GBT 14844-1993.pdf
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1、U D CH 8 0 6 2 1 - 3 1 5 - 5 9 2 石旨 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G s / T 1 4 8 4 4 一 9 3 半 导 体 材 料 牌号 表 示 方 法 D e s i g n a t i o n s o f s e mi c o n d u c t o r ma t e r i a l s 1 9 9 3 一 1 2 一 2 4发布 1 9 9 4 一 0 9 一 0 1 实施 国家技术监督局 发 布 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G s / T 1 4 8 4 4 一 9 3 半导 体材 料牌号表 示方法 De s i g
2、n a t i o n s o f s e mi c o n d u c t o r ma t e r i a l s 1 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体多晶、 单晶、 晶片和外延片产品牌号的表示方法。 本标准适用于编制半导体材料的牌号。 在编写国家标准和行业标准时, 应采用本标准所规定的牌号 表示方法。产品出厂时, 应使用本标准规定的牌号标志。 2 牌号分类 按照晶体结构和产品形状, 半导体材料牌号分为多晶、 单晶、 晶片和外延片四类。 3 牌号表示方法 3 . , 多晶牌号 半导体多晶的牌号表示为: 口 一 口 一 口 一( 口) 一 口 1 , 2 , 3 , 4 , 5 分别代
3、表牌号的第一项至第五项。 3 . 1 . 1 牌号的第一项表示多晶的生产方法或特殊用途 , 或生产方法与特殊用途的组合, 分别用英文的 第一个字母或其字母组合的大写形式表示, 其中: C表示铸造法; b . I R表示红外光学用途; c . R表示还原法; d . Z表示区熔法。 3 . 1 . 2 牌号的第二项中 P表示多晶, 分子式表示多晶名称。 3 . 1 . 3 牌号的第三项表示多晶的形状, 分别用英文第一个字母的大写形式表示, 其中: a . I 表示棒状; b . N表示块状。 3 . 1 . 4 牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂。 3 . 1 . 5 牌号的第五项中用阿拉
4、伯数字表示多晶产品的等级。 国家技术监督局1 9 9 3 一 1 2 一 2 4 批准1 9 9 4 一 0 9 一 0 1实施 GB / T 148 44一 93 3 . 1 . 6 若多晶产品不强调生产方法或形状, 或不掺杂等, 其牌号相应部分可省略。 3 门 了示例 : a . P S i - N - 1表示一级块状硅多晶; b . Z - P Ge - 1 表示一级区熔锗锭; c . R - P G e - 1 表示一 级还 原锗锭。 3 . 2 单晶牌号 半导体单晶的牌号表示为: 口 一 口 一 口( )一 ) 一一一1 1 , 2 , 3 , 4 分别代表牌号的第一项至第四项。 3
5、 . 2 . 1 牌号的第一项表示单晶的生产方法, 分别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示, 其中 : a . C z 表示直拉法; b . F Z表示悬浮区熔法; c . H B表示水平法; d . L E C表示液封直拉法; e . MC z 表示磁场拉晶法。 2 . 2 牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。 2 . 3 牌号的第三项中用 n或P表示导电类型, 括号内元素符号表示掺杂剂, N T D表示中子嫂变掺杂 牌号的第四项用密勒指数表示晶向。 若单晶不强调生产方法或不掺杂时, 其牌号的相应部分可省略。 示例 : C z - S i - p ( B ) 一 ( 1 0 0 )
6、 表示晶向为( 1 0 0 ) 的p 型掺硼直拉硅单晶; F Z - S i - n ( N T D) 一 ( 1 1 1 表示晶向为( 1 1 1 ) 的 n 型中照悬浮区熔硅单晶; HB - G a A s - n ( S i ) 一 ( 1 0 0 ) 表示晶向为( 1 0 0 ) 的 n型掺硅水平砷化稼单晶; L E C-G a A - ( C r +O ) 一 1 0 0 ) 表示晶向为 1 0 0 ) 掺铬和氧的液封直拉砷化稼单晶。 月曰砂 0八乙n乙弓乙 33法3.3. , sbCd 晶片牌号 半导体晶片的牌号表示为: 口口 一 口 一 口( )一 ) 丁下一 下 -丁5 G f
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