GBT 8976-1996.pdf
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1、I C S 3 1 . 2 0 0 L 5 5 署I 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 G B / T 8 9 7 6 一 1 9 9 6 I E C 7 4 8 - 2 0 -1 9 8 8 Q C 7 6 3 0 0 0 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 G e n e r ic s p e c i f ic a t i o n f o r f i l m i n t e g r a t e d c ir c u it s a n d h y b r i d f il m i n t e g r a t e d c i r c u i t s 1 9 9 6 一 0 7 一 0
2、9 发布 1 9 9 7 一 0 1 一 0 1 实施 国家技术监督局 发 布 c s / T 8 9 7 6 一1 9 9 6 目次 1 范围、 目 的和分类 ” ” “ “ “ “ “ ” ” ” “ “ “ ” “ 1 1 . 1 范围 “ “ ” ” ” ” ” “ ” “ “ ” ” ” “ “ “ ” ” ” “ “ “ 1 1 . 2 目的 ” ” “ ” “ “ “ ” ” ” ” ” “ ” “ “ ” ” “ “ ” 1 1 . 3 F 分规范 ; 总规范 ; -I E C QC 0 0 1 0 0 2 程序规则( I E C Q) ; -I E C QC 0 0 1 0
3、0 1 基本章程( I E C Q ) ; 其他国际文件, 如引用的 I E C标准。 同样的优先顺序适用于等效的国家标准。 2 . 2 有关文件 详细规范应指出适用的文件。 G B / T 1 5 1 3 8 -9 4 膜集成电 路和混合集成电 路外形 尺寸 S J / Z 9 0 0 1 . 1 -8 7 基本环境试验规程第 1 部分: 总A ll 和导A J ( id t I E C 6 8 - 1 : 1 9 8 2 ) S J / Z 9 0 0 1 . 2 -8 7 基本环境试验规程第2部分: 各种试验试验 A: 寒冷( 低温 ( i d t I E C 6 8 - 2 - 1:
4、1 9 7 6 ) S J / Z 9 0 0 1 . 3 -8 7 基本环境试验规程第2部分: 各种试验试验 B : 干热( 高M) ( i d t I E C 6 8 - 2 - 2 : 1 9 7 6 ) S J / Z 9 0 0 1 . 4 -8 7 基本环境试验规程第2部分: 各种试验试验 N: 温度变化( i d t I E C 6 8 - 2 - 1 4 : 1 9 8 6 ) S J / Z 9 0 0 1 . 5 -8 7 基本环境试验规程第2部分: 各种试验试验C a : 稳态湿热( i d t I E C 6 8 - 2 - 3 : 1 9 6 9 ) S J / Z
5、9 0 0 1 . 6 -8 7 基本环境试验规程第2 部分: 各种试验试验D b : 循环湿热( 1 2 +1 2 h 循环) ( id t I EC 6 8 - 2 - 3 0: 1 9 8 0 ) S J / Z 9 0 0 1 . 1 4 -8 7 基本环境试验规程第 2部分: 各种试验试验 K a : 盐雾( i d t I E C 6 8 - 2 - 1 1 : 1 9 8 1 ) S J / Z 9 0 0 1 . 1 8 -8 7 基本环境试验规程第 2 部分: 各种试验试验 F c : 正弦振动(G d t I E C 6 8 - 2 - 6: 1 9 8 2 ) S J /
6、 Z 9 0 0 1 . 2 3 -8 7 基本环境试验规程第2 部 分: 各种试验试 验 E a : 冲击( i d t I E C 6 8 - 2 - 2 7 : 1 9 8 3 ) S J / Z 9 0 0 1 . 2 7 -8 7 基本环境试验规程第 2 部分: 各种试验试验 G a : 稳态加速度( i d t I E C 6 8 - 2 - 7: 1 9 8 3 ) S J / Z 9 0 0 1 . 3 0 -8 7 基本环境试验规程第 2 部分: 各种试验试验 Q: 密封( id t I E C 6 8 - 2 - 1 7 : 1 9 8 5 ) S J / Z 9 0 0
7、1 . 3 1 -8 7 基本环境试验规程第 2 部分: 各种试验试验 T: 锡焊( i d t I E C 6 8 - 2 - 2 0 : 1 9 7 9 ) S J / Z 9 0 0 1 . 3 3 -8 7 基本环境试验规程 第2 部分: 各种试验 试验U: 引出 端及整体安装件强度 ( id tI E C 6 8 - 2 - 2 1 : 1 9 8 3 ) S J / Z 9 0 0 1 . 3 4 -8 7 基本环境试脸规程 第2 部分: 各种试验试 验X A和导则: 在清洗剂中浸演 ( id t I E C 6 8 - 2 - 4 5 : 1 9 8 0 ) S J / Z 9
8、0 0 1 . 4 4 -8 7 基本环境试验规程 第3 部分: 背景材料 第1 节: 寒冷( 低温) 和干热( 高温) ( id t I E C 6 8 - 3 - 1 : 1 9 7 4 ) GB / T 8 9 76 一 1 99 6 S J / Z 9 0 0 7 -8 7 计数检查抽样方案和程序( i d t I E C 4 1 0 ; 1 9 7 3 ) S J / Z 9 0 1 5 . 1 -8 7 半导体器件集成电路第 1 部分: 总则( id t I E C 7 4 8 - 1 : 1 9 8 4 ) S J / Z 9 0 1 6 -8 7 半导体器件机械和气候试验方法(
9、 id t I E C 7 4 9 ; 1 9 8 4 ) S J / Z 9 0 2 1 . 1 -8 7 半导体器件的机械标准化第 1 部分: 半导体器件图形绘制( id t I E C 1 9 1 - 1 ; 1 9 7 4 ) S J / Z 9 0 2 1 . 2 -8 7 半导体器件的机械标准化第 2 部分: 尺寸( i d t I E C 1 9 1 - 2 : 1 9 8 3 ) S J / Z 9 0 2 1 . 3 -8 7 半导体器件的机械标准化第 3 部分 : 集成电路外形图绘制总则( i d t I E C 1 9 3 - 3 : 1 9 7 8 ) I E C标准:
10、 I E C 2 7 - 1 ( 1 9 7 1 ) 电子技术用文字符号第1 部分: 总则 I E C 5 0 国际电工技术词汇( I E V) I E C 6 9 5 - 2 - 2 ( 1 9 8 0 ) 火险试验第2 部分: 试验方法 针焰试验 I E C 7 4 7 - 1 ( 1 9 8 3 ) 半导体器件分立器件和集成电 路第1 部分: 总则 I E C 7 4 8 - 1 ( 1 9 9 3 ) 半导体器件集成电路 第1 部分: 总则 第2 次修改单 I E C Q C 0 0 1 0 0 1 ( 1 9 8 6 ) I E C电 子元器件质量评定体系( I E C Q ) 的基
11、本章程 I E C Q C 0 0 1 0 0 2 ( 1 9 8 6 ) I E C电子元器件质量评定体系( I E C Q ) 的程序规则 2 . 3 单位和符号 单位、 图形符号和文字符号应尽可能从下列标准中选择: G B 4 7 2 8 电气图用图形符号 I E C 2 7 电气技术用文字符号 I S O 1 0 0 0 ( 1 9 8 1 ) S I 单位制和推荐使用的该单位的组合及某些其他单位当需要任何其他单位和 符号时, 应根据上列标准的原则导出。 2 . 4 术语 术语应尽可能从以下标准中选取: I E C 5 0 国际电工技术词汇( I E V ) 当需要其他术语时, 应根据
12、这个标准的原则导出. 2 - 4 . 1 微电 子 学 , m ic r oe l e c t r o n i c s 高度小型化电子线路及其应用科学和工程领域。 2 . 4 . 2 微电路, 3 m i c r o c i r c u i t 具有高密度的电路元件和( 或) 部件, 并可作为独立件的微电子器件。 2 . 4 . 3 集成电路, I i n t e g r a t e d c ir c u it 将全部或若千电路元件不可分割地联在一起, 并且在电气上互连, 以致就结构和贸易而言被视为不 可分割的一种电路。 注 1有关半导体集成电路的T C4 7 标准集成电路, 一般指设计成徽电
13、路的集成电路。 2为了进一步定义集成电路的特性 , 可采用限定语: 单片集成电路. - 一 多片 集成电路; 薄膜集成电路; 厚膜集成电路; 混合膜集成电路; 采用说明: 1 该术语采用 I E C 7 4 8 - 1 第2号修改单( 1 9 9 3 ) . c a / T 8 9 7 6 一1 9 9 6 混合半导体集成电路。 2 . 4 . 4 半导体集成电路 s e m i c o n d u c t o r in t e g r a t e d c ir c u i t 设计成集成电路的半导体器件. 2 . 4 . 5 多 片 集 成 电 路 , m u l t i- c h ip i
14、 n t e g r a t e d c i r c u i t 包含有两个或两个以上芯片的半导体集成电路。 2 . 4 . 6 ( 膜集 成电 路的) 膜 I f i l m ( o f a f i l m i n t e g r a t e d c ir c u i t ) 以 任何一种淀 积工艺, 在基片上或淀积了 其他膜的 基片 上形成的固 体材料层。 2 - 4 . 7 箔 f o il 不依赖基片能独立进行加工的固体材料层. 2 . 4 . 8 ( 膜集成电 路的) 薄膜, t h i n f il m ( o f a f i lm i n t e g r a t e d c i
15、r c u i t ) 用溅射、 气相沉积等生长工艺产生的膜。 2 - 4 . 9 ( 膜集成电 路的) 厚膜, t h i c k f i l m ( o f a f i lm i n t e g r a t e d c i r c u i t ) 以 丝网 印制或其他相关技术产 生的 膜。 2 . 4 . 1 0 膜集成电 路, f i l m i n t e g r a t e d c i r c u i t 电 路元件( 包括互连) 是在绝缘 基片表面上形成的膜单元的集成电路。 注: 膜单元可以是有佩或无裸的. 2 . 4 . 1 1混 合 集 成电 路 , h y b r i d i
16、n t e g r a t e d c ir c u i t 由 两个或多个集成元件、 分立元件或两者的组合形成的集成电 路。 注:为识别某一具体型号的混合集成电路, 可附加限定语( 如腆) , 并应给出其定义. 2 . 4 . 1 2混合 膜 集 成电 路 , h y b r i d f i lm i n t e g r a t e d c ir c u i t 主 要电 路元件 是基片 上的膜元件形成的膜集成电 路, 并且在基片上或封装中 其他地方安装外贴元 件构成的一种电路。 2 . 4 . 1 3 无源混合膜集成电路, p a s s i v e h y b r i d f i l m
17、 i n t e g r a t e d c i r c u i t 全部电路元件均为无源元件的混合膜集成电路。 2 . 4 . 1 4 有源混合 膜集成电路 a c t iv e h y b r id f i lm i n t e g r a t e d c ir c u it 至 少有一个电 路元件为有源的 混合膜集成电 路。 2 . 4 . 1 5 半导体芯片混合膜集成电 路 * m i c o n d u c t o r c h i p h y b r id f il m i n t e g r a t e d c i r c u it 含 有一个 或多 个未封装半导体器件的混合膜集成
18、电 路。 2 . 4 . 1 6 ( 膜集 成电 路的) 基片 s u b s t r a t e ( o f a f il m i n t e g r a t e d c ir c u it ) 构成支撑膜电路元件和( 或) 外贴元件基体的片状材料。 2 . 4 . 1 7 多层( 互 连) 膜电路 m u lt il a y e r ( c o n n e c t io n ) f il m c ir c u i t 至少用一层绝缘膜或间隙隔开的多层膜互连的电路。 2 . 4 . 1 8 电路元件 c i r c u i t e le m e n t 在集成电路中完成某种电功能的有源或无源
19、元件。 2 . 4 . 1 9 有源元件 a c t i v e e l e m e n t 一种主要对电路提供整流、 开关和放大功能的元件。 注: 有源元件在电 路中, 也可提供电 阻或电容功能. 或者是将外加能量从一种形式转化为另一种 形式。例如: 二极 管、 晶体管、 半导体集成电路、 光敏半导体器件和发光半导体器件. 2 . 4 . 2 0 无 源 元 件 p a s s i v e e le m e n t 对电路 功能主要起电 阻、 电 容或电感作 用, 或其组合作用的元 件.如电阻器、 电 容器、 电感. 滤波 器、 采 用 说 明 : I I该术语采用I E C 7 4 8 -
20、 1第2号修改单( 1 9 9 3 ) . C B / T 8 9 7 6 -1 9 9 6 互连线。 2 . 4 . 2 1 薄膜集成电 路 I t h i n - f il m i n t e g r a t e d c ir c u i t 电路元件为薄膜元件的膜集成电路。 注: 通常膜元件是由真空淀积技术或其他淀积技术形成的。 2 . 4 . 2 2 厚膜集成电路, t h ic k - f i l m in t e g r a t e d c i r c u i t 电路元件为厚膜元件的膜集成电路。 2 . 4 . 2 3 气相淀积技术 v a p o u r p h a s e d
21、 e p o s i t i o n t e c h n i q u e 采用物理淀积或化学反应方法, 将呈气相状的源材料淀积在固体表面上, 以形成导体膜、 绝缘膜或 半导体膜的技术。 2 . 4 . 2 4 丝网印刷技术, s c r e e n - p r i n t i n g t e c h n i q u e 通过丝网 把浆料压印到固 体表面以形成导体膜、 绝缘膜或半导体膜的淀积技术。 2 . 4 . 2 5 镀膜, p l a t e d f i lm 通过化学和( 或) 电化学淀积所得到的膜。 2 . 4 . 2 6 引出端t e r mi n a t io n ( t e r
22、m i n a l ) 为集成电路提供外部电气通路的导体( 如引线、 焊接片和焊接区等) 。 2 . 4 . 2 7 外壳( 封装) p a c k a g e 集成电路的全包封或部分包封, 可提供机械保护、 环境保护及外形尺寸.外壳可以 包含或提供引出 端, 并对集成电路的热性能起作用。 2 . 4 . 2 8 密 封e n c a p s u l a t io n 为抵抗机械、 物理和化学应力, 用某种保护介质包封电路和元器件的通用工艺。 2 . 4 . 2 9 保护涂层 p r o t e c t iv e c o a t in g 一种 施加在电 路元件表面作为机械和环境保护和防止污染
23、的绝缘材料层。 2 . 4 . 3 4 灌封, e m b e d d i n g 采用 能够固化的树脂形成电子组件包封体的工艺。例如: 注塑 ; 浇灌; 浸涂 ; 热模压。 2 . 4 . 3 1 工艺试验样品 、 p r o c e s s t e s t v e h i c le 一种试样 , 不一定是一个电路, 但至少是所考核电路生产线上一个工序的代表, 并且能够进行各种 试验, 用于证明一种或一种以上工艺过程控制的有效性。 2 . 4 . 3 2 能力鉴定电路( C Q C ) c a p a b i li t y q u a li f y i n g c i r c u i t (
24、 C Q C ) 用来部分或全面评价申 报能力的一种试验样品.它可以是专门设计的试样, 或正常生 产的电 路, 也 可以是以上两种电路的组合。 2 . 4 . 3 3 半成品电路 p a r t ly c o m p le t e s c o m p o n e n t o f F a n d H F I C s 从生产线上提取的没有制造完的膜集成电 路和混合膜集成电 路, 它不能使用正常成品的规范进 行 全面评价. 2 . 4 . 3 4 外贴元件 a d d e d c o m p o n e n t 在机械上和电气上与基片连接的元( 部) 件. 2 . 4 . 3 5 筛选 s c r
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