GBT 6624-1995.pdf
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1、中华 人 民 共 和 国 国 家标 准 G B / T 6 6 2 4 一1 9 9 5 硅抛光片表面质量目测检验方法 代替 G B 6 6 2 4 -8 6 S t a n d a r d m e t h o d f o r m e a s u r i n g t h e s u r f a c e q u a l i t y o f p o l i s h e d s i l i c o n s l i c e s b y v i s u a l i n s p e c t i o n , 主肠内容与适用范围 本标准规定了在一定光照条件下, 用目 测检验硅单晶单面抛光片( 以下简称抛光片)
2、 表面质量的方 法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。 2 引用标准 G $ / T 1 4 2 6 4 半导体材料术语 3 方法原理 硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射, 且能目 测观察, 据此可目 测检验其表 面缺陷。 月 测 检 验 的 光照 条 件 分 成 二类: 直 射 汇 聚光 和 大 面积 漫 射 光。 目 测 检 验的 缺陷 包括 单晶 的 原生 缺 陷 和抛光片制备及包装过程中所引入的缺陷。 设备和器具 高强度汇聚光源: 钨丝灯。 离光源1 0 0 m m处汇聚光束斑直径2 0 4 0 m m, 照度不小子1 6 0 0 0 1 x a 大面积漫射光源:
3、可调节光强度的荧光灯或乳白 灯, 使检测面上的光强度为4 3 0 -6 5 0 l x , 净化台: 大小能容纳检测设备, 净化级别优于1 0 0 级, 离净化台正面边缘2 3 0 m m处背景照度为5 0 dl.弓J 月叼月络月吁 一6 5 0 仅。 4 . 4 真空吸笔: 吸笔头可拆卸清洗, 抛光片与其接触后不留下任何痕迹, 不引入任何缺陷。 4 . 5 照度计: 应可测到1 0 。 一2 2 0 0 l x , 5 试样 按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。 6 检测程序 6 . 1 检测条件 6 . 1 门在1 0 0 级净化台内, 用真空吸笔吸住抛光片背面,
4、 使抛光面向上, 正对光源。 光源、 抛光片与检测 人员 位置如图所示。光源离抛光片距离为5 0 -1 加m m , a 角为4 5 0 士1 0 0 , 夕 角为9 0 0 士1 0 0 0 国家技术监任局1 9 9 5 一 0 4 一 1 8 批准 1 9 9 5 一 1 2 一 0 1 实施 G B / e 6 6 2 4 一1 9 9 5 吸耳者 吐片 用 高强度汇聚光检 侧硅片的 正面的 示愈图 6 . 1 . 2 检侧光源分别为: 高强 度 汇聚 光: 照 度 )1 6 0 0 0 Ix . 大 面 积 散射 光: 照 度4 3 0 - 6 5 0 l a . 6 . 2 检侧步孩
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