组: 一个枪验批包括田检验批代码所表示的一个 月内或连续4 周内生产的器件. 一 一 c组: 提交周期检验的祥品应是以连续 3 个月检验批代码或连续 1 3 周检验批代码所表示的 3 个月内制造的器件 - - D组: 提交周期检验的样品应是以连续 1 2 个月检验批代码或连续 5 2
12、 周检验批 戊码所表示的 1 2 个月内制造的器件。 5 . 2 能力批准程序 在考虑中 。 6 结构相似性程序 6 . 1 一般规则 6 . 1 . 1 目的 结构相似性程序用于减少应经受试脸的检验批数量。 6 . 1 . 2 原则 对适用于一组器件型号的某项试验而言, 如果遵循本章所述的以及适用于该项试验的结构相似性 GB / T 12 750 一 91 一般和特殊的判别规则( 见表 1 ) , 则可对组内的一个型号进行该项试验, 而获得的结果可认为代表组内 所有的型号。 那些判据的确定系基于这样的原则, 即对代表型号验证的一致性和可靠性为有关的那些型 号至少提供了同样的一致性和可靠性保证
13、. 结构相似性不能用于 A组检验中的电气试验和目检。 6 . 1 . 3 应用条件 ( 1 ) 依次规定的试验和测量 结构相似性程序适用于单项试验。 当依次规定几项试验时, 应根据下述原则: 对分组内一系列试验的结构相似性编组而言, 其判别规则取决于全部试验中最本质的试验。 注: 该原则用于B 5 / C 5分组时, 最本质的试验即为“ 温度快速变化气 ( 2 ) 应用于 质量评定程序 本结构相似性程序专门应用于质量评定 程序, 详细应用条件在第7 章给出。 6 . 1 . 4 结构相似性一般规则 ( 1 ) 可选一个型号作为一 组型号的 代表 进行规定的 试验, 选取的型号在各周期可以不同,
14、 仅取决于 该周期内生产的型号。 ( 2 ) 对组内所有有关型号, 应允许采用相同的加速试验程序。 ( 3 ) 一组型号满足了特定的判别规则, 如仍在特性上存在重大差异, 则有关试验应选用能为该项试 验提供最大失败风险的最临界的器件作为代表型号. ( 4 ) 如果一个器件型号出现失效, 则应认为与该代表型号有关的所有器件要受影响。 ( 5 ) 如果器件按第8 章程序提交筛选, 且相同 生产线采用了 几种筛选顺序, 则器件只能按其经受的 相同筛选顺序分组。 6 . 2 结构相似 性对应试 验判 别规 则 表1 给出了适用于B 组和周期检验的结构相似性对应试验判别规则。 6 . 2 . 1 条至6
15、 . 2 . 1 8 条对这些判别规 则作了 详细 说明。 使用表 1 的示例: C 3 分组要求进行引出 端强度试验。 对于该项试验, 结构相似性有下列要求( 见表 1 ) , GB / T 1 275 0一 91 .孟邻霜瞬曦瑕兴翻悦9侧常监卜盆畜扁某珠怜场岭架x名会邢“泪 套 ; xx 94 V 9 5 = 份显龚W“ x Xxxx 攀恻田书 七J帕 目山 , , xxx Xx 门 名 . , 二 汤 半嘴田份 一 丫、了丫 日44 倒: 云二 xxx 次 绷 例 - # - ; W H xxxxxx X 习 ;州 品 拓 t Xxxxx x 目.目- x _ 七舀 习 福尸 尹二 a
16、: , .; 扣 丁 二 阿匕 xx xx 蛋 ic 郑 书 拍 . g e xxXxxx ww r l 月 功 + !H “ xxxxxx 羹d 3 U三xxxxx I t 卜恻苦苗 辑。 、长 软 二 二 翻 创 1卜 产、J 入产入八 M,i; 月 权全 xxxxxXxxx = W N az 16 xxx . xxxxxxxxx 郑 斑 逻 翔 i 11 xxxxxxxxxxxx 1( 9葬 二 家奏 xxxxxxXxx x x 类 红 Xxxxxxxxxxx I X xxxxxXxxxXxxX 葺孰品琳渊胜侧友塑葵释霉织1邢 Gs / T 1 27 50 一 9 1 6 . 2 1 条
17、 装配线 6 . 2 . 3 条- 一 外壳门类 6 . 2 . 5 条- 一 封装方法 6 . 2 . 6 条 外引线材料 6 . 2 . 7条- 一 最终加工过程 满足上 述各条全 部要求的 器件, 对于“ 引 线强度” 试 验而言, 可 视为结构相似。 6 . 2 . 1 生产线 器件应是在相同的 扩散线和( 或) 装配线( 见2 . 4 . 1 条) 上制造的。 6 . 2 . 2 外壳外形和尺寸 详细规范里规定的外壳外形和尺寸应相同。 6 . 2 . 3 外壳门 类 见I E C 1 9 1 - 3 半导体器件的机械标准化第4 部分: 半导体器件封装外形图 类型的划 分以及编号体系
18、规定的标准形式) 从外壳门 类的角度来考虑结构相似性, 电路应 安装于符合下述判别 规则的 外壳内: 相同工艺的外壳分类; 相同的引出端形式和标称截面; 一一相同的单一形式, 相同的标称尺寸和相同的引出端数。 6 . 2 . 4 外壳材料 外壳材料应相同. 6 . 2 . 5 封装方法 用于空封的外壳密封方法或用于非空封的材料和方法应相同. 6 . 2 . 6 外引线材料 用作外引线及涂层的材料应相同( 另见6 . 2 . 7 条) 。 6 . 2 . 7 最终加工过程 不包括标志的方法( 见6 . 2 . 8 条) 和最终电测量 见 2 . 4 . 1 条( 4 ) ) , 对一个完整器件进
19、行的最终加工 过程应相同。 6 . 2 . 8 标志方法 标志的方法和外壳上采用的涂层应相同。 6 . 2 . 9 引出端数 只 要组内 器件的 最多与最 少引出 端数之 差符合 下述要求, 就 可构成单独一组。 - 一 引出端数不多于 2 4 的外壳, 差不大于4 ; 引出 端数多于2 4 的外壳, 差不 大于8 , 62 . 1 0 内 部连线材料及内引 线键合 内部连线的材料和标称截面应相同。形成内引线键合的材料和方法也应相同。 6 . 2 . 1 1 芯片枯接 粘片所用的材料和方法应相同。 6 . 2 . 1 2 芯片面积比 一 组器件内最大与最小芯片面积比 应不超过2 , . 2 -
20、 1 3 芯片制造工艺 应按相同工艺生产芯片. 即: 基本技术 和基本 工艺相同( 如肖 特基、 N M O S , C M O S 等) ; 钝化类型相同; - 一 版图设计规则和设计数据相同; 执行基本功能的单元相同; cB / r 1 275 0 一 91 金属化方法和材料相同; 衬底材料和性能相同。 6 . 2 . 1 4 密度 器件的密度为单元数与芯片面积之比, 按下式给出: 单元数 芯片面积 单元的定义并不重要, 只要应用结构相似性规则时, 组内各型号均采用相同的定义即可。 有关型号的 密度与受试器 件密 度之比应 小于2 。 6 . 2 . 1 5 工作电源电压 族规范和( 或)
21、 详细规范规定的 工作电源电压 应相同。 6 . 2 . 1 6 工作温度范围 族规范和( 或) 详细规范规定的工作温度范围应相同。 6 . 2 . 1 7 功能或电特性判据 该判据意味着应满足 下述两个要求: 在一个结 构相似性编组里, 所有的 器件型 号都应规定在同 一空白详细规范及同一族规范( 若适 用) 里。 b . 若适用, 对代表 型号及有关的型 号均有效的 特定 功能或电 特性判据, 按空白 详细 规范和( 或) 族 规范的要求。 62 , 1 8 功耗 有关型号与受试器件功耗之比 通常应小于1 . 2 , 然而, 该比 值也可以提高, 只要有关型号结温的升 高不超过 5即可。
22、了 组 和分组 各组试验应按下表: 组 I 类 X X l 皿类 X 瓜类 X AB C z ) X 0 X X 口) X X 筛选X 注:1 )一年进行一次, 但可焊性每3个月一次. 2 )提交该组试验的样品应预先通过A组和B组检验。 包含在分组里的特性在空白 详细规范里 规定, 并在I E C 7 4 8 号标准有关部分的第m 章“ 额定值和特 性” 中已强制性地列入. GB / T 12 75 0一 91 表 2 A 组 逐 批 分组 检验或试验试验条件 八 ! 外部目检 GB 4 5 8 9. 】 . 4 . 2 . 1 . 1 A2 2 5C下的功能验证( 若无其他规定) 按详细规范
23、规定 Al a ( 不适用于 I 类) 最高工作温度下的功能验证u 八Z b ( 不适用于I类) 最低工作温度下的功能验证” A 3 一 2 5( 一 下的睁态特性 见有关标准 A3 a 最高工作温度下的静态特性” AU 最低和最高工作温度下的静态特性” A 4 2 5 C下的动态特性( 若无其他规定) A4 a ( 不适用于了 类) 最高工作温度下的动态特性” A l b ( 不适用于 I 类) 最低工作温度下的动态特性” t: I )如果制造厂能定期C 见表4 注 1 ) 证明两个极限温度下的试验结果与2 5 C下的试验结果相关( 见1 2 . 5条) . 则 制造厂可以使用2 5 C下的
24、试验结果。在选择该方法时, 应采用2 5 C下有关试验分组的抽样方案. 表 3 B组 逐 批 I 类情况见G B 4 5 8 9 . 1 , 2 . 6条 分 组捡脸和试验 引用标准条件 Bt 尺寸 G B 4 5 8 9 . 1 , 4 . 2 . 2 , 附录 B B2 c 电顿定值验证见有 关 标 准 按规定( 适用时) B4 可焊性 G B 4 5 9 0 半导体集成电路机械 和气候试验方法k , 2 . 5 按规定 B5 温度快速变化 a 空封器件 沮度快速变化 随后 电测试 密封, 细检漏 密封, 粗检漏 G B 4 5 9 0 , 3 . 1 见A 2 和 A 3 GB 4 5
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