GBT 17574.10-2003.pdf
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1、GB / T 1 7 5 7 4 . 1 0 -2 0 0 3 / I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 o li青 半导体器件集成电路数字集成电路 分为十三个部分: G B / T 5 9 6 5 - - 2 0 0 。 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第一篇双极型单 片数字集成电 路门电 路( 不包括自由 逻辑阵列) 空白详细规范( i d t I E C 7 4 8 - 2 - 1 : 1 9 9 1 ) G B / T 9 4 2 4 -1 9 9 8 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第五篇C MO s数 字集成电路 4 0 0
2、 0 B和 4 0 0 0 UB系列空白详细规范( i d t I E C 7 4 8 - 2 - 5 : 1 9 9 2 ) -G B / T 1 7 0 2 3 -1 9 9 7 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第二篇HC MO S 数字集成电路 5 4 / 7 4 HC , 5 4 / 7 4 H C T, 5 4 / 7 4 HC U系列族规范( i d t I E C 7 4 8 - 2 - 2 : 1 9 9 2 ) G B / T 1 7 0 2 4 -1 9 9 7 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第三篇HC MO S 数字集成电路 5 4 / 7 4
3、HC 5 4 / 7 4 H C T , 5 4 / 7 4 HC U系列空白详细规范( i d t I E C 7 4 8 - 2 - 3 : 1 9 9 2 ) -G B / T 1 7 5 7 2 -1 9 9 8 半导体器件集成电路第 2 部分: 数字集成电路第四篇C MO s数 字集成电路4 0 0 0 B和4 0 0 0 UB系列族规范( i d t I E C 7 4 8 - 2 - 4 : 1 9 9 2 ) -I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 6 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第六篇: 微处理器集成 电路空白详细规范 - I E C 6 0 7 4 8
4、 - 2 - 7 半导体 器件 集成电 路第2 部分: 数字集成电路第七篇: 熔丝式可编程 双极只读存储器集成电路空白详细规范 -I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 8 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第八篇: 集成电路静态 读/ 写存储器空白详细规范 -I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 9 半导体器件集成电路第2部分: 数字集成电路第九篇: MO s紫外线擦 除电可编程只读存储器空白详细规范 -I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第十篇: 集成电 路动态读/ 写存储器空自详细规范 一
5、一1 E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 1 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第十一篇: 单电源电可 擦和可编程只读存储器空白详细规范 -I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 2 半导体器件集成电路第 2部分: 数字集成电路第十二篇: 可编程逻辑 器件( P I- D s ) 空白详细规范 一 一I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 2 。 半导体器件 集成电 路 第2 部分: 数字集成电路 第二十篇: 低气压集成 电路族规范 本部分为第 1 0部分, 等同采用I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 ( QC 7 9 0 1
6、0 7 ) 半导体器件集成电路第 2 部分: 数字集成电路第1 0 篇: 集成电路动态读/ 写存储器空白详细规范)(英文版) 。 本部分作了如下编辑性修改: I ) 删除 I E C原文中的前言 2 ) 将所有引用文件放人本部分正文, 已经等同转化为国家标准的引用国家标准, 否则引用 I E C 原文 本部分由中华人民共和国信息产业部提出。 本部分由中国电子技术标准化研究所( C E S I ) 归口 本部分起草单位: 中国电子技术标准化研究所( C E S I ) o 本部分主要起草人 : 王琪、 李燕荣 。 GB / T 1 7 5 7 4 . 1 0 -2 0 0 3 / I EC 6
7、0 7 4 8 - 2 - 1 0: 1 9 9 4 半导体器件集成电路第2 - 1 a部分: 数字集成电路集成电路动态 读/ 写存储器空白详细规范 引言 I E C电子元器件质量评定体系遵循 I E C的章程, 并在 I E C的授权下进行工作。该体系的目的是确 定质量评定程序, 以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其 他所有参加国同样接受。 本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一, 并且与下列标准一起使用。 G B / T 4 7 2 8 . 1 2 -1 9 9 6 电气简图用图形符号第1 2 部分: 二进制逻辑元件( i d t I E C
8、 6 1 7 - 1 2 : 1 9 9 1 ) G B / T 4 9 3 7 -1 9 9 5 半导体器件机械和气候试验方法( i d t I E C 7 4 9 . 1 9 8 4 , 修改单 1 09 9 1 ) , 修改单 2 ( 1 9 9 3 ) ) G B / T 1 7 5 7 4 -1 9 9 8 半导体器件集成电路第 2 部分: 数字集成电路( id t I E C 7 4 8 - 2 ; 1 9 8 5 , 修 改单 1 ( 1 9 9 1 ) ) I E C 6 0 0 6 8 - 2 - 1 7 : 1 9 7 8 环境试验第2部分: 试验试验 Q: 密封 I E
9、C 6 0 1 3 4 : 1 9 6 1 电子管、 电真空管和类似的半导体器件的额定值体系 I E C 6 0 7 4 7 - 1 0 : 1 9 9 1 / Q C 7 0 0 0 0 。 半导体器件 分立器件和集成电路 第1 0 部分: 分立 器件和集 成电路总规范 I E C 6 0 7 4 8 - 1 1 : 1 9 9 0 / Q C 7 9 0 1 0 0 半导 体器件 集成电 路 第1 1 部分: 半导体集成电路分规范( 不 包括混合电路) 要求的资料 本页和下页括号内的数字与下列各项要求的资料相对应, 这些资料应填人本规范相应的栏中。 详细规范的识别 I 授权发布详细规范的国
10、家标准机构名称. 2 详细规范的珑C Q编号。 3 总规范和分规范的编号及版本号。 4 详细规范的国家编号、 发布日期及国家标准体系要求的其他资料。 器件的识别 5 主要功能和型号。 仁 6 典型结构( 材料、 主要工艺) 和封装资料。器件若具有若干种派生产品, 则应指出其特性差异 详细规范应给出包括以下的简短描述: 一 一 1艺( N MO S等) ; 结构( 字x位) ; 输出电路的形式( 例如三态) ; 主要功能。 7 外形图, 引出端识别、 标志和/ 或有关外形的参考文件。 8 按总规范 2 . 6的质量评定类别。 r 9 参考数据。 本规范下页方括号给出的条款构成了详细规范的首页,
11、这些条款仅供指导详细规范的编写, 而不 应纳入详细规范中。 飞 GB / T 1 7 5 7 4 . 1 0 -2 0 0 3 / I EC 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 当任一条款指导编写可能引起混淆时, 应在括号内说明。 国家代表机构( NAI)和发布规范的团体) 1 名称( 地址) 详细规范的I E C Q编号、 版本号和/ 或9期7 2 7 Q C 7 9 0 1 0 7 一 二 , 、 , 评定电子元器件质量的依据 3 1 总 规 范 标准6 0 7 4 7 - I O / QC 7 0 0 0 0 0 分 规 范 : 标准6 0 7 4 8 - I I
12、 / QC 7 9 0 1 0 0 及编号不同时的国家编号 红 详细规范的国家编号 4 若国家编号与I E C Q编号一致, 本栏可不填遥 集成电路动态读/ 写存储器空白详细规范仁 刘 红 有关器件的型号i 订货资料 见本规范 工2 机械说明 7 外形依据: 应给出标准封装资料, I E C编号( ft口 有, 则需遵循) 和/ 或 国家编号口 外 形 图 C . 详细的资料应在本规范第8章给出I 引出端识别 画出引出端排列图, 包括图形符号 标志 仁 字母和图形, 或色码习 若有时, 详细规范应规定器件上标志的内容 豹 见总规范 2 . 5和了 或本规范 I l 三 简要说明厂 6 1 应
13、用 功 能 典型结构: 仁 硅、 单片、 MOs 工艺 封装 仁 空封或非空封 派生产品的特性对照表I 1 注 意 静 电 敏 感 器 件 质量评定类别 8 已 按总规范2 . 6 1 参考数据 9 1 能在各型号间比较的最重要性能的参考数据困 按本规范鉴定合格的器件, 其有关制造厂的资料, 可在现行合格产品目录中查到 标志和订货资料 1 标志 见总规范 2 , 5 2订货资料 除另有规定外, 订购器件至少需要下列资料: - - 一 准确的型号( 必要时, 标称电压值) ; 一 一适用时, 详细规范的I E C Q编号、 版本号和/ 或日期; 分规范第9章规定的类别, 及如果需要时, 分规范第
14、8章规定的筛选程序; 发货包装 ; 其他特殊的资料 2 应 用说明 仁 应给出下列特性 : - 一 标称电 源电 压; -一一刷新模式; 工作模式( 例如地址取样) ; G B/ T 1 7 5 7 4 . 1 0 -2 0 0 3 / I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 电气兼容( 适用时) 。 应当标注出集成电路存储器是否与其他集成电路或集成电路族电气兼容, 或是否需要特殊接口。 l 功 能说明 3 . 1 详细框图 r 框图 应该充分描述存储器内 独立功能单元 并以其主要 输人、 输出路径来加以识别, 并识别其外部 连接( 片允许, 地址码、 编程等)
15、 。 应给出功能的图形符号。这可从标准图形符号的目录中得到, 或按 G B / T 4 7 2 8 , 1 2的规定编制。 32 引出端识别和功能 仁 所有引出端应在框图中注明( 电 源端、 地址、 数据和控制端) 。 r 引出端功能应在下表中注明 引出端功能 引出端编号 引出端符号) 引出端标识功 能 输人/ 输出识别 输出电路的类型 33 功能说明 I 应给出下列特性: 一一存储器大小: 能存储在存储器电路中的信息容量总位数; 存储器结构: 能存储在存储器电路中的每个字的位数; 寻址方式; 片选 ( 适用时) ; 输出允许 ( 适用时) ; 备用模式( 适用时) ; 真值表( 该表应能反映
16、对应地址输人和选择输人不同组合的输出状态) a 1 极限值( 绝对最大额定值体 系) 见 I E C 6 0 1 3 4 , 除另有规定外, 这些极限值适用于整个7作温度范围。 I 除另有规定外. 应给出下列极限值: 应该包括特定集成电路才有的警示状态, 例如 MO s电路的处置; 一 应规定任何相关的极限值; 应注明极限值适用的所有条件; 若允许瞬时过载, 应规定其幅值和持续时间。 所有电压以一个确定参考端为基准 参 数 符 号最小最 大 单位 电 源 电压 V n c 7 V B B I v - . V s V ! 输 入 电 压 VX 1 XV 输 出 电压V XXV 区别片选和输出允许
17、 GB / T 1 7 5 7 4 . 1 0 - 2 0 0 3 / I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 表 ( 续) 参 数符号最 小 最 大 单 位 截止电压 , V 既xx v 输 出 电 流i sXXm A 输 人 电 流I ,XXm A 功 耗P oX W 工 作 温 度 T -、 和/ 或 T - XX 贮 存 温 度 T g XX 代数值 1 ) 适用时。 5 工作条件( 在规定的工作温度范围内) 这些条件不考核但可用于质量评定。 特 性符 号最 小最 大单 位 电 源 电 压 v o v 8 v c c V E E x x x X x x
18、x x v v v v 输人低电平电压 V Ixx v 输人高电平电压 VIHxxv 工作温度T 。 和/ 或 T . - xX I ) 适用时, 这些值也可在备用条件下引用. 6电特性 除另有规定外, 特性适用于第 5 章全部工作条件 电路指定参数在工作温度范围内变化的. 应给出 2 5 下和高、 低温下的输人、 输出电压值和对应 的电流。应给出每个不同功能类型的输人和/ 或输出对应的电流和电压值。 应规定特殊特性和时序要求。 6 . 1 静态特性 所有电压以一个确定参考端为基准。 特 性条 件 I ll ,符 号最 小 最 大单 位 读/ 写周期平均工作电流, ,V c c ma x 一
19、日 XXmA XX.A 备用电流, , 平均刷新电源电流” XX. A XX-A 平均页模式电源电流, , 输 出 高 电平 电压V c c m i n I O H A V n H XXV GB / T 1 7 5 7 4 . 1 0 -2 0 0 3 / I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 表( 续 ) 特 性条 件1 , 1 1符 号最 小最 大 单 位 输出低电平电压 V m i n I a u V o LXXV 输人高电平电流或漏电流 Vc c ma x V a :e I I H V a m a x V O L B 了 o a xXX产 A 三态输出
20、的输出高电平漏电流( 若 适 用 ) V u m a x V O H B l o a nXX解 A 三态输出的输出低电平诵电流( 若 适 用 ) V a m a x V o “ I o a zXX 拼 A 输出短路电流” V a m a x V o =o I o sXX. A 代数值 1 ) 适用时。 2 ) I o x x 和 I o n 、 仅适用于集电极开路( 或源极/ 漏极开路) 的输出, 这种情况下它代替 I o x 和1 -, 3 ) 规定持续时间 4 ) 适用时Vo o 用于代替 V a 5 ) 这些条件用于相关特性测量的最坏情况下。 适用时也应标出下列条件: 若某些引出端既可作
21、输人也可作输出, 应注明所有条件 GB / T 1 7 5 7 4 . 1 0 - 2 0 0 3 / I E C 6 0 7 4 8 - 2 - 1 0 : 1 9 9 4 6 . 2 动态特性 只要适用于器件工 作则应 给出下表所列特性 : 特 性条 件符号最 小最 大单 位 周 期 读 写 读 写 读 一 改 一 写 页模式( 读、 写、 读 写, 读一 改一 写) z 刷新周期时间和刷新时间 ( 注 1 )e n S 存 取 时 间 开始到列地址选择 开始到行地址选择( R AS ) ( 注 1 )t , n s 脉冲持续时间 一 一 读操作 列地址选择有效 列地址选择无效 行地址选择
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